БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    UJ4C075044K3S

    UJ4C075044K3S

    750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

    Qorvo

    664
    UJ4C075044K3S

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 750 V 37.4A (Tc) 12V 56mOhm @ 25A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFP34N65X3

    IXFP34N65X3

    MOSFET 34A 650V X3 TO220

    Littelfuse Inc.

    599
    IXFP34N65X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) - 100mOhm @ 17A, 10V 5.2V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±20V 2025 pF @ 25 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3 (IXFP)
    NVB082N65S3F

    NVB082N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3

    onsemi

    3,983
    NVB082N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 4mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXFQ34N50P3

    IXFQ34N50P3

    MOSFET N-CH 500V 34A TO3P

    IXYS

    582
    IXFQ34N50P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 34A (Tc) 10V 170mOhm @ 17A, 10V 5V @ 4mA 60 nC @ 10 V ±30V 3260 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXFH20N85X

    IXFH20N85X

    MOSFET N-CH 850V 20A TO247

    Littelfuse Inc.

    212
    IXFH20N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 20A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 63 nC @ 10 V ±30V 1660 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    C3M0160120D

    C3M0160120D

    SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

    Wolfspeed, Inc.

    1,657
    C3M0160120D

    Техническая документация

    C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.6V @ 2.33mA 38 nC @ 15 V +15V, -4V 632 pF @ 1000 V - 97W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPW65R041CFD7XKSA1

    IPW65R041CFD7XKSA1

    650V FET COOLMOS TO247

    Infineon Technologies

    230
    IPW65R041CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    STW12N150K5

    STW12N150K5

    MOSFET N-CH 1500V 7A TO247

    STMicroelectronics

    490
    STW12N150K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 7A (Tc) 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V 5V @ 100µA 47 nC @ 10 V ±30V 1360 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    MSC180SMA120S

    MSC180SMA120S

    MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26

    Microchip Technology

    256
    MSC180SMA120S

    Техническая документация

    - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 21A (Tc) 20V 225mOhm @ 8A, 20V 3.26V @ 500µA 34 nC @ 20 V +23V, -10V 510 pF @ 1000 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
    STW68N65DM6-4AG

    STW68N65DM6-4AG

    MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4

    STMicroelectronics

    561
    STW68N65DM6-4AG

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 72A (Tc) - 39mOhm @ 36A, 10V 4.75V @ 250µA 118 nC @ 10 V ±25V 5900 pF @ 100 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    APT22F80B

    APT22F80B

    MOSFET N-CH 800V 23A TO247

    Microchip Technology

    262
    APT22F80B

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 23A (Tc) 10V 500mOhm @ 12A, 10V 5V @ 1mA 150 nC @ 10 V ±30V 4595 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
    IXTH48N65X2

    IXTH48N65X2

    MOSFET N-CH 650V 48A TO247

    Littelfuse Inc.

    548
    IXTH48N65X2

    Техническая документация

    Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 48A (Tc) 10V 68mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 4mA 77 nC @ 10 V ±30V 4420 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXFH20N80P

    IXFH20N80P

    MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFH20N80P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 520mOhm @ 10A, 10V 5V @ 4mA 86 nC @ 10 V ±30V 4685 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IMBG65R057M1HXTMA1

    IMBG65R057M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

    Infineon Technologies

    886
    IMBG65R057M1HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 39A (Tc) 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 5.7V @ 5mA 28 nC @ 18 V +23V, -5V 930 pF @ 400 V - 161W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
    IXTP32P20T

    IXTP32P20T

    MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    311
    IXTP32P20T

    Техническая документация

    TrenchP™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 32A (Tc) 10V 130mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±15V 14500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    UJ4C075044K4S

    UJ4C075044K4S

    750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

    Qorvo

    437
    UJ4C075044K4S

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 750 V 37.4A (Tc) 12V 56mOhm @ 25A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    UJ4C075033B7S

    UJ4C075033B7S

    750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

    Qorvo

    526
    UJ4C075033B7S

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 750 V 44A (Tc) 12V 41mOhm @ 30A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    IXFH30N60P

    IXFH30N60P

    MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFH30N60P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 240mOhm @ 15A, 10V 5V @ 4mA 82 nC @ 10 V ±30V 4000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IXFQ50N50P3

    IXFQ50N50P3

    MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

    IXYS

    253
    IXFQ50N50P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 120mOhm @ 25A, 10V 5V @ 4mA 85 nC @ 10 V ±30V 4335 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXTA94N20X4

    IXTA94N20X4

    MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263

    Littelfuse Inc.

    1,628
    IXTA94N20X4

    Техническая документация

    Ultra X4 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 94A (Tc) 10V 10.6mOhm @ 47A, 10V 4.5V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 5050 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 105106107108109110111112...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.