БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    BSO301SPHXUMA1

    BSO301SPHXUMA1

    MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

    Infineon Technologies

    7,777
    BSO301SPHXUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12.6A (Ta) 4.5V, 10V 8mOhm @ 14.9A, 10V 2V @ 250µA 136 nC @ 10 V ±20V 5890 pF @ 25 V - 1.79W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    FDMC86320

    FDMC86320

    MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP

    onsemi

    5,078
    FDMC86320

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10.7A (Ta), 22A (Tc) 8V, 10V 11.7mOhm @ 10.7A, 10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 2640 pF @ 40 V - 2.3W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
    PSMN1R1-25YLC,115

    PSMN1R1-25YLC,115

    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    3,496
    PSMN1R1-25YLC,115

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 25A, 10V 1.95V @ 1mA 83 nC @ 10 V ±20V 5287 pF @ 12 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IRFR320PBF

    IRFR320PBF

    MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK

    Vishay Siliconix

    2,725
    IRFR320PBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.1A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    RSJ400N06FRATL

    RSJ400N06FRATL

    MOSFET N-CH 60V 40A LPTS

    Rohm Semiconductor

    1,093
    RSJ400N06FRATL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Ta) 10V 16mOhm @ 40A, 10V 3V @ 1mA 52 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 10 V - 50W (Ta) 150°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
    NP36P04SDG-E1-AY

    NP36P04SDG-E1-AY

    MOSFET P-CH 40V 36A TO252

    Renesas Electronics Corporation

    10,690
    NP36P04SDG-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 10 V - 1.2W (Ta), 56W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
    NVMFS4C05NT1G

    NVMFS4C05NT1G

    MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN

    onsemi

    2,641
    NVMFS4C05NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24.7A (Ta), 116A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1972 pF @ 15 V - 3.61W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NTMFS6H818NLT1G

    NTMFS6H818NLT1G

    MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN

    onsemi

    2,555
    NTMFS6H818NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 190µA 64 nC @ 10 V ±20V 3844 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SIR158DP-T1-RE3

    SIR158DP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    1,654
    SIR158DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen III PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 4980 pF @ 15 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    R6014YNXC7G

    R6014YNXC7G

    600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING

    Rohm Semiconductor

    1,051
    R6014YNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V, 12V 260mOhm @ 5A, 12V 6V @ 1.4mA 20 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 100 V - 54W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPB014N04NF2SATMA1

    IPB014N04NF2SATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    545
    IPB014N04NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 38A (Ta), 191A (Tc) 6V, 10V 1.45mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 126µA 159 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    PSMN013-100BS,118

    PSMN013-100BS,118

    MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    14,956
    PSMN013-100BS,118

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 68A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 3195 pF @ 50 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    SQJ850EP-T1_GE3

    SQJ850EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    8,244
    SQJ850EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 10.3A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1225 pF @ 30 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIHD12N50E-GE3

    SIHD12N50E-GE3

    MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK

    Vishay Siliconix

    2,939
    SIHD12N50E-GE3

    Техническая документация

    E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 10.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 100 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TA) - - Surface Mount DPAK
    SIHD11N80AE-GE3

    SIHD11N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA

    Vishay Siliconix

    2,659
    SIHD11N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 804 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    SIJ482DP-T1-GE3

    SIJ482DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,482
    SIJ482DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V 2.7V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 2425 pF @ 40 V - 5W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STF11N60DM2

    STF11N60DM2

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,903
    STF11N60DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 420mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±25V 614 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF720SPBF

    IRF720SPBF

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

    Vishay Siliconix

    435
    IRF720SPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.3A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF6775MTRPBF

    IRF6775MTRPBF

    MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    13,023
    IRF6775MTRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MZ Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V 5V @ 100µA 36 nC @ 10 V ±20V 1411 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MZ
    RJK0349DSP-01#J0

    RJK0349DSP-01#J0

    MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    5,000
    RJK0349DSP-01#J0

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 10A, 10V - 25 nC @ 4.5 V ±20V 3850 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    Total 36322 Record«Prev1... 4849505152535455...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.