БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STD4N90K5

    STD4N90K5

    MOSFET N-CH 900V 3A DPAK

    STMicroelectronics

    4,299
    STD4N90K5

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3A (Tc) 10V 2.1Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 5.3 nC @ 10 V ±30V 173 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IPD65R380E6ATMA1

    IPD65R380E6ATMA1

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

    Infineon Technologies

    477
    IPD65R380E6ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    AOTF12N60L

    AOTF12N60L

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    343
    AOTF12N60L

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 2100 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    FDS8870

    FDS8870

    MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

    onsemi

    2,491
    FDS8870

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 4615 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF630STRLPBF

    IRF630STRLPBF

    MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,233
    IRF630STRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF630SPBF

    IRF630SPBF

    MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

    Vishay Siliconix

    944
    IRF630SPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    TPH8R80ANH,L1Q

    TPH8R80ANH,L1Q

    MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    29,285
    TPH8R80ANH,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Tc) 10V 8.8mOhm @ 16A, 10V 4V @ 500µA 33 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 50 V - 1.6W (Ta), 61W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    SI4114DY-T1-E3

    SI4114DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 20V 20A 8SO

    Vishay Siliconix

    10,990
    SI4114DY-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±16V 3700 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    PSMN1R7-30YL,115

    PSMN1R7-30YL,115

    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    2,278
    PSMN1R7-30YL,115

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 77.9 nC @ 10 V ±20V 5057 pF @ 12 V - 109W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    SISS5710DN-T1-GE3

    SISS5710DN-T1-GE3

    N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

    Vishay Siliconix

    5,707
    SISS5710DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 7.2A (Ta), 26.2A (Tc) 7.5V, 10V 31.5mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 770 pF @ 75 V - 4.1W (Ta), 54.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    SQJA78EP-T1_GE3

    SQJA78EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,797
    SQJA78EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 72A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 10A, 10V 3.3V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STP5N80K5

    STP5N80K5

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220

    STMicroelectronics

    1,304
    STP5N80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 5 nC @ 10 V ±30V 177 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NVMFS5C442NLAFT1G

    NVMFS5C442NLAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN

    onsemi

    1,182
    NVMFS5C442NLAFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 29A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    R6515KNX3C16

    R6515KNX3C16

    650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

    Rohm Semiconductor

    399
    R6515KNX3C16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 315mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 430µA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 161W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    BSP135H6906XTSA1

    BSP135H6906XTSA1

    MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

    Infineon Technologies

    14,161
    BSP135H6906XTSA1

    Техническая документация

    SIPMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 600 V 120mA (Ta) 0V, 10V 45Ohm @ 120mA, 10V 1V @ 94µA 4.9 nC @ 5 V ±20V 146 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOT223-4
    TSM160N10LCR RLG

    TSM160N10LCR RLG

    MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    10,449
    TSM160N10LCR RLG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 46A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 73 nC @ 10 V ±20V 4431 pF @ 50 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    IRFH5250TRPBF

    IRFH5250TRPBF

    MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN

    Infineon Technologies

    9,000
    IRFH5250TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 45A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 50A, 10V 2.35V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V 7174 pF @ 13 V - 3.6W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    FDMC7660DC

    FDMC7660DC

    MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33

    onsemi

    5,796
    FDMC7660DC

    Техническая документация

    Dual Cool™, PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 22A, 10V 2.5V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±20V 5170 pF @ 15 V - 3W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Dual Cool ™ 33
    FCD260N65S3

    FCD260N65S3

    MOSFET N-CH 650V 12A TO252

    onsemi

    2,325
    FCD260N65S3

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 260mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 1.2mA 24 nC @ 10 V ±30V 1010 pF @ 400 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    DMTH6004LPSQ-13

    DMTH6004LPSQ-13

    MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

    Diodes Incorporated

    1,925
    DMTH6004LPSQ-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 47.4 nC @ 4.5 V ±20V 4515 pF @ 30 V - 2.6W (Ta), 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI5060-8
    Total 36322 Record«Prev1... 4647484950515253...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.