БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    R6047ENZ4C13

    R6047ENZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247

    Rohm Semiconductor

    594
    R6047ENZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 72mOhm @ 25.8A, 10V 4V @ 1mA 145 nC @ 10 V ±20V 3850 pF @ 25 V - 481W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    SCT4062KEC11

    SCT4062KEC11

    1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    4,717
    SCT4062KEC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    NVBG080N120SC1

    NVBG080N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

    onsemi

    580
    NVBG080N120SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 30A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V, -15V 1154 pF @ 800 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    IXFH32N100X

    IXFH32N100X

    MOSFET N-CH 1000V 32A TO247

    Littelfuse Inc.

    274
    IXFH32N100X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 220mOhm @ 16A, 10V 6V @ 4mA 130 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    SCT4036KW7TL

    SCT4036KW7TL

    1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    413
    SCT4036KW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40A (Tj) 18V 47mOhm @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - 150W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
    IXFX64N60P

    IXFX64N60P

    MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    787
    IXFX64N60P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 64A (Tc) 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXTP64N10L2

    IXTP64N10L2

    MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    678
    IXTP64N10L2

    Техническая документация

    Linear L2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 64A (Tc) 10V 32mOhm @ 32A, 10V 4.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3620 pF @ 25 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXTH68P20T

    IXTH68P20T

    MOSFET P-CH 200V 68A TO247

    Littelfuse Inc.

    291
    IXTH68P20T

    Техническая документация

    TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 68A (Tc) 10V 55mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±15V 33400 pF @ 25 V - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    UJ3C065030B3

    UJ3C065030B3

    MOSFET N-CH 650V 65A TO263

    Qorvo

    4,289
    UJ3C065030B3

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel - 650 V 65A (Tc) 12V 35mOhm @ 50A, 12V 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXTH220N20X4

    IXTH220N20X4

    MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247

    Littelfuse Inc.

    245
    IXTH220N20X4

    Техническая документация

    Ultra X4 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 220A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 110A, 10V 4.5V @ 250µA 157 nC @ 10 V ±20V 12300 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISO TO-247-3
    IXTH16N50D2

    IXTH16N50D2

    MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3

    Littelfuse Inc.

    300
    IXTH16N50D2

    Техническая документация

    Depletion TO-247-3 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 0V 240mOhm @ 8A, 0V - 199 nC @ 5 V ±20V 5250 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXTQ40N50L2

    IXTQ40N50L2

    MOSFET N-CH 500V 40A TO3P

    Littelfuse Inc.

    390
    IXTQ40N50L2

    Техническая документация

    Linear L2™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 40A (Tc) 10V 170mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 320 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXTQ60N20L2

    IXTQ60N20L2

    MOSFET N-CH 200V 60A TO3P

    IXYS

    149
    IXTQ60N20L2

    Техническая документация

    Linear L2™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 255 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXFT50N85XHV

    IXFT50N85XHV

    MOSFET N-CH 850V 50A TO268

    Littelfuse Inc.

    1,081
    IXFT50N85XHV

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 50A (Tc) 10V 105mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 152 nC @ 10 V ±30V 4480 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
    E3M0060065K

    E3M0060065K

    60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

    Wolfspeed, Inc.

    450
    E3M0060065K

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 37A (Tc) 15V 79mOhm @ 13.2A, 15V 3.6V @ 3.6mA 49 nC @ 15 V +19V, -8V 1170 pF @ 600 V - 131W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    UF3C065030K3S

    UF3C065030K3S

    SICFET N-CH 650V 85A TO247-3

    Qorvo

    927
    UF3C065030K3S

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 650 V 85A (Tc) 12V 35mOhm @ 50A, 12V 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 441W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFT15N100Q3

    IXFT15N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 15A TO268

    IXYS

    145
    IXFT15N100Q3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 15A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 7.5A, 10V 6.5V @ 4mA 64 nC @ 10 V ±30V 3250 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    VP2206N2

    VP2206N2

    MOSFET P-CH 60V 750MA TO39

    Microchip Technology

    919
    VP2206N2

    Техническая документация

    - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 750mA (Tj) 5V, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 3.5V @ 10mA - ±20V 450 pF @ 25 V - 360mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
    IXFK80N60P3

    IXFK80N60P3

    MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    651
    IXFK80N60P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 80A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 190 nC @ 10 V ±30V 13100 pF @ 25 V - 1300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXTK102N65X2

    IXTK102N65X2

    MOSFET N-CH 650V 102A TO264

    Littelfuse Inc.

    352
    IXTK102N65X2

    Техническая документация

    Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 102A (Tc) 10V 30mOhm @ 51A, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±30V 10900 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
    Total 36322 Record«Prev1... 111112113114115116117118...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.