БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STL260N4F7

    STL260N4F7

    MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    2,187
    STL260N4F7

    Техническая документация

    STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.1mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 5000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    STB140NF55T4

    STB140NF55T4

    MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

    STMicroelectronics

    1,979
    STB140NF55T4

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 142 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IPA95R310PFD7XKSA1

    IPA95R310PFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 950V 8.7A TO220-3

    Infineon Technologies

    475
    IPA95R310PFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 8.7A (Tc) 10V 310mOhm @ 10.4A, 10V 3.5V @ 520µA 61 nC @ 10 V ±20V 1765 pF @ 400 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Through Hole PG-TO220-3-313
    NTP7D3N15MC

    NTP7D3N15MC

    MOSFET N-CH 150V 12.1/101A TO220

    onsemi

    354
    NTP7D3N15MC

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 12.1A (Ta), 101A (Tc) - 7.3mOhm @ 62A, 10V 4.5V @ 342µA 53 nC @ 10 V ±20V 4250 pF @ 75 V - 2.4W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTD360N80S3Z

    NTD360N80S3Z

    MOSFET N-CH 800V 13A DPAK

    onsemi

    4,938
    NTD360N80S3Z

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 360mOhm @ 6.5A, 10V 3.8V @ 300µA 25.3 nC @ 10 V ±20V 1143 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FCI7N60

    FCI7N60

    MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

    onsemi

    2,943
    FCI7N60

    Техническая документация

    SuperFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    IPL65R195C7AUMA1

    IPL65R195C7AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON

    Infineon Technologies

    1,137
    IPL65R195C7AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 195mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 290µA 23 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 400 V - 75W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    NVMFS5C628NLAFT1G

    NVMFS5C628NLAFT1G

    MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

    onsemi

    1,064
    NVMFS5C628NLAFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 28A (Ta), 150A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 135µA 52 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SIDR622DP-T1-GE3

    SIDR622DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK

    Vishay Siliconix

    5,894
    SIDR622DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 56.7A (Tc) 7.5V, 10V 17.7mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 1516 pF @ 75 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    STF20N65M5

    STF20N65M5

    MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP

    STMicroelectronics

    2,192
    STF20N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1345 pF @ 100 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPP019N08NF2SAKMA1

    IPP019N08NF2SAKMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    896
    IPP019N08NF2SAKMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 32A (Ta), 191A (Tc) 6V, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 194µA 186 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    NDP6060

    NDP6060

    MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3

    onsemi

    647
    NDP6060

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Tc) 10V 25mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 100W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTP165N65S3H

    NTP165N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    644
    NTP165N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 1.6mA 35 nC @ 10 V ±30V 1808 pF @ 400 V - 142W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STW18N60M2

    STW18N60M2

    MOSFET N-CH 600V 13A TO247

    STMicroelectronics

    417
    STW18N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±25V 791 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FDP032N08B-F102

    FDP032N08B-F102

    MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

    onsemi

    343
    FDP032N08B-F102

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 4.5V @ 250µA 144 nC @ 10 V ±20V 10965 pF @ 40 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    AOB66811L

    AOB66811L

    FET N CHANNEL 80V

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    51,691
    AOB66811L

    Техническая документация

    AlphaSGT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 44A (Ta), 140A (Tc) 8V, 10V 2.7mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5750 pF @ 40 V - 10W (Ta), 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SI7370DP-T1-GE3

    SI7370DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    1,854
    SI7370DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9.6A (Ta) 10V 11mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V - - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQM110N05-06L_GE3

    SQM110N05-06L_GE3

    MOSFET N-CH 55V 110A TO263

    Vishay Siliconix

    1,115
    SQM110N05-06L_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 4440 pF @ 25 V - 157W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPB80N06S2L06ATMA2

    IPB80N06S2L06ATMA2

    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    891
    IPB80N06S2L06ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 69A, 10V 2V @ 180µA 150 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    CSD17556Q5BT

    CSD17556Q5BT

    MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

    Texas Instruments

    632
    CSD17556Q5BT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 40A, 10V 1.65V @ 250µA 39 nC @ 4.5 V ±20V 7020 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 191W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    Total 36322 Record«Prev1... 7475767778798081...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.