БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FDP3651U

    FDP3651U

    MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

    onsemi

    662
    FDP3651U

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 18mOhm @ 80A, 10V 5.5V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 5522 pF @ 25 V - 255W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STU16N65M2

    STU16N65M2

    MOSFET N-CH 650V 11A IPAK

    STMicroelectronics

    10,477
    STU16N65M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V ±25V 718 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    IRFI9634GPBF

    IRFI9634GPBF

    MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3

    Vishay Siliconix

    2,848
    IRFI9634GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.1A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    BUK966R5-60E,118

    BUK966R5-60E,118

    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    4,765
    BUK966R5-60E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 5V 5.9mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 48 nC @ 5 V ±10V 6900 pF @ 25 V - 182W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    IRF730ASPBF

    IRF730ASPBF

    MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,497
    IRF730ASPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STB75NF75LT4

    STB75NF75LT4

    MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

    STMicroelectronics

    927
    STB75NF75LT4

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 5V, 10V 11mOhm @ 37.5A, 10V 2.5V @ 250µA 90 nC @ 5 V ±15V 4300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    STL7N80K5

    STL7N80K5

    MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    8,721
    STL7N80K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3.6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 13.4 nC @ 10 V ±30V 360 pF @ 100 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    STD5NM60T4

    STD5NM60T4

    MOSFET N-CH 600V 5A DPAK

    STMicroelectronics

    8,045
    STD5NM60T4

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 5V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 400 pF @ 25 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    BUK7S2R5-40HJ

    BUK7S2R5-40HJ

    BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88

    Nexperia USA Inc.

    844
    BUK7S2R5-40HJ

    Техническая документация

    - SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 140A (Tc) 10V 2.51mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 54 nC @ 10 V +20V, -10V 3793 pF @ 25 V - 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
    PSMN1R5-40YSDX

    PSMN1R5-40YSDX

    MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    4,067
    PSMN1R5-40YSDX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 99 nC @ 10 V ±20V 7752 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

    MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    3,542
    PSMN3R4-30BLE,118

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 81 nC @ 10 V ±20V 4682 pF @ 15 V - 178W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    RJK0456DPB-00#J5

    RJK0456DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,500
    RJK0456DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Ta) 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V - 39 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    RJK0656DPB-00#J5

    RJK0656DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,492
    RJK0656DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Ta) 10V 5.6mOhm @ 20A, 10V - 40 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    NVMFS5C638NLT1G

    NVMFS5C638NLT1G

    MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

    onsemi

    1,001
    NVMFS5C638NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2880 pF @ 25 V - 4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    STL11N65M5

    STL11N65M5

    MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    975
    STL11N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.5A (Tc) 10V 530mOhm @ 4.25A, 10V 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 644 pF @ 100 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
    IPP60R280CFD7XKSA1

    IPP60R280CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3

    Infineon Technologies

    500
    IPP60R280CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Tc) 10V 280mOhm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 180µA 18 nC @ 10 V ±20V 807 pF @ 400 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    NP50P06SDG-E1-AY

    NP50P06SDG-E1-AY

    MOSFET P-CH 60V 50A TO-252

    Renesas Electronics Corporation

    17,586
    NP50P06SDG-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 16.5mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V - 5000 pF @ 10 V - 1.2W (Ta), 84W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
    CSD16556Q5B

    CSD16556Q5B

    MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

    Texas Instruments

    6,118
    CSD16556Q5B

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.07mOhm @ 30A, 10V 1.7V @ 250µA 47 nC @ 4.5 V ±20V 6180 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 191W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
    IRL7486MTRPBF

    IRL7486MTRPBF

    MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    4,347
    IRL7486MTRPBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ DirectFET™ Isometric ME Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 209A (Tc) 4.5V, 10V 1.25mOhm @ 123A, 10V 2.5V @ 150µA 111 nC @ 4.5 V ±20V 6904 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
    IXTP08N50D2

    IXTP08N50D2

    MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

    Littelfuse Inc.

    2,515
    IXTP08N50D2

    Техническая документация

    Depletion TO-220-3 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 800mA (Tc) - 4.6Ohm @ 400mA, 0V - 12.7 nC @ 5 V ±20V 312 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    Total 36322 Record«Prev1... 6263646566676869...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.