БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STD7N80K5

    STD7N80K5

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

    STMicroelectronics

    11,891
    STD7N80K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 13.4 nC @ 10 V ±30V 360 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    RJK1052DPB-00#J5

    RJK1052DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    6,572
    RJK1052DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 10A, 10V - 29 nC @ 4.5 V ±20V 4160 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    ISC012N04NM6ATMA1

    ISC012N04NM6ATMA1

    TRENCH <= 40V PG-TDSON-8

    Infineon Technologies

    13,858
    ISC012N04NM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 36A (Ta), 232A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2.8V @ 747µA 64 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 20 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
    SI4434ADY-T1-GE3

    SI4434ADY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO

    Vishay Siliconix

    9,208
    SI4434ADY-T1-GE3

    Техническая документация

    ThunderFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) 7.5V, 10V 150mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 125 V - 2.9W (Ta), 6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF620SPBF

    IRF620SPBF

    MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

    Vishay Siliconix

    847
    IRF620SPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.2A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 3W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFZ44PBF-BE3

    IRFZ44PBF-BE3

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    680
    IRFZ44PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPP50R190CEXKSA1

    IPP50R190CEXKSA1

    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    495
    IPP50R190CEXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18.5A (Tc) 13V 190mOhm @ 6.2A, 13V 3.5V @ 510µA 47.2 nC @ 10 V ±20V 1137 pF @ 100 V - 127W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPA95R750P7XKSA1

    IPA95R750P7XKSA1

    MOSFET N-CH 950V 9A TO220

    Infineon Technologies

    429
    IPA95R750P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 9A (Tc) 10V 750mOhm @ 4.5A, 10V 3.5V @ 220µA 23 nC @ 10 V ±20V 712 pF @ 400 V - 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPB018N06NF2SATMA1

    IPB018N06NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    243
    IPB018N06NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 34A (Ta), 187A (Tc) 6V, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 129µA 162 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IRF9640PBF-BE3

    IRF9640PBF-BE3

    MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB

    Vishay Siliconix

    135
    IRF9640PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IXFQ20N50P3

    IXFQ20N50P3

    MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

    IXYS

    294
    IXFQ20N50P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 300mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1.5mA 36 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    RS3E130ATTB1

    RS3E130ATTB1

    PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3

    Rohm Semiconductor

    7,111
    RS3E130ATTB1

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 13A, 10V 2.5V @ 2mA 83 nC @ 10 V ±20V 3730 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FDMC8360L

    FDMC8360L

    MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33

    onsemi

    6,051
    FDMC8360L

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 27A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 5795 pF @ 20 V - 2.3W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
    STU6N95K5

    STU6N95K5

    MOSFET N-CH 950V 9A IPAK

    STMicroelectronics

    2,563
    STU6N95K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 9A (Tc) 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 13 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    NTD5C632NLT4G

    NTD5C632NLT4G

    T6 60V LL DPAK

    onsemi

    2,225
    NTD5C632NLT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Ta), 155A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 250µA 34 nC @ 4.5 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 4W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    BUK9Y4R8-60E,115

    BUK9Y4R8-60E,115

    MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    14,699
    BUK9Y4R8-60E,115

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 5V 4.1mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 50 nC @ 5 V ±10V 7853 pF @ 25 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    FDD86326

    FDD86326

    MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK

    onsemi

    9,450
    FDD86326

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8A (Ta), 37A (Tc) 6V, 10V 23mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 1035 pF @ 50 V - 3.1W (Ta), 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IPB35N10S3L26ATMA1

    IPB35N10S3L26ATMA1

    MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,411
    IPB35N10S3L26ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 26.3mOhm @ 35A, 10V 2.4V @ 39µA 39 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
    FDB2572

    FDB2572

    MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB

    onsemi

    1,015
    FDB2572

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4A (Ta), 29A (Tc) 6V, 10V 54mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPP015N04NF2SAKMA1

    IPP015N04NF2SAKMA1

    TRENCH PG-TO220-3

    Infineon Technologies

    797
    IPP015N04NF2SAKMA1

    Техническая документация

    * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 5657585960616263...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.