БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF135S203

    IRF135S203

    MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3

    Infineon Technologies

    759
    IRF135S203

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 135 V 129A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 77A, 10V 4V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 9700 pF @ 50 V - 441W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    SIDR104AEP-T1-RE3

    SIDR104AEP-T1-RE3

    N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

    Vishay Siliconix

    8,048
    SIDR104AEP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 21.1A (Ta), 90.5A (Tc) 7.5V, 10V 6.1mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 50 V - 6.5W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    STF24N60DM2

    STF24N60DM2

    MOSFET N-CH 600V 18A TO220

    STMicroelectronics

    780
    STF24N60DM2

    Техническая документация

    FDmesh™ II Plus TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 200mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1055 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    R6011ENX

    R6011ENX

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    476
    R6011ENX

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    STW7N105K5

    STW7N105K5

    MOSFET N-CH 1050V 4A TO247

    STMicroelectronics

    367
    STW7N105K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SUM70040M-GE3

    SUM70040M-GE3

    MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7

    Vishay Siliconix

    1,290
    SUM70040M-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 7.5V, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SUP70090E-GE3

    SUP70090E-GE3

    MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    364
    SUP70090E-GE3

    Техническая документация

    ThunderFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 50A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SUP70040E-GE3

    SUP70040E-GE3

    MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

    Vishay Siliconix

    310
    SUP70040E-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 7.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SUP50020EL-GE3

    SUP50020EL-GE3

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

    Vishay Siliconix

    261
    SUP50020EL-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V 11113 pF @ 30 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    STB10LN80K5

    STB10LN80K5

    MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK

    STMicroelectronics

    890
    STB10LN80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±30V 427 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPI045N10N3GXKSA1

    IPI045N10N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

    Infineon Technologies

    844
    IPI045N10N3GXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 150µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    SUP70042E-GE3

    SUP70042E-GE3

    N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-

    Vishay Siliconix

    575
    SUP70042E-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6490 pF @ 50 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
    IAUS165N08S5N029ATMA1

    IAUS165N08S5N029ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8

    Infineon Technologies

    1,665
    IAUS165N08S5N029ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 165A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 108µA 90 nC @ 10 V ±20V 6370 pF @ 40 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-8-1
    IPA60R160P6XKSA1

    IPA60R160P6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP

    Infineon Technologies

    389
    IPA60R160P6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P6 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V 2080 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IRF3805PBF

    IRF3805PBF

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    1,658
    IRF3805PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V 7960 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPB65R190CFD7AATMA1

    IPB65R190CFD7AATMA1

    MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3

    Infineon Technologies

    962
    IPB65R190CFD7AATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) - 190mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1291 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
    BUK963R3-60E,118

    BUK963R3-60E,118

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    3,882
    BUK963R3-60E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 5V 3mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 95 nC @ 5 V ±10V 13490 pF @ 25 V - 293W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    STP240N10F7

    STP240N10F7

    MOSFET N-CH 100V 180A TO220

    STMicroelectronics

    9,232
    STP240N10F7

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 176 nC @ 10 V ±20V 12600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SUP60020E-GE3

    SUP60020E-GE3

    MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

    Vishay Siliconix

    500
    SUP60020E-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±20V 10680 pF @ 40 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FDPF17N60NT

    FDPF17N60NT

    MOSFET N-CH 600V 17A TO220F

    onsemi

    1,234
    FDPF17N60NT

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 340mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±30V 3040 pF @ 25 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    Total 36322 Record«Prev1... 7980818283848586...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.