БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STP18N65M5

    STP18N65M5

    MOSFET N-CH 650V 15A TO220

    STMicroelectronics

    883
    STP18N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 220mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1240 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SI7148DP-T1-GE3

    SI7148DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,261
    SI7148DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 28A (Tc) 10V 11mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 35 V - 5.4W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    FCP11N60

    FCP11N60

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

    onsemi

    1,629
    FCP11N60

    Техническая документация

    SuperFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1490 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FQB5N90TM

    FQB5N90TM

    MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK

    onsemi

    1,139
    FQB5N90TM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 5.4A (Tc) 10V 2.3Ohm @ 2.7A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1550 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 158W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STP2NK100Z

    STP2NK100Z

    MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB

    STMicroelectronics

    164
    STP2NK100Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.85A (Tc) 10V 8.5Ohm @ 900mA, 10V 4.5V @ 50µA 16 nC @ 10 V ±30V 499 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPL60R125P7AUMA1

    IPL60R125P7AUMA1

    MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON

    Infineon Technologies

    5,365
    IPL60R125P7AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Tc) 10V 125mOhm @ 8.2A, 10V 4V @ 410µA 36 nC @ 10 V ±20V 1544 pF @ 400 V - 111W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IRF3808STRLPBF

    IRF3808STRLPBF

    MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,847
    IRF3808STRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 106A (Tc) 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 5310 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    STB75NF75T4

    STB75NF75T4

    MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

    STMicroelectronics

    1,869
    STB75NF75T4

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    STB150NF55T4

    STB150NF55T4

    MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

    STMicroelectronics

    1,632
    STB150NF55T4

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF1405ZPBF

    IRF1405ZPBF

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    1,473
    IRF1405ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4780 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    STP28N65M2

    STP28N65M2

    MOSFET N-CH 650V 20A TO220

    STMicroelectronics

    948
    STP28N65M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1440 pF @ 100 V - 170W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STP100NF04

    STP100NF04

    MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

    STMicroelectronics

    466
    STP100NF04

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
    NTP011N15MC

    NTP011N15MC

    MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220

    onsemi

    237
    NTP011N15MC

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 9.8A (Ta), 74.3A (Tc) - 10.9mOhm @ 41A, 10V 4.5V @ 223µA 37 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 75 V - 2.4W (Ta), 136.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXTP28P065T

    IXTP28P065T

    MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    140
    IXTP28P065T

    Техническая документация

    TrenchP™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 28A (Tc) 10V 45mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±15V 2030 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STP7N105K5

    STP7N105K5

    MOSFET N-CH 1050V 4A TO220

    STMicroelectronics

    1,041
    STP7N105K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STF7N105K5

    STF7N105K5

    MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP

    STMicroelectronics

    970
    STF7N105K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPP80R280P7XKSA1

    IPP80R280P7XKSA1

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3

    Infineon Technologies

    466
    IPP80R280P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 36 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 500 V - 101W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPA80R280P7XKSA1

    IPA80R280P7XKSA1

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F

    Infineon Technologies

    299
    IPA80R280P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 36 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 500 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    IPP076N12N3GXKSA1

    IPP076N12N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

    Infineon Technologies

    194
    IPP076N12N3GXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 100A (Tc) 10V 7.6mOhm @ 100A, 10V 4V @ 130µA 101 nC @ 10 V ±20V 6640 pF @ 60 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPB019N08NF2SATMA1

    IPB019N08NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    161
    IPB019N08NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 166A (Tc) 6V, 10V 1.95mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 194µA 186 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 40 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    Total 36322 Record«Prev1... 7778798081828384...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.