БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      STL325N4LF8AG

      STL325N4LF8AG

      AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

      STMicroelectronics

      		 2,910
      Запрос на предложение
      		STL325N4LF8AG

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 373A (Tc) 4.5V, 10V 0.75mOhm @ 60A, 10V 2V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±16V 7657 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerFlat™ (5x6)
      TK65E10N1,S1X

      TK65E10N1,S1X

      MOSFET N CH 100V 148A TO220

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 1,061
      Запрос на предложение
      		TK65E10N1,S1X

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 148A (Ta) 10V 4.8mOhm @ 32.5A, 10V 4V @ 1mA 81 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 50 V - 192W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      STW6N90K5

      STW6N90K5

      MOSFET N-CH 900V 6A TO247

      STMicroelectronics

      		 443
      Запрос на предложение
      		STW6N90K5

      Техническая документация

             		MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
      CSD18509Q5BT

      CSD18509Q5BT

      MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

      Texas Instruments

      		 14,187
      Запрос на предложение
      		CSD18509Q5BT

      Техническая документация

             		NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 32A, 10V 2.2V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 13900 pF @ 20 V - 3.1W (Ta), 195W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
      FDB16AN08A0

      FDB16AN08A0

      MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK

      onsemi

      		 985
      Запрос на предложение
      		FDB16AN08A0

      Техническая документация

             		PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 9A (Ta), 58A (Tc) 6V, 10V 16mOhm @ 58A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 1857 pF @ 25 V - 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      NTBS9D0N10MC

      NTBS9D0N10MC

      MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

      onsemi

      		 961
      Запрос на предложение
      		NTBS9D0N10MC

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Ta), 60A (Tc) 6V, 10V 9mOhm @ 23A, 10V 4V @ 131µA 23 nC @ 10 V ±20V 1695 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      SIHP24N80AEF-GE3

      SIHP24N80AEF-GE3

      EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

      Vishay Siliconix

      		 873
      Запрос на предложение
      		SIHP24N80AEF-GE3

      Техническая документация

             		EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 195mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 1889 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      SIHF12N60E-GE3

      SIHF12N60E-GE3

      MOSFET N-CH 600V 12A TO220

      Vishay Siliconix

      		 703
      Запрос на предложение
      		SIHF12N60E-GE3

      Техническая документация

             		E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 937 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
      AOTF160A60L

      AOTF160A60L

      MOSFET N-CH 600V 24A TO220F

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 585
      Запрос на предложение
      		AOTF160A60L

      Техническая документация

             		aMOS5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tj) 10V 160mOhm @ 12A, 10V 3.6V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
      IPA95R450P7XKSA1

      IPA95R450P7XKSA1

      MOSFET N-CH 950V 14A TO220

      Infineon Technologies

      		 442
      Запрос на предложение
      		IPA95R450P7XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 14A (Tc) 10V 450mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 35 nC @ 10 V ±20V 1053 pF @ 400 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
      CSD18510KTTT

      CSD18510KTTT

      MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK

      Texas Instruments

      		 308
      Запрос на предложение
      		CSD18510KTTT

      Техническая документация

             		NexFET™ TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 274A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 2.3V @ 250µA 132 nC @ 10 V ±20V 11400 pF @ 15 V - 250W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
      IPB70N10S3L12ATMA1

      IPB70N10S3L12ATMA1

      MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 19,864
      Запрос на предложение
      		IPB70N10S3L12ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 11.8mOhm @ 70A, 10V 2.4V @ 83µA 80 nC @ 10 V ±20V 5550 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      SIDR626DP-T1-GE3

      SIDR626DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 8,872
      Запрос на предложение
      		SIDR626DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 42.8A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 5130 pF @ 30 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
      IRF6646TRPBF

      IRF6646TRPBF

      MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

      Infineon Technologies

      		 2,526
      Запрос на предложение
      		IRF6646TRPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® DirectFET™ Isometric MN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V 4.9V @ 150µA 50 nC @ 10 V ±20V 2060 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MN
      BSC080N12LSGATMA1

      BSC080N12LSGATMA1

      TRENCH >=100V PG-TDSON-8

      Infineon Technologies

      		 2,047
      Запрос на предложение
      		BSC080N12LSGATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 12A (Ta), 99A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 50A, 10V 2.4V @ 112µA 79 nC @ 10 V ±20V 7400 pF @ 60 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8
      IRF840STRLPBF

      IRF840STRLPBF

      MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 1,368
      Запрос на предложение
      		IRF840STRLPBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      NVMFS5C645NLWFAFT1G

      NVMFS5C645NLWFAFT1G

      MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN

      onsemi

      		 1,019
      Запрос на предложение
      		NVMFS5C645NLWFAFT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22A (Ta) 4.5V, 10V 4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 50 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
      IPP024N08NF2SAKMA1

      IPP024N08NF2SAKMA1

      TRENCH 40<-<100V

      Infineon Technologies

      		 234
      Запрос на предложение
      		IPP024N08NF2SAKMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 182A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 139µA 133 nC @ 10 V ±20V 6200 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      MSJPF20N65A-BP

      MSJPF20N65A-BP

      N-CHANNEL MOSFET,TO-220F

      Micro Commercial Co

      		 4,582
      Запрос на предложение
      		MSJPF20N65A-BP

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±30V 1807 pF @ 25 V - 34W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
      IPW60R280P6FKSA1

      IPW60R280P6FKSA1

      MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3

      Infineon Technologies

      		 192
      Запрос на предложение
      		IPW60R280P6FKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 430µA 25.5 nC @ 10 V ±20V 1190 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
      Total 36322 Record«Prev1... 7172737475767778...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]