БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFS7437TRL7PP

    IRFS7437TRL7PP

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    1,602
    IRFS7437TRL7PP

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7437 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRFZ24SPBF

    IRFZ24SPBF

    MOSFET N-CH 60V 17A TO263

    Vishay Siliconix

    1,067
    IRFZ24SPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFI720GPBF

    IRFI720GPBF

    MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3

    Vishay Siliconix

    1,000
    IRFI720GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2.6A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STP8N80K5

    STP8N80K5

    MOSFET N CH 800V 6A TO220

    STMicroelectronics

    1,000
    STP8N80K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 950mOhm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 16.5 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRL640PBF-BE3

    IRL640PBF-BE3

    MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB

    Vishay Siliconix

    985
    IRL640PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 17A (Tc) 4V, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 1800 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF740LCPBF

    IRF740LCPBF

    MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

    Vishay Siliconix

    2,466
    IRF740LCPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPD60R180C7ATMA1

    IPD60R180C7ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3

    Infineon Technologies

    1,694
    IPD60R180C7ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    HUF76439S3ST

    HUF76439S3ST

    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

    onsemi

    1,571
    HUF76439S3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±16V 2745 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFBC40APBF

    IRFBC40APBF

    MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

    Vishay Siliconix

    988
    IRFBC40APBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 1036 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NTMFS0D9N03CGT1G

    NTMFS0D9N03CGT1G

    MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN

    onsemi

    774
    NTMFS0D9N03CGT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 48A (Ta), 298A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 200µA 131.4 nC @ 10 V ±20V 9450 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IRF8010STRLPBF

    IRF8010STRLPBF

    MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,650
    IRF8010STRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 15mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3830 pF @ 25 V - 260W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    SIDR622DP-T1-RE3

    SIDR622DP-T1-RE3

    N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    8,899
    SIDR622DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 56.7A (Tc) 7.5V, 10V 17.7mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 1516 pF @ 75 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    SIR882DP-T1-GE3

    SIR882DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    3,451
    SIR882DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 20A, 10V 2.8V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 1930 pF @ 50 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRFIZ48GPBF

    IRFIZ48GPBF

    MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3

    Vishay Siliconix

    2,442
    IRFIZ48GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 37A (Tc) 10V 18mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STD7N90K5

    STD7N90K5

    MOSFET N-CH 900V 7A DPAK

    STMicroelectronics

    619
    STD7N90K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 7A (Tc) 10V - 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRF1404STRLPBF

    IRF1404STRLPBF

    MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

    Infineon Technologies

    1,711
    IRF1404STRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 162A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    SQJQ142E-T1_GE3

    SQJQ142E-T1_GE3

    MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    726
    SQJQ142E-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 460A (Tc) 10V 1.24mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 6975 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    IXTY90N055T2

    IXTY90N055T2

    MOSFET N-CH 55V 90A TO252

    Littelfuse Inc.

    659
    IXTY90N055T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 90A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 2770 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IPA80R360P7XKSA1

    IPA80R360P7XKSA1

    MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220

    Infineon Technologies

    310
    IPA80R360P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.6A, 10V 3.5V @ 280µA 30 nC @ 10 V ±20V 930 pF @ 500 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    AON6280

    AON6280

    MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    12,744
    AON6280

    Техническая документация

    - 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 17A (Ta), 85A (Tc) 6V, 10V 4.1mOhm @ 20A, 10V 3.2V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 3930 pF @ 40 V - 7.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    Total 36322 Record«Prev1... 6667686970717273...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.