БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RD3S100AAFRATL

    RD3S100AAFRATL

    MOSFET N-CH 190V 10A TO252

    Rohm Semiconductor

    1,743
    RD3S100AAFRATL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190 V 10A (Tc) 4V, 10V 182mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    SIHA20N50E-GE3

    SIHA20N50E-GE3

    N-CHANNEL 500V

    Vishay Siliconix

    1,048
    SIHA20N50E-GE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    STW24N60M2

    STW24N60M2

    MOSFET N-CH 600V 18A TO247

    STMicroelectronics

    468
    STW24N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    TPH4R008NH,L1Q

    TPH4R008NH,L1Q

    MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    12,067
    TPH4R008NH,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 10V 4mOhm @ 30A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 40 V - 1.6W (Ta), 78W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    IRFZ48RSPBF

    IRFZ48RSPBF

    MOSFET N-CH 60V 50A TO263

    Vishay Siliconix

    6,474
    IRFZ48RSPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    CSD18532NQ5BT

    CSD18532NQ5BT

    MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

    Texas Instruments

    4,629
    CSD18532NQ5BT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Ta) 6V, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 3.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 5340 pF @ 30 V - 3.1W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    N0601N-ZK-E1-AY

    N0601N-ZK-E1-AY

    MOSFET N-CH 60V 100A TO263

    Renesas Electronics Corporation

    3,198
    N0601N-ZK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Ta) 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V - 133 nC @ 10 V ±20V 7730 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
    PSMN7R0-100BS,118

    PSMN7R0-100BS,118

    MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    2,907
    PSMN7R0-100BS,118

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±20V 6686 pF @ 50 V - 269W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    TK190E65Z,S1X

    TK190E65Z,S1X

    650V DTMOS VI TO-220 190MOHM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    113
    TK190E65Z,S1X

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Ta) 10V 190mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 610µA 25 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220
    RD3P200SNFRATL

    RD3P200SNFRATL

    MOSFET N-CH 100V 20A TO252

    Rohm Semiconductor

    5,573
    RD3P200SNFRATL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 4V, 10V 46mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    IXTY08N50D2-TRL

    IXTY08N50D2-TRL

    MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA

    Littelfuse Inc.

    4,990
    IXTY08N50D2-TRL

    Техническая документация

    Depletion TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 800mA (Tj) 0V 4.6Ohm @ 400mA, 0V 4.5V @ 25µA 12.7 nC @ 5 V ±20V 312 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    BUK7Y1R7-40HX

    BUK7Y1R7-40HX

    MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    2,768
    BUK7Y1R7-40HX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 96 nC @ 10 V +20V, -10V 6142 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    FDPF15N65

    FDPF15N65

    MOSFET N-CH 650V 15A TO220F

    onsemi

    351
    FDPF15N65

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 440mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 3095 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    IXTA48P05T

    IXTA48P05T

    MOSFET P-CH 50V 48A TO263

    Littelfuse Inc.

    3,295
    IXTA48P05T

    Техническая документация

    TrenchP™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 48A (Tc) 10V 30mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±15V 3660 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IRFI840GPBF

    IRFI840GPBF

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3

    Vishay Siliconix

    469
    IRFI840GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.6A (Tc) 10V 850mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STP150N10F7

    STP150N10F7

    MOSFET N-CH 100V 110A TO220

    STMicroelectronics

    440
    STP150N10F7

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±20V 8115 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SQJQ186E-T1_GE3

    SQJQ186E-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    1,686
    SQJQ186E-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 245A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 10552 pF @ 25 V - 357W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    IPP037N08N3GXKSA1

    IPP037N08N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

    Infineon Technologies

    1,665
    IPP037N08N3GXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 6V, 10V 3.75mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 155µA 117 nC @ 10 V ±20V 8110 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IXTA90N075T2

    IXTA90N075T2

    MOSFET N-CH 75V 90A TO263

    IXYS

    252
    IXTA90N075T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 90A (Tc) 10V 10mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 3290 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IRF9383MTRPBF

    IRF9383MTRPBF

    MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    4,324
    IRF9383MTRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130 nC @ 10 V ±20V 7305 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 113W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    Total 36322 Record«Prev1... 7374757677787980...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.