БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FDMC7570S

    FDMC7570S

    MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33

    onsemi

    533
    FDMC7570S

    Техническая документация

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 27A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 27A, 10V 3V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 4410 pF @ 13 V - 2.3W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
    STL25N60M2-EP

    STL25N60M2-EP

    MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV

    STMicroelectronics

    2,947
    STL25N60M2-EP

    Техническая документация

    MDmesh™ M2-EP 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 205mOhm @ 8A, 10V 4.75V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1090 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    STU7N105K5

    STU7N105K5

    MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK

    STMicroelectronics

    1,303
    STU7N105K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251)
    STP18N55M5

    STP18N55M5

    MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB

    STMicroelectronics

    849
    STP18N55M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 16A (Tc) 10V 192mOhm @ 8A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1260 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRFI9Z34GPBF

    IRFI9Z34GPBF

    MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3

    Vishay Siliconix

    254
    IRFI9Z34GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 140mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    R6013VND3TL1

    R6013VND3TL1

    600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH

    Rohm Semiconductor

    2,306
    R6013VND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V, 15V 300mOhm @ 3A, 15V 6.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 100 V - 131W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    CSD18502Q5BT

    CSD18502Q5BT

    MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

    Texas Instruments

    1,253
    CSD18502Q5BT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±20V 5070 pF @ 20 V - 3.2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    IRFB3207PBF

    IRFB3207PBF

    MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

    Infineon Technologies

    930
    IRFB3207PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 170A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 50 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PSMN5R6-100BS,118

    PSMN5R6-100BS,118

    MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    2,676
    PSMN5R6-100BS,118

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 5.6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 141 nC @ 10 V ±20V 8061 pF @ 50 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    STL260N4LF7

    STL260N4LF7

    N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.

    STMicroelectronics

    2,666
    STL260N4LF7

    Техническая документация

    STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    TK190U65Z,RQ

    TK190U65Z,RQ

    DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,022
    TK190U65Z,RQ

    Техническая документация

    DTMOSVI 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Ta) 10V 190mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 610µA 25 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C - - Surface Mount TOLL
    SQJQ144AER-T1_GE3

    SQJQ144AER-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    328
    SQJQ144AER-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 575A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 9020 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    IPB039N10N3GATMA1

    IPB039N10N3GATMA1

    MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

    Infineon Technologies

    29,577
    IPB039N10N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 160µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    FDMC012N03

    FDMC012N03

    MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33

    onsemi

    1,097
    FDMC012N03

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 185A (Tc) 4.5V, 10V 1.23mOhm @ 35A, 10V 2V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±12V 8183 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
    STP28N60M2

    STP28N60M2

    MOSFET N-CH 600V 24A TO220

    STMicroelectronics

    833
    STP28N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±25V 1370 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STF14N80K5

    STF14N80K5

    MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP

    STMicroelectronics

    600
    STF14N80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 445mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 22 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRFB3206GPBF

    IRFB3206GPBF

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

    Infineon Technologies

    522
    IRFB3206GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6540 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R8002CND3FRATL

    R8002CND3FRATL

    MOSFET N-CH 800V 2A TO252

    Rohm Semiconductor

    7,196
    R8002CND3FRATL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 5.5V @ 1mA 12.1 nC @ 10 V ±30V 240 pF @ 25 V - 69W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    STP10NM60N

    STP10NM60N

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

    STMicroelectronics

    1,502
    STP10NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±25V 540 pF @ 50 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    RJK0653DPB-00#J5

    RJK0653DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    4,907
    RJK0653DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Ta) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 22.5A, 10V 2.5V @ 1mA 42 nC @ 4.5 V ±20V 6100 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    Total 36322 Record«Prev1... 7576777879808182...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.