БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FCH040N65S3-F155

    FCH040N65S3-F155

    MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

    onsemi

    1,010
    FCH040N65S3-F155

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 4.5V @ 6.5mA 136 nC @ 10 V ±30V 4740 pF @ 400 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-247-3
    SCT4062KEHRC11

    SCT4062KEHRC11

    1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    166
    SCT4062KEHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    STW45NM50

    STW45NM50

    MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3

    STMicroelectronics

    491
    STW45NM50

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 45A (Tc) 10V 100mOhm @ 22.5A, 10V 5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 25 V - 417W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FCH041N60E

    FCH041N60E

    MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3

    onsemi

    430
    FCH041N60E

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 77A (Tc) 10V 41mOhm @ 39A, 10V 3.5V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±20V 13700 pF @ 100 V - 592W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHG73N60E-GE3

    SIHG73N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

    Vishay Siliconix

    114
    SIHG73N60E-GE3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 73A (Tc) 10V 39mOhm @ 36A, 10V 4V @ 250µA 362 nC @ 10 V ±30V 7700 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IMBG65R030M1HXTMA1

    IMBG65R030M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

    Infineon Technologies

    924
    IMBG65R030M1HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 63A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V, -5V 1643 pF @ 400 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
    STW88N65M5-4

    STW88N65M5-4

    MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L

    STMicroelectronics

    183
    STW88N65M5-4

    Техническая документация

    MDmesh™ M5 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 84A (Tc) 10V 29mOhm @ 42A, 10V 5V @ 250µA 204 nC @ 10 V ±25V 8825 pF @ 100 V - 450W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    C3M0120100K

    C3M0120100K

    SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    2,476
    C3M0120100K

    Техническая документация

    C3M™ TO-247-4 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1000 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 21.5 nC @ 15 V ±15V 350 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    C3M0120090J-TR

    C3M0120090J-TR

    SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7

    Wolfspeed, Inc.

    1,756
    C3M0120090J-TR

    Техническая документация

    C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 17.3 nC @ 15 V +18V, -8V 350 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    TP65H070LDG-TR

    TP65H070LDG-TR

    650 V 25 A GAN FET

    Transphorm

    662
    TP65H070LDG-TR

    Техническая документация

    TP65H070L 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 25A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
    SCT3060ALGC11

    SCT3060ALGC11

    SICFET N-CH 650V 39A TO247N

    Rohm Semiconductor

    462
    SCT3060ALGC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 39A (Tc) 18V 78mOhm @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58 nC @ 18 V +22V, -4V 852 pF @ 500 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    IXFX520N075T2

    IXFX520N075T2

    MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    310
    IXFX520N075T2

    Техническая документация

    HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 520A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 545 nC @ 10 V ±20V 41000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK520N075T2

    IXFK520N075T2

    MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    315
    IXFK520N075T2

    Техническая документация

    HiPerFET™, TrenchT2™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 520A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 545 nC @ 10 V ±20V 41000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    NVHL040N65S3F

    NVHL040N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

    onsemi

    573
    NVHL040N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 153 nC @ 10 V ±30V 5875 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    FCH041N65F-F085

    FCH041N65F-F085

    MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

    onsemi

    306
    FCH041N65F-F085

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V 5V @ 250µA 304 nC @ 10 V ±20V 13566 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFK360N10T

    IXFK360N10T

    MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    242
    IXFK360N10T

    Техническая документация

    HiPerFET™, Trench TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 360A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 3mA 525 nC @ 10 V ±20V 33000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    SCTH35N65G2V-7

    SCTH35N65G2V-7

    SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

    STMicroelectronics

    1,694
    SCTH35N65G2V-7

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +22V, -10V 1370 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-7
    SCT4045DRC15

    SCT4045DRC15

    750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    3,459
    SCT4045DRC15

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    MSC035SMA070B4

    MSC035SMA070B4

    TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4

    Microchip Technology

    136
    MSC035SMA070B4

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 77A (Tc) 20V 44mOhm @ 30A, 20V 2.7V @ 2mA (Typ) 99 nC @ 20 V +23V, -10V 2010 pF @ 700 V - 283W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXTK120N65X2

    IXTK120N65X2

    MOSFET N-CH 650V 120A TO264

    Littelfuse Inc.

    221
    IXTK120N65X2

    Техническая документация

    Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 120A (Tc) 10V 24mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 13600 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
    Total 36322 Record«Prev1... 110111112113114115116117...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.