БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFI630GPBF

    IRFI630GPBF

    MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3

    Vishay Siliconix

    1,615
    IRFI630GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.9A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STW6N95K5

    STW6N95K5

    MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3

    STMicroelectronics

    858
    STW6N95K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 9A (Tc) 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 13 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IRFBF30PBF

    IRFBF30PBF

    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB

    Vishay Siliconix

    637
    IRFBF30PBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    STW7N90K5

    STW7N90K5

    MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3

    STMicroelectronics

    553
    STW7N90K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 7A (Tc) 10V - 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IRLZ44PBF-BE3

    IRLZ44PBF-BE3

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    542
    IRLZ44PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 28mOhm @ 31A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 3300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPA60R160P7XKSA1

    IPA60R160P7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220

    Infineon Technologies

    154
    IPA60R160P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.3A, 10V 4V @ 350µA 31 nC @ 10 V ±20V 1317 pF @ 400 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    SIHB17N80AE-GE3

    SIHB17N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

    Vishay Siliconix

    983
    SIHB17N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1260 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPB70N10S312ATMA1

    IPB70N10S312ATMA1

    MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

    Infineon Technologies

    459
    IPB70N10S312ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 11.3mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66 nC @ 10 V ±20V 4355 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IXTA1R4N100P

    IXTA1R4N100P

    MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

    Littelfuse Inc.

    112
    IXTA1R4N100P

    Техническая документация

    Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.4A (Tc) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 50µA 17.8 nC @ 10 V ±20V 450 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    AUIRF540Z

    AUIRF540Z

    MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,814
    AUIRF540Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TK10P60W,RVQ

    TK10P60W,RVQ

    MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,496
    TK10P60W,RVQ

    Техническая документация

    DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.7A (Ta) 10V 430mOhm @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 300 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    STP24N60M2

    STP24N60M2

    MOSFET N-CH 600V 18A TO220

    STMicroelectronics

    1,003
    STP24N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STF18NM60N

    STF18NM60N

    MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP

    STMicroelectronics

    914
    STF18NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1000 pF @ 50 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPA60R170CFD7XKSA1

    IPA60R170CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 8A TO220

    Infineon Technologies

    212
    IPA60R170CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 170mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPP60R170CFD7XKSA1

    IPP60R170CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

    Infineon Technologies

    117
    IPP60R170CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 170mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SIHB12N65E-GE3

    SIHB12N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

    Vishay Siliconix

    875
    SIHB12N65E-GE3

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 1224 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FDMS3672

    FDMS3672

    MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP

    onsemi

    10,459
    FDMS3672

    Техническая документация

    UltraFET™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.4A (Ta), 22A (Tc) 6V, 10V 23mOhm @ 7.4A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 2680 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
    SIHP20N50E-GE3

    SIHP20N50E-GE3

    MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB

    Vishay Siliconix

    848
    SIHP20N50E-GE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TSM9ND50CI

    TSM9ND50CI

    MOSFET N-CH 500V 9A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,869
    TSM9ND50CI

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 3.8V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±30V 1116 pF @ 50 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    IRF9540STRLPBF

    IRF9540STRLPBF

    MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

    Vishay Siliconix

    2,592
    IRF9540STRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 7273747576777879...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.