БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPTG210N25NM3FDATMA1

    IPTG210N25NM3FDATMA1

    TRENCH >=100V PG-HSOG-8

    Infineon Technologies

    1,800
    IPTG210N25NM3FDATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 7.7A (Ta), 77A (Tc) 10V 21mOhm @ 69A, 10V 4V @ 267µA 81 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 125 V - 3.8W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
    FQA24N60

    FQA24N60

    MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN

    onsemi

    442
    FQA24N60

    Техническая документация

    QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.5A (Tc) 10V 240mOhm @ 11.8A, 10V 5V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±30V 5500 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
    IXFH20N100P

    IXFH20N100P

    MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    277
    IXFH20N100P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 20A (Tc) 10V 570mOhm @ 10A, 10V 6.5V @ 1mA 126 nC @ 10 V ±30V 7300 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IPTG111N20NM3FDATMA1

    IPTG111N20NM3FDATMA1

    TRENCH >=100V PG-HSOG-8

    Infineon Technologies

    1,726
    IPTG111N20NM3FDATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 10.8A (Ta), 108A (Tc) 10V 11.1mOhm @ 96A, 10V 4V @ 267µA 81 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 100 V - 3.8W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
    IPP410N30NAKSA1

    IPP410N30NAKSA1

    MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3

    Infineon Technologies

    429
    IPP410N30NAKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 44A (Tc) 10V 41mOhm @ 44A, 10V 4V @ 270µA 87 nC @ 10 V ±20V 7180 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    STW28NM50N

    STW28NM50N

    MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3

    STMicroelectronics

    510
    STW28NM50N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 21A (Tc) 10V 158mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1735 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXTH3N150

    IXTH3N150

    MOSFET N-CH 1500V 3A TO247

    Littelfuse Inc.

    166
    IXTH3N150

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 3A (Tc) 10V 7.3Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 250µA 38.6 nC @ 10 V ±30V 1375 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IPW65R080CFDFKSA2

    IPW65R080CFDFKSA2

    MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3

    Infineon Technologies

    244
    IPW65R080CFDFKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 43.3A (Tc) 10V 80mOhm @ 17.6A, 10V 4.5V @ 1.8mA 167 nC @ 10 V ±20V 5030 pF @ 100 V - 391W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    STW57N65M5

    STW57N65M5

    MOSFET N-CH 650V 42A TO247

    STMicroelectronics

    443
    STW57N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 42A (Tc) 10V 63mOhm @ 21A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±25V 4200 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHH068N60E-T1-GE3

    SIHH068N60E-T1-GE3

    MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    217
    SIHH068N60E-T1-GE3

    Техническая документация

    E 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 68mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±30V 2650 pF @ 100 V - 202W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    IPBE65R050CFD7AATMA1

    IPBE65R050CFD7AATMA1

    MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7

    Infineon Technologies

    2,851
    IPBE65R050CFD7AATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7A TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3-10
    R6070JNZ4C13

    R6070JNZ4C13

    600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH

    Rohm Semiconductor

    550
    R6070JNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 15V 58mOhm @ 35A, 15V 7V @ 3mA 165 nC @ 15 V ±30V 6000 pF @ 100 V - 770W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IXFQ22N60P3

    IXFQ22N60P3

    MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

    IXYS

    107
    IXFQ22N60P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 360mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IPW60R099CPAFKSA1

    IPW60R099CPAFKSA1

    MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3

    Infineon Technologies

    163
    IPW60R099CPAFKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 31A (Tc) 10V 105mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 80 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 100 V - 255W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3
    NTH4L075N065SC1

    NTH4L075N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

    onsemi

    419
    NTH4L075N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 61 nC @ 18 V +22V, -8V 1196 pF @ 325 V - 148W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    STW20N95DK5

    STW20N95DK5

    MOSFET N-CH 950V 18A TO247

    STMicroelectronics

    518
    STW20N95DK5

    Техническая документация

    MDmesh™ DK5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 18A (Tc) 10V 330mOhm @ 9A, 10V 5V @ 100µA 50.7 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTBG160N120SC1

    NTBG160N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

    onsemi

    820
    NTBG160N120SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 19.5A (Tc) 20V 224mOhm @ 12A, 20V 4.3V @ 2.5mA 33.8 nC @ 20 V +25V, -15V 678 pF @ 800 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    IXTH140P05T

    IXTH140P05T

    MOSFET P-CH 50V 140A TO247

    Littelfuse Inc.

    219
    IXTH140P05T

    Техническая документация

    TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 140A (Tc) 10V 9mOhm @ 70A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±15V 13500 pF @ 25 V - 298W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IPB65R041CFD7ATMA1

    IPB65R041CFD7ATMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    377
    IPB65R041CFD7ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    NTB082N65S3F

    NTB082N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK

    onsemi

    3,840
    NTB082N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 4mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 104105106107108109110111...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.