БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SIHG039N60E-GE3

    SIHG039N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC

    Vishay Siliconix

    500
    SIHG039N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 63A (Tc) 10V 39mOhm @ 32A, 10V 5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±30V 4369 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SIHG80N60EF-GE3

    SIHG80N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

    Vishay Siliconix

    460
    SIHG80N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 80A (Tc) 10V 32mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 400 nC @ 10 V ±30V 6600 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IXTH10P60

    IXTH10P60

    MOSFET P-CH 600V 10A TO247

    Littelfuse Inc.

    258
    IXTH10P60

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 1Ohm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXFH36N60P

    IXFH36N60P

    MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    626
    IXFH36N60P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 190mOhm @ 18A, 10V 5V @ 4mA 102 nC @ 10 V ±30V 5800 pF @ 25 V - 650W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IXTT24P20

    IXTT24P20

    MOSFET P-CH 200V 24A TO268

    Littelfuse Inc.

    182
    IXTT24P20

    Техническая документация

    - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 110mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    SCT3120AW7TL

    SCT3120AW7TL

    SICFET N-CH 650V 21A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    788
    SCT3120AW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 21A (Tc) - 156mOhm @ 6.7A, 18V 5.6V @ 3.33mA 38 nC @ 18 V +22V, -4V 460 pF @ 500 V - 100W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    GP2T080A120H

    GP2T080A120H

    SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

    SemiQ

    132
    GP2T080A120H

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 35A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 61 nC @ 20 V +25V, -10V 1377 pF @ 1000 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFH50N30Q3

    IXFH50N30Q3

    MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    1,803
    IXFH50N30Q3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 50A (Tc) 10V 80mOhm @ 25A, 10V 6.5V @ 4mA 65 nC @ 10 V ±20V 3160 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IXTT360N055T2

    IXTT360N055T2

    MOSFET N-CH 55V 360A TO268

    Littelfuse Inc.

    730
    IXTT360N055T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 360A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±20V 20000 pF @ 25 V - 935W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFH18N90P

    IXFH18N90P

    MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    840
    IXFH18N90P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 18A (Tc) 10V 600mOhm @ 500mA, 10V 6.5V @ 1mA 97 nC @ 10 V ±30V 5230 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    NTH4L045N065SC1

    NTH4L045N065SC1

    SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

    onsemi

    181
    NTH4L045N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 55A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1870 pF @ 325 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    STW72N60DM2AG

    STW72N60DM2AG

    MOSFET N-CH 600V 66A TO247

    STMicroelectronics

    528
    STW72N60DM2AG

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 66A (Tc) 10V 42mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 121 nC @ 10 V ±25V 5508 pF @ 100 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFT340N075T2

    IXFT340N075T2

    MOSFET N-CH 75V 340A TO268

    Littelfuse Inc.

    459
    IXFT340N075T2

    Техническая документация

    HiPerFET™, TrenchT2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 340A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 3mA 300 nC @ 10 V ±20V 19000 pF @ 25 V - 935W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFH120N20P

    IXFH120N20P

    MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    302
    IXFH120N20P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 152 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 714W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    LSIC1MO120E0160

    LSIC1MO120E0160

    SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3

    Littelfuse Inc.

    2,289
    LSIC1MO120E0160

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 20V 200mOhm @ 10A, 20V 4V @ 5mA 57 nC @ 20 V +22V, -6V 870 pF @ 800 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NTHL050N65S3HF

    NTHL050N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3

    onsemi

    389
    NTHL050N65S3HF

    Техническая документация

    FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 50mOhm @ 29A, 10V 5V @ 1.7mA 125 nC @ 10 V ±30V 5017 pF @ 400 V - 378W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SCT3160KLHRC11

    SCT3160KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

    Rohm Semiconductor

    592
    SCT3160KLHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 18V 208mOhm @ 5A, 18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V, -4V 398 pF @ 800 V - 103W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXFK44N50P

    IXFK44N50P

    MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    260
    IXFK44N50P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 44A (Tc) 10V 140mOhm @ 22A, 10V 5V @ 4mA 98 nC @ 10 V ±30V 5440 pF @ 25 V - 658W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXTP94N20X4

    IXTP94N20X4

    MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO220

    Littelfuse Inc.

    163
    IXTP94N20X4

    Техническая документация

    Ultra X4 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 94A (Tc) 10V 10.6mOhm @ 47A, 10V 4.5V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 5050 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SCTW40N120G2V

    SCTW40N120G2V

    SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

    STMicroelectronics

    555
    SCTW40N120G2V

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 36A (Tc) 18V 100mOhm @ 20A, 18V 4.9V @ 1mA 61 nC @ 18 V +22V, -10V 1233 pF @ 800 V - 278W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
    Total 36322 Record«Prev1... 108109110111112113114115...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.