БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      STU6N62K3

      STU6N62K3

      MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK

      STMicroelectronics

      		 14,990
      Запрос на предложение
      		STU6N62K3

      Техническая документация

             		SuperMESH3™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 5.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 4.5V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±30V 875 pF @ 50 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
      SI4630DY-T1-GE3

      SI4630DY-T1-GE3

      MOSFET N-CH 25V 40A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 4,946
      Запрос на предложение
      		SI4630DY-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 161 nC @ 10 V ±16V 6670 pF @ 15 V - 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      FDMS86520L

      FDMS86520L

      MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN

      onsemi

      		 4,584
      Запрос на предложение
      		FDMS86520L

      Техническая документация

             		PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 13.5A, 10V 3V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 4615 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
      SI4630DY-T1-E3

      SI4630DY-T1-E3

      MOSFET N-CH 25V 40A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 2,774
      Запрос на предложение
      		SI4630DY-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 161 nC @ 10 V ±16V 6670 pF @ 15 V - 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      IPL60R365P7AUMA1

      IPL60R365P7AUMA1

      MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON

      Infineon Technologies

      		 1,112
      Запрос на предложение
      		IPL60R365P7AUMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 365mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 140µA 13 nC @ 10 V ±20V 555 pF @ 400 V - 46W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
      STF12N50DM2

      STF12N50DM2

      MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 981
      Запрос на предложение
      		STF12N50DM2

      Техническая документация

             		MDmesh™ DM2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±25V 628 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      IRF9Z34SPBF

      IRF9Z34SPBF

      MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 145
      Запрос на предложение
      		IRF9Z34SPBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      SIR688DP-T1-GE3

      SIR688DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 1,258
      Запрос на предложение
      		SIR688DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 20A, 10V 2.7V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 3105 pF @ 30 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      AOB12N65L

      AOB12N65L

      MOSFET N-CH 650V 12A TO263

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 1,011
      Запрос на предложение
      		AOB12N65L

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 720mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±30V 2150 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IRF4104PBF

      IRF4104PBF

      MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 888
      Запрос на предложение
      		IRF4104PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      SIHD7N60E-GE3

      SIHD7N60E-GE3

      MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

      Vishay Siliconix

      		 134
      Запрос на предложение
      		SIHD7N60E-GE3

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 680 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      TK56A12N1,S4X

      TK56A12N1,S4X

      MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 118
      Запрос на предложение
      		TK56A12N1,S4X

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 56A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 28A, 10V 4V @ 1mA 69 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 60 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
      BSZ011NE2LS5IATMA1

      BSZ011NE2LS5IATMA1

      MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON

      Infineon Technologies

      		 14,434
      Запрос на предложение
      		BSZ011NE2LS5IATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 35A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±16V 3400 pF @ 12 V - 2.1W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-34
      MCP200N06Y-BP

      MCP200N06Y-BP

      N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)

      Micro Commercial Co

      		 2,553
      Запрос на предложение
      		MCP200N06Y-BP

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200A 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 4165 pF @ 25 V - 260W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (H)
      STP11NK40Z

      STP11NK40Z

      MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB

      STMicroelectronics

      		 1,003
      Запрос на предложение
      		STP11NK40Z

      Техническая документация

             		SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 9A (Tc) 10V 550mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 32 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      IPD90N10S406ATMA1

      IPD90N10S406ATMA1

      MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,170
      Запрос на предложение
      		IPD90N10S406ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 90A (Tc) 10V 6.7mOhm @ 90A, 10V 3.5V @ 90µA 68 nC @ 10 V ±20V 4870 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-313
      SIHP11N80AE-GE3

      SIHP11N80AE-GE3

      MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 831
      Запрос на предложение
      		SIHP11N80AE-GE3

      Техническая документация

             		E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 804 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IPA65R380E6XKSA1

      IPA65R380E6XKSA1

      MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP

      Infineon Technologies

      		 408
      Запрос на предложение
      		IPA65R380E6XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
      SQJ401EP-T1_GE3

      SQJ401EP-T1_GE3

      MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 294
      Запрос на предложение
      		SQJ401EP-T1_GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 32A (Tc) 2.5V, 4.5V 6mOhm @ 15A, 4.5V 1.5V @ 250µA 164 nC @ 4.5 V ±8V 10015 pF @ 6 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
      STF16N60M2

      STF16N60M2

      MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 132
      Запрос на предложение
      		STF16N60M2

      Техническая документация

             		MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±25V 700 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      Total 36322 Record«Prev1... 5556575859606162...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]