БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFR1N60APBF

    IRFR1N60APBF

    MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

    Vishay Siliconix

    3,041
    IRFR1N60APBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.4A (Tc) 10V 7Ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 229 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FDPF18N20FT

    FDPF18N20FT

    MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

    onsemi

    1,950
    FDPF18N20FT

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±30V 1180 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    IRFU9214PBF

    IRFU9214PBF

    MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA

    Vishay Siliconix

    1,395
    IRFU9214PBF

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.7A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 220 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IRFZ20PBF-BE3

    IRFZ20PBF-BE3

    MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB

    Vishay Siliconix

    459
    IRFZ20PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 15A (Tc) - 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SISS32ADN-T1-GE3

    SISS32ADN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

    Vishay Siliconix

    12,776
    SISS32ADN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 17.4A (Ta), 63A (Tc) 7.5V, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 3.6V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 40 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    FCD4N60TM

    FCD4N60TM

    MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

    onsemi

    10,172
    FCD4N60TM

    Техническая документация

    SuperFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.9A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 16.6 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    BUK768R1-40E,118

    BUK768R1-40E,118

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    4,672
    BUK768R1-40E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 7.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 1730 pF @ 25 V - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    IPA95R1K2P7XKSA1

    IPA95R1K2P7XKSA1

    MOSFET N-CH 950V 6A TO220

    Infineon Technologies

    484
    IPA95R1K2P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 15 nC @ 10 V ±20V 478 pF @ 400 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    TPH8R008NH,L1Q

    TPH8R008NH,L1Q

    MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,924
    TPH8R008NH,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 34A (Tc) 10V 8mOhm @ 17A, 10V 4V @ 500µA 35 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 40 V - 1.6W (Ta), 61W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    IRFB7537PBF

    IRFB7537PBF

    MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,801
    IRFB7537PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 173A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 150µA 210 nC @ 10 V ±20V 7020 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFH7004TRPBF

    IRFH7004TRPBF

    MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN

    Infineon Technologies

    3,690
    IRFH7004TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ 8-VQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 6V, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 150µA 194 nC @ 10 V ±20V 6419 pF @ 25 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    IRFBE20PBF

    IRFBE20PBF

    MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB

    Vishay Siliconix

    1,480
    IRFBE20PBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

    MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

    STMicroelectronics

    1,354
    STD11N60DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 420mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±25V 614 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SQJ488EP-T1_BE3

    SQJ488EP-T1_BE3

    MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,700
    SQJ488EP-T1_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 7.1A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 978 pF @ 50 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJ488EP-T1_GE3

    SQJ488EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    3,878
    SQJ488EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 7.4A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 979 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJ403EP-T1_GE3

    SQJ403EP-T1_GE3

    MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    3,662
    SQJ403EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 109 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 15 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJ182EP-T1_GE3

    SQJ182EP-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    3,000
    SQJ182EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 210A (Tc) 10V 5mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±20V 5392 pF @ 25 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQR70090ELR_GE3

    SQR70090ELR_GE3

    MOSFET N-CH 100V 86A DPAK

    Vishay Siliconix

    1,788
    SQR70090ELR_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 86A (Tc) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    SUD70090E-GE3

    SUD70090E-GE3

    MOSFET N-CH 100V 50A TO252

    Vishay Siliconix

    1,418
    SUD70090E-GE3

    Техническая документация

    ThunderFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 50A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    RSS100N03HZGTB

    RSS100N03HZGTB

    NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS

    Rohm Semiconductor

    904
    RSS100N03HZGTB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4V, 10V 13.3mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 20 nC @ 5 V ±20V 1070 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    Total 36322 Record«Prev1... 4243444546474849...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.