БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    GP2T080A120U

    GP2T080A120U

    SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

    SemiQ

    1,149
    GP2T080A120U

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 35A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 58 nC @ 20 V +25V, -10V 1377 pF @ 1000 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTHL065N65S3F

    NTHL065N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

    onsemi

    6,586
    NTHL065N65S3F

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 4.6mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SCT2450KEHRC11

    SCT2450KEHRC11

    1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    427
    SCT2450KEHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 10A (Tc) 18V 585mOhm @ 3A, 18V 4V @ 900µA 27 nC @ 18 V +22V, -6V 463 pF @ 800 V - 85W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    STH12N120K5-2

    STH12N120K5-2

    MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

    STMicroelectronics

    2,999
    STH12N120K5-2

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) 10V 690mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 44.2 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
    IXFH180N20X3

    IXFH180N20X3

    MOSFET N-CH 200V 180A TO247

    Littelfuse Inc.

    542
    IXFH180N20X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 180A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 90A, 10V 4.5V @ 4mA 154 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    NTBL045N065SC1

    NTBL045N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

    onsemi

    1,688
    NTBL045N065SC1

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 73A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22.6V, -8V 1870 pF @ 325 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    IXTK150N15P

    IXTK150N15P

    MOSFET N-CH 150V 150A TO264

    Littelfuse Inc.

    305
    IXTK150N15P

    Техническая документация

    Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 150A (Tc) 10V 13mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 5800 pF @ 25 V - 714W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
    IPW65R029CFD7XKSA1

    IPW65R029CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3

    Infineon Technologies

    154
    IPW65R029CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 69A (Tc) - 29mOhm @ 35.8A, 10V 4.5V @ 1.79mA 145 nC @ 10 V ±20V 7149 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    IXFH50N85X

    IXFH50N85X

    MOSFET N-CH 850V 50A TO247

    Littelfuse Inc.

    1,058
    IXFH50N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 50A (Tc) 10V 105mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 152 nC @ 10 V ±30V 4480 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IPW65R041CFDFKSA2

    IPW65R041CFDFKSA2

    MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3

    Infineon Technologies

    611
    IPW65R041CFDFKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 68.5A (Tc) 10V 41mOhm @ 33.1A, 10V 4.5V @ 3.3mA 300 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    IXFH120N25X3

    IXFH120N25X3

    MOSFET N-CH 250V 120A TO247

    Littelfuse Inc.

    165
    IXFH120N25X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 120A (Tc) 10V 12mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 4mA 122 nC @ 10 V ±20V 7870 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXFX360N10T

    IXFX360N10T

    MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    298
    IXFX360N10T

    Техническая документация

    HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 360A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 3mA 525 nC @ 10 V ±20V 33000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    NTBG080N120SC1

    NTBG080N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

    onsemi

    1,035
    NTBG080N120SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 30A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25, -15V 1154 pF @ 800 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    IXTA86N20X4

    IXTA86N20X4

    MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263

    Littelfuse Inc.

    597
    IXTA86N20X4

    Техническая документация

    Ultra X4 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 86A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 2250 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXTA15N50L2

    IXTA15N50L2

    MOSFET N-CH 500V 15A TO263

    IXYS

    134
    IXTA15N50L2

    Техническая документация

    Linear L2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 15A (Tc) 10V 480mOhm @ 7.5A, 10V 4.5V @ 250µA 123 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    NVBG075N065SC1

    NVBG075N065SC1

    SIC MOS D2PAK-7L 650V

    onsemi

    3,116
    NVBG075N065SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 37A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 59 nC @ 18 V - 1191 pF @ 325 V - 139W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    IXFH40N85X

    IXFH40N85X

    MOSFET N-CH 850V 40A TO247

    Littelfuse Inc.

    368
    IXFH40N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 40A (Tc) 10V 145mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 98 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 25 V - 860W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    UF3C120080K3S

    UF3C120080K3S

    SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3

    Qorvo

    16,414
    UF3C120080K3S

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 33A (Tc) 12V 100mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 254.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    UF3C120080K4S

    UF3C120080K4S

    SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4

    Qorvo

    16,390
    UF3C120080K4S

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 33A (Tc) 12V 100mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 43 nC @ 12 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 254.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    APT30M70BVRG

    APT30M70BVRG

    MOSFET N-CH 300V 48A TO247

    Microchip Technology

    101
    APT30M70BVRG

    Техническая документация

    POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 48A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 5870 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
    Total 36322 Record«Prev1... 109110111112113114115116...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.