БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      PSMN1R7-40YLDX

      PSMN1R7-40YLDX

      MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 8,342
      Запрос на предложение
      		PSMN1R7-40YLDX

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 25A, 10V 2.05V @ 1mA 109 nC @ 10 V ±20V 7966 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      FDMC86340

      FDMC86340

      MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33

      onsemi

      		 5,281
      Запрос на предложение
      		FDMC86340

      Техническая документация

             		PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 14A (Ta), 48A (Tc) 8V, 10V 6.5mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V 3885 pF @ 40 V - 2.3W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
      IRFR9024TRLPBF

      IRFR9024TRLPBF

      MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

      Vishay Siliconix

      		 3,232
      Запрос на предложение
      		IRFR9024TRLPBF

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      SQ4425EY-T1_BE3

      SQ4425EY-T1_BE3

      MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC

      Vishay Siliconix

      		 2,673
      Запрос на предложение
      		SQ4425EY-T1_BE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 13A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 3630 pF @ 25 V - 6.8W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
      VP2206N3-G-P003

      VP2206N3-G-P003

      MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

      Microchip Technology

      		 2,228
      Запрос на предложение
      		VP2206N3-G-P003

      Техническая документация

             		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 640mA (Tj) 5V, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 3.5V @ 10mA - ±20V 450 pF @ 25 V - 740mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
      RS1E281BNTB1

      RS1E281BNTB1

      MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP

      Rohm Semiconductor

      		 909
      Запрос на предложение
      		RS1E281BNTB1

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 28A, 10V 2.5V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
      IPB050N10NF2SATMA1

      IPB050N10NF2SATMA1

      TRENCH >=100V

      Infineon Technologies

      		 727
      Запрос на предложение
      		IPB050N10NF2SATMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 103A (Tc) 6V, 10V 5.05mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 85µA 76 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 50 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
      IAUC120N04S6N010ATMA1

      IAUC120N04S6N010ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34

      Infineon Technologies

      		 14,844
      Запрос на предложение
      		IAUC120N04S6N010ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 6 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 150A (Tc) 7V, 10V 1.03mOhm @ 60A, 10V 3V @ 90µA 108 nC @ 10 V ±20V 6878 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-34
      IAUC120N04S6L009ATMA1

      IAUC120N04S6L009ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34

      Infineon Technologies

      		 12,119
      Запрос на предложение
      		IAUC120N04S6L009ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 6 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 960mOhm @ 60A, 10V 2V @ 90µA 128 nC @ 10 V ±16V 7806 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-34
      BUK969R0-60E,118

      BUK969R0-60E,118

      MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

      Nexperia USA Inc.

      		 5,111
      Запрос на предложение
      		BUK969R0-60E,118

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 5V 8mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 1mA 29.8 nC @ 5 V ±10V 4350 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
      IPD60R180P7ATMA1

      IPD60R180P7ATMA1

      MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 4,537
      Запрос на предложение
      		IPD60R180P7ATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 280µA 25 nC @ 10 V ±20V 1081 pF @ 400 V - 72W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      STB4NK60ZT4

      STB4NK60ZT4

      MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK

      STMicroelectronics

      		 4,327
      Запрос на предложение
      		STB4NK60ZT4

      Техническая документация

             		SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 50µA 26 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      SI4896DY-T1-GE3

      SI4896DY-T1-GE3

      MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 3,852
      Запрос на предложение
      		SI4896DY-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 6.7A (Ta) 6V, 10V 16.5mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA (Min) 41 nC @ 10 V ±20V - - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      STP2NK90Z

      STP2NK90Z

      MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB

      STMicroelectronics

      		 577
      Запрос на предложение
      		STP2NK90Z

      Техническая документация

             		SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 2.1A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.05A, 10V 4.5V @ 50µA 27 nC @ 10 V ±30V 485 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      IRFU430APBF

      IRFU430APBF

      MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA

      Vishay Siliconix

      		 391
      Запрос на предложение
      		IRFU430APBF

      Техническая документация

             		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.7Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
      IPB043N10NF2SATMA1

      IPB043N10NF2SATMA1

      AUTOMOTIVE MOSFET

      Infineon Technologies

      		 194
      Запрос на предложение
      		IPB043N10NF2SATMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 21A (Ta), 135A (Tc) 6V, 10V 4.35mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 93µA 85 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
      RD3U080CNTL1

      RD3U080CNTL1

      MOSFET N-CH 250V 8A TO252

      Rohm Semiconductor

      		 22,477
      Запрос на предложение
      		RD3U080CNTL1

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8A (Tc) 10V 300mOhm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±30V 1440 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
      MCB130N10YA-TP

      MCB130N10YA-TP

      N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

      Micro Commercial Co

      		 6,210
      Запрос на предложение
      		MCB130N10YA-TP

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 50 V - 260W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      AOB240L

      AOB240L

      MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 4,214
      Запрос на предложение
      		AOB240L

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta), 105A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 3510 pF @ 20 V - 1.9W (Ta), 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IPD040N08NF2SATMA1

      IPD040N08NF2SATMA1

      MOSFET

      Infineon Technologies

      		 3,249
      Запрос на предложение
      		IPD040N08NF2SATMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 20A (Ta), 129A (Tc) 6V, 10V 4mOhm @ 70A, 10V 3.8V @ 85µA 81 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 40 V - 3W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      Total 36322 Record«Prev1... 5354555657585960...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]