БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF6613TRPBF

    IRF6613TRPBF

    MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    8,349
    IRF6613TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MT Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 23A, 10V 2.25V @ 250µA 63 nC @ 4.5 V ±20V 5950 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MT
    NTP6412ANG

    NTP6412ANG

    MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB

    onsemi

    1,458
    NTP6412ANG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 58A (Tc) 10V 18.2mOhm @ 58A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    FQB19N20TM

    FQB19N20TM

    MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK

    onsemi

    2,224
    FQB19N20TM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 19.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.7A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    AOT410L

    AOT410L

    MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    988
    AOT410L

    Техническая документация

    SDMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta), 150A (Tc) 7V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 129 nC @ 10 V ±25V 7950 pF @ 50 V - 1.9W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    RSH070P05GZETB

    RSH070P05GZETB

    MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    6,100
    RSH070P05GZETB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 7A (Ta) 4V, 10V 27mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 47.6 nC @ 5 V ±20V 4100 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SI7110DN-T1-GE3

    SI7110DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    5,255
    SI7110DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 13.5A (Ta) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 21.1A, 10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    R6006KND3TL1

    R6006KND3TL1

    MOSFET N-CH 600V 6A TO252

    Rohm Semiconductor

    2,633
    R6006KND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 830mOhm @ 3A, 10V 5.5V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IRFI9Z14GPBF

    IRFI9Z14GPBF

    MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3

    Vishay Siliconix

    1,760
    IRFI9Z14GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.2A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRFI510GPBF

    IRFI510GPBF

    MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3

    Vishay Siliconix

    919
    IRFI510GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Tc) 10V 540mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STD7NM60N

    STD7NM60N

    MOSFET N-CH 600V 5A DPAK

    STMicroelectronics

    11,162
    STD7NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±25V 363 pF @ 50 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TSM7ND60CI

    TSM7ND60CI

    MOSFET N-CH 600V 7A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,945
    TSM7ND60CI

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 3.8V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±30V 1108 pF @ 50 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    SUD35N10-26P-GE3

    SUD35N10-26P-GE3

    MOSFET N-CH 100V 35A TO252

    Vishay Siliconix

    1,914
    SUD35N10-26P-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 7V, 10V 26mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 12 V - 8.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    R6015KNX

    R6015KNX

    MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    454
    R6015KNX

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    CSD18512Q5BT

    CSD18512Q5BT

    MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON

    Texas Instruments

    350
    CSD18512Q5BT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 211A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±20V 7120 pF @ 20 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    IXTP60N10T

    IXTP60N10T

    MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    255
    IXTP60N10T

    Техническая документация

    Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 18mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 50µA 49 nC @ 10 V ±30V 2650 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NP75N04YLG-E1-AY

    NP75N04YLG-E1-AY

    ABU / MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    2,929
    NP75N04YLG-E1-AY

    Техническая документация

    - 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Ta) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 38A, 10V 2.5V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 138W (Ta) 175°C - - Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
    SIHB11N80AE-GE3

    SIHB11N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK

    Vishay Siliconix

    972
    SIHB11N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 804 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6520KNX3C16

    R6520KNX3C16

    650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

    Rohm Semiconductor

    865
    R6520KNX3C16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @9.5A, 10V 5V @ 630µA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 220W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    CSD18511KTTT

    CSD18511KTTT

    MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK

    Texas Instruments

    554
    CSD18511KTTT

    Техническая документация

    NexFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Ta), 194A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 2.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 5940 pF @ 20 V - 188W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
    STD6N80K5

    STD6N80K5

    MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK

    STMicroelectronics

    10,455
    STD6N80K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 7.5 nC @ 10 V 30V 255 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    Total 36322 Record«Prev1... 5960616263646566...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.