БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PSMN2R0-30YL,115

    PSMN2R0-30YL,115

    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    20,294
    PSMN2R0-30YL,115

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 64 nC @ 10 V ±20V 3980 pF @ 12 V - 97W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    SI7322DN-T1-E3

    SI7322DN-T1-E3

    MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

    Vishay Siliconix

    18,590
    SI7322DN-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V - 10V 58mOhm @ 5.5A, 10V 4.4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    SQJ422EP-T1_BE3

    SQJ422EP-T1_BE3

    MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    8,765
    SQJ422EP-T1_BE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) - 3.4mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 5000 pF @ 20 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIR108DP-T1-RE3

    SIR108DP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK

    Vishay Siliconix

    5,760
    SIR108DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12.4A (Ta), 45A (Tc) 7.5V, 10V 13.5mOhm @ 10A, 10V 3.6V @ 250µA 41.5 nC @ 10 V ±20V 2060 pF @ 50 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMN2R5-40YLDX

    PSMN2R5-40YLDX

    MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    3,941
    PSMN2R5-40YLDX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V 2.05V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±20V 5583 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 147W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    STF10N60DM2

    STF10N60DM2

    MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,890
    STF10N60DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 530mOhm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 529 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPB80N06S4L07ATMA2

    IPB80N06S4L07ATMA2

    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    1,423
    IPB80N06S4L07ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 40µA 75 nC @ 10 V ±16V 5680 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3-2
    SUM90330E-GE3

    SUM90330E-GE3

    MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263

    Vishay Siliconix

    1,365
    SUM90330E-GE3

    Техническая документация

    ThunderFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 35.1A (Tc) 7.5V, 10V 37.5mOhm @ 12.2A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 1172 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FCD2250N80Z

    FCD2250N80Z

    MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK

    onsemi

    14,493
    FCD2250N80Z

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.6A (Tc) 10V 2.25Ohm @ 1.3A, 10V 4.5V @ 260µA 14 nC @ 10 V ±20V 585 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    NVMYS3D3N06CLTWG

    NVMYS3D3N06CLTWG

    MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK

    onsemi

    5,690
    NVMYS3D3N06CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2880 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    SISH106DN-T1-GE3

    SISH106DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK

    Vishay Siliconix

    5,606
    SISH106DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8SH Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±12V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
    SIJ438DP-T1-GE3

    SIJ438DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    17,379
    SIJ438DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.35mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 182 nC @ 10 V +20V, -16V 9400 pF @ 20 V - 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SI7820DN-T1-GE3

    SI7820DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    11,681
    SI7820DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.7A (Ta) 6V, 10V 240mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    SIR800ADP-T1-GE3

    SIR800ADP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK

    Vishay Siliconix

    8,954
    SIR800ADP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 50.2A (Ta), 177A (Tc) 2.5V, 10V 1.35mOhm @ 10A, 10V 1.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V +12V, -8V 3415 pF @ 10 V - 5W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SISS22DN-T1-GE3

    SISS22DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK

    Vishay Siliconix

    8,125
    SISS22DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 25A (Ta), 90.6A (Tc) 7.5V, 10V 4mOhm @ 15A, 10V 3.6V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1870 pF @ 30 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    IRFR1N60ATRPBF

    IRFR1N60ATRPBF

    MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

    Vishay Siliconix

    5,968
    IRFR1N60ATRPBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.4A (Tc) 10V 7Ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 229 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SISS46DN-T1-GE3

    SISS46DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK

    Vishay Siliconix

    5,918
    SISS46DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12.5A (Ta), 45.3A (Tc) 7.5V, 10V 12.8mOhm @ 10A, 10V 3.4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 2140 pF @ 50 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    SIJ494DP-T1-GE3

    SIJ494DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,350
    SIJ494DP-T1-GE3

    Техническая документация

    ThunderFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 36.8A (Tc) 7.5V, 10V 23.2mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1070 pF @ 75 V - 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRFR420ATRPBF

    IRFR420ATRPBF

    MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

    Vishay Siliconix

    4,787
    IRFR420ATRPBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.3A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 340 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SI4062DY-T1-GE3

    SI4062DY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO

    Vishay Siliconix

    3,980
    SI4062DY-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 32.1A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 3175 pF @ 30 V - 7.8W (Tc) - - - Surface Mount 8-SOIC
    Total 36322 Record«Prev1... 4142434445464748...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.