БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFB7540PBF

    IRFB7540PBF

    MOSFET N-CH 60V 110A TO220

    Infineon Technologies

    203
    IRFB7540PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 110A (Tc) 6V, 10V 5.1mOhm @ 65A, 10V 3.7V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V 4555 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPD50N06S2L13ATMA2

    IPD50N06S2L13ATMA2

    MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31

    Infineon Technologies

    4,787
    IPD50N06S2L13ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 12.7mOhm @ 34A, 10V 2V @ 80µA 69 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    RD3P100SNFRATL

    RD3P100SNFRATL

    MOSFET N-CH 100V 10A TO252

    Rohm Semiconductor

    1,851
    RD3P100SNFRATL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Ta) 4V, 10V 133mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    NTMFS5H419NLT1G

    NTMFS5H419NLT1G

    MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN

    onsemi

    1,340
    NTMFS5H419NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 29A (Ta), 155A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 20 V - 3.1W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SIJ470DP-T1-GE3

    SIJ470DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    680
    SIJ470DP-T1-GE3

    Техническая документация

    ThunderFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 58.8A (Tc) 7.5V, 10V 9.1mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 2050 pF @ 50 V - 5W (Ta), 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRF9Z10PBF

    IRF9Z10PBF

    MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

    Vishay Siliconix

    364
    IRF9Z10PBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIJ478DP-T1-GE3

    SIJ478DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    10,577
    SIJ478DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1855 pF @ 40 V - 5W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STL105N4LF7AG

    STL105N4LF7AG

    MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    10,540
    STL105N4LF7AG

    Техническая документация

    STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 105A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 11.5A, 10V 2.5V @ 250µA 23.3 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    PSMN1R5-30YLC,115

    PSMN1R5-30YLC,115

    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    4,811
    PSMN1R5-30YLC,115

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.55mOhm @ 25A, 10V 1.95V @ 1mA 65 nC @ 10 V ±20V 4044 pF @ 15 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    RJK0332DPB-01#J0

    RJK0332DPB-01#J0

    MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,500
    RJK0332DPB-01#J0

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 17.5A, 10V 2.5V @ 1mA 14 nC @ 4.5 V ±20V 2180 pF @ 10 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    NVMYS012N10MCLTWG

    NVMYS012N10MCLTWG

    PTNG 100V LL LFPAK4

    onsemi

    2,063
    NVMYS012N10MCLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 11.6A (Ta), 52A (Tc) 4.5V, 10V 12.2mOhm @ 14A, 10V 3V @ 77µA 19 nC @ 10 V ±20V 1338 pF @ 50 V - 3.6W (Ta), 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    IRFIZ14GPBF

    IRFIZ14GPBF

    MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3

    Vishay Siliconix

    758
    IRFIZ14GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8A (Tc) 10V 200mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTTFS010N10MCLTAG

    NTTFS010N10MCLTAG

    MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN

    onsemi

    597
    NTTFS010N10MCLTAG

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10.7A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 10.6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 85µA 30 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 50 V - 2.3W (Ta),52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    IPB057N06NATMA1

    IPB057N06NATMA1

    MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK

    Infineon Technologies

    395
    IPB057N06NATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Ta), 45A (Tc) 6V, 10V 5.7mOhm @ 45A, 10V 2.8V @ 36µA 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 30 V - 3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    TK90S06N1L,LXHQ

    TK90S06N1L,LXHQ

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,310
    TK90S06N1L,LXHQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Ta) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 500µA 81 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 10 V - 157W (Tc) 175°C - - Surface Mount DPAK+
    SQ4182EY-T1_GE3

    SQ4182EY-T1_GE3

    MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

    Vishay Siliconix

    7,500
    SQ4182EY-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 32A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 15 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    TPHR9203PL1,LQ

    TPHR9203PL1,LQ

    UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,098
    TPHR9203PL1,LQ

    Техническая документация

    U-MOSIX-H 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 0.92mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 500µA 81 nC @ 10 V ±20V 7540 pF @ 15 V - 960mW (Ta), 170W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
    RJK03M5DPA-00#J5A

    RJK03M5DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    5,970
    RJK03M5DPA-00#J5A

    Техническая документация

    - 8-WFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V - 10.4 nC @ 4.5 V ±20V 1890 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
    SQ4182EY-T1_BE3

    SQ4182EY-T1_BE3

    MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

    Vishay Siliconix

    5,646
    SQ4182EY-T1_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 32A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 15 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    SQ4184EY-T1_GE3

    SQ4184EY-T1_GE3

    MOSFET N-CH 40V 29A 8SOIC

    Vishay Siliconix

    4,533
    SQ4184EY-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 29A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 20 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    Total 36322 Record«Prev1... 3839404142434445...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.