БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FDMC86160ET100

    FDMC86160ET100

    MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33

    onsemi

    9,585
    FDMC86160ET100

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9A (Ta), 43A (Tc) 6V, 10V 14mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1290 pF @ 50 V - 2.8W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount Power33
    IPP013N04NF2SAKMA1

    IPP013N04NF2SAKMA1

    TRENCH PG-TO220-3

    Infineon Technologies

    846
    IPP013N04NF2SAKMA1

    Техническая документация

    * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPA029N06NM5SXKSA1

    IPA029N06NM5SXKSA1

    MOSFET N-CH 60V 87A TO220

    Infineon Technologies

    255
    IPA029N06NM5SXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 TO-220-3 Full Pack Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 87A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 87A, 10V 3.3V @ 36µA 74 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 30 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    CSD18532NQ5B

    CSD18532NQ5B

    MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON

    Texas Instruments

    4,260
    CSD18532NQ5B

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 3.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 5340 pF @ 30 V - 3.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    STF8N80K5

    STF8N80K5

    MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP

    STMicroelectronics

    974
    STF8N80K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 950mOhm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 16.5 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    ISC16DP15LMATMA1

    ISC16DP15LMATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    4,388
    ISC16DP15LMATMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF840ASPBF

    IRF840ASPBF

    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,045
    IRF840ASPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STFW2N105K5

    STFW2N105K5

    MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT

    STMicroelectronics

    532
    STFW2N105K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 2A (Tc) 10V 8Ohm @ 750mA, 10V 5V @ 100µA 10 nC @ 10 V 30V 115 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    STP110N10F7

    STP110N10F7

    MOSFET N CH 100V 110A TO-220

    STMicroelectronics

    156
    STP110N10F7

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 7mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 50 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    RRH140P03GZETB

    RRH140P03GZETB

    MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,452
    RRH140P03GZETB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 1mA 150 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 10 V - 650mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    IRFBG30PBF-BE3

    IRFBG30PBF-BE3

    MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

    Vishay Siliconix

    1,362
    IRFBG30PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3.1A (Tc) 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 980 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FDPF44N25T

    FDPF44N25T

    MOSFET N-CH 250V 44A TO220F

    onsemi

    670
    FDPF44N25T

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 44A (Tc) 10V 69mOhm @ 22A, 10V 5V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±30V 2870 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    STFH24N60M2

    STFH24N60M2

    MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

    STMicroelectronics

    661
    STFH24N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    SPA11N65C3XKSA1

    SPA11N65C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP

    Infineon Technologies

    611
    SPA11N65C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    RSJ451N04FRATL

    RSJ451N04FRATL

    MOSFET N-CH 40V 45A LPTS

    Rohm Semiconductor

    529
    RSJ451N04FRATL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 45A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 25A, 10V 3V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
    IPB015N06NF2SATMA1

    IPB015N06NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    654
    IPB015N06NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 37A (Ta), 195A (Tc) 6V, 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 186µA 233 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    RJ1L08CGNTLL

    RJ1L08CGNTLL

    MOSFET N-CH 60V 80A LPTL

    Rohm Semiconductor

    2,478
    RJ1L08CGNTLL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 7.7mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 50µA 55 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 30 V - 96W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTL
    IPD60R170CFD7ATMA1

    IPD60R170CFD7ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3

    Infineon Technologies

    105
    IPD60R170CFD7ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 170mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 76W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    FDD3670

    FDD3670

    MOSFET N-CH 100V 34A TO252

    onsemi

    1,789
    FDD3670

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 34A (Ta) 6V, 10V 32mOhm @ 7.3A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 2490 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IXTA08N50D2

    IXTA08N50D2

    MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

    Littelfuse Inc.

    503
    IXTA08N50D2

    Техническая документация

    Depletion TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 800mA (Tc) - 4.6Ohm @ 400mA, 0V - 12.7 nC @ 5 V ±20V 312 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    Total 36322 Record«Prev1... 6768697071727374...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.