БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AOD11S60

    AOD11S60

    MOSFET N-CH 600V 11A TO252

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    10,126
    AOD11S60

    Техническая документация

    aMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 399mOhm @ 3.8A, 10V 4.1V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 545 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    IXTP80N10T

    IXTP80N10T

    MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    9,910
    IXTP80N10T

    Техническая документация

    Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 14mOhm @ 25A, 10V 5V @ 100µA 60 nC @ 10 V ±20V 3040 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FDMS007N08LC

    FDMS007N08LC

    MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN

    onsemi

    5,456
    FDMS007N08LC

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 14A (Ta), 84A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 21A, 10V 2.5V @ 120µA 46 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 40 V - 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    STL90N10F7

    STL90N10F7

    MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    1,889
    STL90N10F7

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 10.5mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 50 V - 5W (Ta), 100W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    IPP032N06N3GXKSA1

    IPP032N06N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

    Infineon Technologies

    1,626
    IPP032N06N3GXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 118µA 165 nC @ 10 V ±20V 13000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    STP5NK52ZD

    STP5NK52ZD

    MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220AB

    STMicroelectronics

    1,321
    STP5NK52ZD

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 520 V 4.4A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 50µA 16.9 nC @ 10 V ±30V 529 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IQE006NE2LM5CGATMA1

    IQE006NE2LM5CGATMA1

    MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN

    Infineon Technologies

    9,485
    IQE006NE2LM5CGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) - 0.65mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 82.1 nC @ 10 V ±16V 5453 pF @ 12 V - 2.1W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-1
    SI4488DY-T1-E3

    SI4488DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO

    Vishay Siliconix

    4,291
    SI4488DY-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 3.5A (Ta) 10V 50mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA (Min) 36 nC @ 10 V ±20V - - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    STD8NM50N

    STD8NM50N

    MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

    STMicroelectronics

    3,272
    STD8NM50N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±25V 364 pF @ 50 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NP36P06KDG-E1-AY

    NP36P06KDG-E1-AY

    MOSFET P-CH 60V 36A TO263

    Renesas Electronics Corporation

    2,712
    NP36P06KDG-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 29.5mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 54 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 10 V - 1.8W (Ta), 56W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
    IPA60R180P7XKSA1

    IPA60R180P7XKSA1

    MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220

    Infineon Technologies

    696
    IPA60R180P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 280µA 25 nC @ 10 V ±20V 1081 pF @ 400 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    RCX220N25

    RCX220N25

    MOSFET N-CH 250V 22A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    500
    RCX220N25

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 22A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±30V 3200 pF @ 25 V - 2.23W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    RCX100N25

    RCX100N25

    MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    387
    RCX100N25

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 10A (Ta) 10V - - - ±30V - - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    FDMC8321LDC

    FDMC8321LDC

    MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33

    onsemi

    6,231
    FDMC8321LDC

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 108A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 27A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 3965 pF @ 20 V - 2.9W (Ta), 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Dual Cool ™ 33
    SIR846ADP-T1-GE3

    SIR846ADP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,900
    SIR846ADP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 6V, 10V 7.8mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 50 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIR870ADP-T1-RE3

    SIR870ADP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,583
    SIR870ADP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 6.6mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 2866 pF @ 50 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STB13N60M2

    STB13N60M2

    MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

    STMicroelectronics

    7,590
    STB13N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 580 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STP6NK60Z

    STP6NK60Z

    MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB

    STMicroelectronics

    1,841
    STP6NK60Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 100µA 46 nC @ 10 V ±30V 905 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPP040N08NF2SAKMA1

    IPP040N08NF2SAKMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    729
    IPP040N08NF2SAKMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 22A (Ta), 115A (Tc) 6V, 10V 4mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 85µA 81 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    PJMP210N65EC_T0_00601

    PJMP210N65EC_T0_00601

    650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI

    Panjit International Inc.

    700
    PJMP210N65EC_T0_00601

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 19A (Tc) 10V 210mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V 1412 pF @ 400 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
    Total 36322 Record«Prev1... 6162636465666768...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.