БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      PJMP120N60EC_T0_00001

      PJMP120N60EC_T0_00001

      600V SUPER JUNCTION MOSFET

      Panjit International Inc.

      		 1,947
      Запрос на предложение
      		PJMP120N60EC_T0_00001

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 120mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 1960 pF @ 400 V - 235W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
      IRF3808PBF

      IRF3808PBF

      MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 1,240
      Запрос на предложение
      		IRF3808PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 140A (Tc) 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 5310 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IPP057N08N3GXKSA1

      IPP057N08N3GXKSA1

      MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 1,107
      Запрос на предложение
      		IPP057N08N3GXKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 80A (Tc) 6V, 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 3.5V @ 90µA 69 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      STB18NF30

      STB18NF30

      MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK

      STMicroelectronics

      		 966
      Запрос на предложение
      		STB18NF30

      Техническая документация

             		STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 330 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      STP5N105K5

      STP5N105K5

      MOSFET N-CH 1050V 3A TO220

      STMicroelectronics

      		 799
      Запрос на предложение
      		STP5N105K5

      Техническая документация

             		MDmesh™ K5 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 100µA 12.5 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      TPW4R008NH,L1Q

      TPW4R008NH,L1Q

      MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 4,550
      Запрос на предложение
      		TPW4R008NH,L1Q

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 116A (Tc) 10V 4mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 40 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DSOP Advance
      RJK0654DPB-00#J5

      RJK0654DPB-00#J5

      MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

      Renesas Electronics Corporation

      		 4,239
      Запрос на предложение
      		RJK0654DPB-00#J5

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Ta) 10V 8.3mOhm @ 15A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
      2SJ687-ZK-E1-AY

      2SJ687-ZK-E1-AY

      MOSFET P-CH 20V 20A TO252

      Renesas Electronics Corporation

      		 3,791
      Запрос на предложение
      		2SJ687-ZK-E1-AY

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 2.5V, 4.5V 7mOhm @ 10A, 4.5V - 57 nC @ 4.5 V ±12V 4400 pF @ 10 V - 1W (Ta), 36W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
      STB6NK60ZT4

      STB6NK60ZT4

      MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK

      STMicroelectronics

      		 914
      Запрос на предложение
      		STB6NK60ZT4

      Техническая документация

             		SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 100µA 46 nC @ 10 V ±30V 905 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      TK100S04N1L,LQ

      TK100S04N1L,LQ

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 2,842
      Запрос на предложение
      		TK100S04N1L,LQ

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 500µA 76 nC @ 10 V ±20V 5490 pF @ 10 V - 100W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
      IPP60R299CPXKSA1

      IPP60R299CPXKSA1

      MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 782
      Запрос на предложение
      		IPP60R299CPXKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 440µA 29 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      SIHB23N60E-GE3

      SIHB23N60E-GE3

      MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 200
      Запрос на предложение
      		SIHB23N60E-GE3

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 158mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±30V 2418 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      STL18N65M2

      STL18N65M2

      MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV

      STMicroelectronics

      		 2,842
      Запрос на предложение
      		STL18N65M2

      Техническая документация

             		MDmesh™ M2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 365mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±25V 764 pF @ 100 V - 57W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
      SIHB20N50E-GE3

      SIHB20N50E-GE3

      MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 2,422
      Запрос на предложение
      		SIHB20N50E-GE3

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      STF13NK50Z

      STF13NK50Z

      MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 1,745
      Запрос на предложение
      		STF13NK50Z

      Техническая документация

             		SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 4.5V @ 100µA 47 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      IPP60R180C7XKSA1

      IPP60R180C7XKSA1

      MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 445
      Запрос на предложение
      		IPP60R180C7XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
      IPP65R190CFD7XKSA1

      IPP65R190CFD7XKSA1

      HIGH POWER_NEW

      Infineon Technologies

      		 930
      Запрос на предложение
      		IPP65R190CFD7XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      SUM90220E-GE3

      SUM90220E-GE3

      MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 730
      Запрос на предложение
      		SUM90220E-GE3

      Техническая документация

             		ThunderFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 64A (Tc) 7.5V, 10V 21.6mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 100 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      STF5N105K5

      STF5N105K5

      MOSFET N-CH 1050V 3A TO220

      STMicroelectronics

      		 651
      Запрос на предложение
      		STF5N105K5

      Техническая документация

             		MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 100µA 12.5 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
      IQE013N04LM6SCATMA1

      IQE013N04LM6SCATMA1

      OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

      Infineon Technologies

      		 11,529
      Запрос на предложение
      		IQE013N04LM6SCATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 6 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 4.5V, 10V 1.35mOhm @ 20A, 10V 2V @ 51µA 41 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 20 V - 2.5W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
      Total 36322 Record«Prev1... 6970717273747576...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]