БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      PSMN1R2-30YLDX

      PSMN1R2-30YLDX

      MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 118
      Запрос на предложение
      		PSMN1R2-30YLDX

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.24mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 4616 pF @ 15 V - 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      SIHP15N50E-GE3

      SIHP15N50E-GE3

      MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 11,356
      Запрос на предложение
      		SIHP15N50E-GE3

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14.5A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±30V 1162 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      BUK9Y3R0-40E,115

      BUK9Y3R0-40E,115

      MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 3,434
      Запрос на предложение
      		BUK9Y3R0-40E,115

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 5V 2.5mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 35.5 nC @ 5 V ±10V 5962 pF @ 25 V - 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      DMP4011SPSQ-13

      DMP4011SPSQ-13

      MOSFET P-CH 40V PWRDI5060

      Diodes Incorporated

      		 1,440
      Запрос на предложение
      		DMP4011SPSQ-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 11.7A (Ta), 76A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 9.8A, 10V 2.5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V 2747 pF @ 20 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI5060-8
      IPD055N08NF2SATMA1

      IPD055N08NF2SATMA1

      MOSFET

      Infineon Technologies

      		 1,240
      Запрос на предложение
      		IPD055N08NF2SATMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 17A (Ta), 98A (Tc) 6V, 10V 5.5mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 55µA 54 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 40 V - 3W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      STF100N6F7

      STF100N6F7

      MOSFET N-CH 60V 46A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 750
      Запрос на предложение
      		STF100N6F7

      Техническая документация

             		STripFET™ F7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 46A (Tc) 10V 5.6mOhm @ 23A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1980 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      FDMS86540

      FDMS86540

      MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN

      onsemi

      		 27,443
      Запрос на предложение
      		FDMS86540

      Техническая документация

             		PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta), 50A (Tc) 8V, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 6435 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
      IPD30N08S2L21ATMA1

      IPD30N08S2L21ATMA1

      MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 19,366
      Запрос на предложение
      		IPD30N08S2L21ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 20.5mOhm @ 25A, 10V 2V @ 80µA 72 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      SPA06N80C3XKSA1

      SPA06N80C3XKSA1

      MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP

      Infineon Technologies

      		 11,995
      Запрос на предложение
      		SPA06N80C3XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 900mOhm @ 3.8A, 10V 3.9V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 785 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
      MSJU04N80A-TP

      MSJU04N80A-TP

      N-CHANNEL MOSFET,DPAK

      Micro Commercial Co

      		 4,682
      Запрос на предложение
      		MSJU04N80A-TP

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.5A 10V 1.3Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 11.5 nC @ 10 V ±20V 396 pF @ 100 V - 88W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      NP60N04VDK-E1-AY

      NP60N04VDK-E1-AY

      POWER TRS2

      Renesas Electronics Corporation

      		 4,426
      Запрос на предложение
      		NP60N04VDK-E1-AY

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.85mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 3680 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 105W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (MP-3ZP)
      BUK7M3R3-40HX

      BUK7M3R3-40HX

      MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33

      Nexperia USA Inc.

      		 1,584
      Запрос на предложение
      		BUK7M3R3-40HX

      Техническая документация

             		- SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 45 nC @ 10 V +20V, -10V 3037 pF @ 25 V - 101W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
      NTMFS5C628NT1G

      NTMFS5C628NT1G

      MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

      onsemi

      		 1,526
      Запрос на предложение
      		NTMFS5C628NT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 28A (Ta), 150A (Tc) 10V 3mOhm @ 27A, 10V 4V @ 135µA 34 nC @ 10 V ±20V 2630 pF @ 30 V - 3.7W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      IRFH5210TRPBF

      IRFH5210TRPBF

      MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN

      Infineon Technologies

      		 8,349
      Запрос на предложение
      		IRFH5210TRPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Ta), 55A (Tc) 10V 14.9mOhm @ 33A, 10V 4V @ 100µA 59 nC @ 10 V ±20V 2570 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
      IPI086N10N3GXKSA1

      IPI086N10N3GXKSA1

      MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 242
      Запрос на предложение
      		IPI086N10N3GXKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 6V, 10V 8.6mOhm @ 73A, 10V 3.5V @ 75µA 55 nC @ 10 V ±20V 3980 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
      TPH5R906NH,L1Q

      TPH5R906NH,L1Q

      MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 24,969
      Запрос на предложение
      		TPH5R906NH,L1Q

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 28A (Ta) 10V 5.9mOhm @ 14A, 10V 4V @ 300µA 38 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 30 V - 1.6W (Ta), 57W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
      STD3NK80ZT4

      STD3NK80ZT4

      MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

      STMicroelectronics

      		 6,975
      Запрос на предложение
      		STD3NK80ZT4

      Техническая документация

             		SuperMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.5A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1.25A, 10V 4.5V @ 50µA 19 nC @ 10 V ±30V 485 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      TK290P60Y,RQ

      TK290P60Y,RQ

      MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 3,958
      Запрос на предложение
      		TK290P60Y,RQ

      Техническая документация

             		DTMOSV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11.5A (Tc) 10V 290mOhm @ 5.8A, 10V 4V @ 450µA 25 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 300 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      IRFBE30PBF-BE3

      IRFBE30PBF-BE3

      MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 2,647
      Запрос на предложение
      		IRFBE30PBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) - 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      SISS80DN-T1-GE3

      SISS80DN-T1-GE3

      MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 11,696
      Запрос на предложение
      		SISS80DN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 2.5V, 10V 0.92mOhm @ 10A, 10V 1.5V @ 250µA 122 nC @ 10 V +12V, -8V 6450 pF @ 10 V - 5W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
      Total 36322 Record«Prev1... 4445464748495051...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]