БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IAUA180N04S5N012AUMA1

    IAUA180N04S5N012AUMA1

    MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1

    Infineon Technologies

    3,375
    IAUA180N04S5N012AUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 7V, 10V 1.2mOhm @ 90A, 10V 3.4V @ 70µA 100 nC @ 10 V ±20V 6158 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-2
    SI4490DY-T1-E3

    SI4490DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO

    Vishay Siliconix

    2,029
    SI4490DY-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.85A (Ta) 6V, 10V 80mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA (Min) 42 nC @ 10 V ±20V - - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AOTF66616L

    AOTF66616L

    MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    2,007
    AOTF66616L

    Техническая документация

    AlphaSGT™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 38A (Ta), 72.5A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 2870 pF @ 30 V - 8.3W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    SIHP15N50E-BE3

    SIHP15N50E-BE3

    N-CHANNEL 500V

    Vishay Siliconix

    1,829
    SIHP15N50E-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14.5A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±30V 1162 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    STD70N10F4

    STD70N10F4

    MOSFET N-CH 100V 60A DPAK

    STMicroelectronics

    1,595
    STD70N10F4

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 19.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 5800 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FCD360N65S3R0

    FCD360N65S3R0

    MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

    onsemi

    1,490
    FCD360N65S3R0

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SQM50034EL_GE3

    SQM50034EL_GE3

    MOSFET N-CH 60V 100A TO263

    Vishay Siliconix

    460
    SQM50034EL_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPA95R450PFD7XKSA1

    IPA95R450PFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3

    Infineon Technologies

    161
    IPA95R450PFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 7.2A (Tc) 10V 450mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 43 nC @ 10 V ±20V 1230 pF @ 400 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-313
    IPA80R650CEXKSA2

    IPA80R650CEXKSA2

    MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F

    Infineon Technologies

    153
    IPA80R650CEXKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Ta) 10V 650mOhm @ 5.1A, 10V 3.9V @ 470µA 45 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 33W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3F
    IRF830ASPBF

    IRF830ASPBF

    MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

    Vishay Siliconix

    138
    IRF830ASPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STD18NF25

    STD18NF25

    MOSFET N-CH 250V 17A DPAK

    STMicroelectronics

    9,193
    STD18NF25

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 17A (Tc) 10V 165mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 29.5 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    PSMN1R0-30YLEX

    PSMN1R0-30YLEX

    PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK

    Nexperia USA Inc.

    4,500
    PSMN1R0-30YLEX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 275A (Tc) 7V, 10V 1.11mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 2mA 119 nC @ 10 V ±20V 7389 pF @ 15 V - 224W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IRFS7537TRLPBF

    IRFS7537TRLPBF

    MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK

    Infineon Technologies

    860
    IRFS7537TRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 173A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 150µA 210 nC @ 10 V ±20V 7020 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPP65R190CFD7AAKSA1

    IPP65R190CFD7AAKSA1

    MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

    Infineon Technologies

    688
    IPP65R190CFD7AAKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) - 190mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1291 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3
    XPW4R10ANB,L1XHQ

    XPW4R10ANB,L1XHQ

    MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101

    Toshiba Semiconductor and Storage

    15,374
    XPW4R10ANB,L1XHQ

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A 6V, 10V 4.1mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±20V 4970 pF @ 10 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DSOP Advance
    BSZ0500NSIATMA1

    BSZ0500NSIATMA1

    MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON

    Infineon Technologies

    9,817
    BSZ0500NSIATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
    FDS86141

    FDS86141

    MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC

    onsemi

    7,110
    FDS86141

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7A (Ta) 6V, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 934 pF @ 50 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NVD5C446NT4G

    NVD5C446NT4G

    MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK

    onsemi

    4,883
    NVD5C446NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 22A (Ta), 105A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 34.3 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 66W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    STF6N90K5

    STF6N90K5

    MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP

    STMicroelectronics

    286
    STF6N90K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA - ±30V - - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    PSMN1R0-30YLC,115

    PSMN1R0-30YLC,115

    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    25,561
    PSMN1R0-30YLC,115

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 25A, 10V 1.95V @ 1mA 103.5 nC @ 10 V ±20V 6645 pF @ 15 V - 272W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    Total 36322 Record«Prev1... 6061626364656667...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.