БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPZ60R040C7XKSA1

    IPZ60R040C7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4

    Infineon Technologies

    641
    IPZ60R040C7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 10V 40mOhm @ 24.9A, 10V 4V @ 1.24mA 107 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    G3R60MT07D

    G3R60MT07D

    750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    1,839
    G3R60MT07D

    Техническая документация

    G3R™ TO-247-3 Tube Active - SiCFET (Silicon Carbide) 750 V - - - - - +20V, -10V - - - - - - Through Hole TO-247-3
    IXTH6N50D2

    IXTH6N50D2

    MOSFET N-CH 500V 6A TO247

    Littelfuse Inc.

    220
    IXTH6N50D2

    Техническая документация

    Depletion TO-247-3 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Tc) - 500mOhm @ 3A, 0V - 96 nC @ 5 V ±20V 2800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    AUIRF7769L2TR

    AUIRF7769L2TR

    MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    7,817
    AUIRF7769L2TR

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric L8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 375A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 74A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 11560 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
    IXTQ69N30P

    IXTQ69N30P

    MOSFET N-CH 300V 69A TO3P

    Littelfuse Inc.

    293
    IXTQ69N30P

    Техническая документация

    Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 69A (Tc) 10V 49mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4960 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IPW65R035CFD7AXKSA1

    IPW65R035CFD7AXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41

    Infineon Technologies

    1,148
    IPW65R035CFD7AXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7A TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 63A (Tc) 10V 35mOhm @ 35.8A, 10V 4.5V @ 1.79mA 145 nC @ 10 V ±20V 7149 pF @ 400 V - 305W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3-41
    IXTA60N20X4

    IXTA60N20X4

    MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263

    Littelfuse Inc.

    751
    IXTA60N20X4

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 21mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (IXTA)
    G3R60MT07K

    G3R60MT07K

    750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    1,151
    G3R60MT07K

    Техническая документация

    G3R™ TO-247-4 Tube Active - SiCFET (Silicon Carbide) 750 V - - - - - +20V, -10V - - - - - - Through Hole TO-247-4
    SPW35N60C3FKSA1

    SPW35N60C3FKSA1

    MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3

    Infineon Technologies

    131
    SPW35N60C3FKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34.6A (Tc) 10V 100mOhm @ 21.9A, 10V 3.9V @ 1.9mA 200 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    SIHG47N60E-GE3

    SIHG47N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

    Vishay Siliconix

    374
    SIHG47N60E-GE3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 64mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±30V 9620 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    UF4C120053K3S

    UF4C120053K3S

    1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,

    Qorvo

    529
    UF4C120053K3S

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 34A (Tc) 12V 67mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHG050N60E-GE3

    SIHG050N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC

    Vishay Siliconix

    392
    SIHG050N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 51A (Tc) 10V 50mOhm @ 23A, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 3459 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    NVH4L080N120SC1

    NVH4L080N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

    onsemi

    347
    NVH4L080N120SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 29A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V, -15V 1670 pF @ 800 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFK140N20P

    IXFK140N20P

    MOSFET N-CH 200V 140A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    350
    IXFK140N20P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 140A (Tc) 10V, 15V 18mOhm @ 70A, 10V 5V @ 4mA 240 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFH6N120P

    IXFH6N120P

    MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    451
    IXFH6N120P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 6A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 1mA 92 nC @ 10 V ±30V 2830 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    STP34NM60N

    STP34NM60N

    MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3

    STMicroelectronics

    267
    STP34NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±25V 2722 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SCT2280KEGC11

    SCT2280KEGC11

    1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    1,664
    SCT2280KEGC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 14A (Tc) 18V 364mOhm @ 4A, 18V 4V @ 1.4mA 36 nC @ 18 V +22V, -6V 667 pF @ 800 V - 108W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247N
    STW12N120K5

    STW12N120K5

    MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

    STMicroelectronics

    1,172
    STW12N120K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) 10V 690mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 44.2 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IMBG65R048M1HXTMA1

    IMBG65R048M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

    Infineon Technologies

    865
    IMBG65R048M1HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 45A (Tc) 18V 64mOhm @ 20.1A, 18V 5.7V @ 6mA 33 nC @ 18 V +23V, -5V 1118 pF @ 400 V - 183W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
    IXTH110N25T

    IXTH110N25T

    MOSFET N-CH 250V 110A TO247

    Littelfuse Inc.

    599
    IXTH110N25T

    Техническая документация

    Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 110A (Tc) 10V 24mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 1mA 157 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    Total 36322 Record«Prev1... 106107108109110111112113...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.