БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVTFS5C670NLWFTAG

    NVTFS5C670NLWFTAG

    MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN

    onsemi

    877
    NVTFS5C670NLWFTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16A (Ta), 70A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 35A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    IPP12CN10LGXKSA1

    IPP12CN10LGXKSA1

    MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3

    Infineon Technologies

    107
    IPP12CN10LGXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 69A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 69A, 10V 2.4V @ 83µA 58 nC @ 10 V ±20V 5600 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IRFU4615PBF

    IRFU4615PBF

    MOSFET N-CH 150V 33A IPAK

    Infineon Technologies

    6,390
    IRFU4615PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    BSC014N04LSTATMA1

    BSC014N04LSTATMA1

    MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON

    Infineon Technologies

    5,834
    BSC014N04LSTATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 33A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 6020 pF @ 20 V - 3W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
    2SJ601-ZK-E1-AZ

    2SJ601-ZK-E1-AZ

    MP-3ZK

    Renesas Electronics Corporation

    3,832
    2SJ601-ZK-E1-AZ

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 36A (Tc) 4V, 10V 31mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 63 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 10 V - 1W (Ta), 65W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
    TSM042N03CS RLG

    TSM042N03CS RLG

    MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP

    Taiwan Semiconductor Corporation

    14,177
    TSM042N03CS RLG

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 7W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    BSC0500NSIATMA1

    BSC0500NSIATMA1

    MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON

    Infineon Technologies

    9,020
    BSC0500NSIATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
    IRFI9620GPBF

    IRFI9620GPBF

    MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3

    Vishay Siliconix

    5,361
    IRFI9620GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 15 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    MCAC95N06Y-TP

    MCAC95N06Y-TP

    MOSFET N-CH 60 95A DFN5060

    Micro Commercial Co

    3,322
    MCAC95N06Y-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 95A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 5950 pF @ 25 V - 120W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
    RH6P040BHTB1

    RH6P040BHTB1

    NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    5,298
    RH6P040BHTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 6V, 10V 15.6mOhm @ 40A, 10V 4V @ 1mA 16.7 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 50 V - 59W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    HUF76429S3ST

    HUF76429S3ST

    MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

    onsemi

    3,090
    HUF76429S3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 47A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 47A, 10V 3V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±16V 1480 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STB18NF25

    STB18NF25

    MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK

    STMicroelectronics

    2,296
    STB18NF25

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 17A (Tc) 10V 165mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 29.5 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STB80N4F6AG

    STB80N4F6AG

    MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

    STMicroelectronics

    935
    STB80N4F6AG

    Техническая документация

    STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 6mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    PSMN2R6-40YS,115

    PSMN2R6-40YS,115

    MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    96,777
    PSMN2R6-40YS,115

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 63 nC @ 10 V ±20V 3776 pF @ 12 V - 131W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    SI7110DN-T1-E3

    SI7110DN-T1-E3

    MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    5,900
    SI7110DN-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 13.5A (Ta) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 21.1A, 10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    IPB037N06N3GATMA1

    IPB037N06N3GATMA1

    MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,275
    IPB037N06N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 98 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    SI4430BDY-T1-E3

    SI4430BDY-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Vishay Siliconix

    1,590
    SI4430BDY-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IPP60R280P7XKSA1

    IPP60R280P7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

    Infineon Technologies

    370
    IPP60R280P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 280mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 190µA 18 nC @ 10 V ±20V 761 pF @ 400 V - 53W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    TK10A50W,S5X

    TK10A50W,S5X

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    Toshiba Semiconductor and Storage

    118
    TK10A50W,S5X

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9.7A (Ta) 10V 380mOhm @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 300 V - 30W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
    AOD380A60C

    AOD380A60C

    MOSFET N-CH 600V 11A TO252

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    7,698
    AOD380A60C

    Техническая документация

    aMOS5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 3.8V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 955 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 4950515253545556...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.