БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RS6R060BHTB1

    RS6R060BHTB1

    NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    4,755
    RS6R060BHTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 60A (Tc) 6V, 10V 21.8mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±20V 2750 pF @ 75 V - 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    PSMN1R5-50YLHX

    PSMN1R5-50YLHX

    PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS

    Nexperia USA Inc.

    4,205
    PSMN1R5-50YLHX

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 200A (Tc) 4.5V, 10V 1.75mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 181 nC @ 10 V ±20V 11143 pF @ 25 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IXTP48N20T

    IXTP48N20T

    MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    938
    IXTP48N20T

    Техническая документация

    Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 48A (Tc) 10V 50mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 3000 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    EPC2069

    EPC2069

    GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE

    EPC

    7,700
    EPC2069

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V - - - - - +6V, -4V - - - - - - - -
    R8006KNXC7G

    R8006KNXC7G

    HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A

    Rohm Semiconductor

    766
    R8006KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Ta) 10V 900mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 4mA 22 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 100 V - 52W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPW80R280P7XKSA1

    IPW80R280P7XKSA1

    MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

    Infineon Technologies

    252
    IPW80R280P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 36 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 500 V - 101W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
    STP21N65M5

    STP21N65M5

    MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB

    STMicroelectronics

    2,110
    STP21N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1950 pF @ 100 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STP8NK80Z

    STP8NK80Z

    MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB

    STMicroelectronics

    1,006
    STP8NK80Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6.2A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 4.5V @ 100µA 46 nC @ 10 V ±30V 1320 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXTA200N055T2

    IXTA200N055T2

    MOSFET N-CH 55V 200A TO263

    Littelfuse Inc.

    609
    IXTA200N055T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 200A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 109 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    SUP70030E-GE3

    SUP70030E-GE3

    MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB

    Vishay Siliconix

    384
    SUP70030E-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 3.18mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 214 nC @ 10 V ±20V 10870 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IXFP12N65X2M

    IXFP12N65X2M

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220

    Littelfuse Inc.

    282
    IXFP12N65X2M

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 310mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 18.5 nC @ 10 V ±30V 1134 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    IRFP7537PBF

    IRFP7537PBF

    MOSFET N-CH 60V 172A TO247

    Infineon Technologies

    211
    IRFP7537PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 172A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 150µA 210 nC @ 10 V ±20V 7020 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IXFA4N100P

    IXFA4N100P

    MOSFET N-CH 1000V 4A TO263

    Littelfuse Inc.

    295
    IXFA4N100P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4A (Tc) 10V 3.3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1456 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
    FDMS030N06B

    FDMS030N06B

    MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN

    onsemi

    4,096
    FDMS030N06B

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22.1A (Ta), 100A (Tc) 10V 3mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 7560 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    IAUS200N08S5N023ATMA1

    IAUS200N08S5N023ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8

    Infineon Technologies

    484
    IAUS200N08S5N023ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 200A (Tc) 6V, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 130µA 110 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 40 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-8-1
    NVD5C434NT4G

    NVD5C434NT4G

    MOSFET N-CHANNEL 40V 163A DPAK

    onsemi

    2,089
    NVD5C434NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 163A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 80.6 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 25 V - 117W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    IXTP48P05T

    IXTP48P05T

    MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    302
    IXTP48P05T

    Техническая документация

    TrenchP™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 48A (Tc) 10V 30mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±15V 3660 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRF2804STRLPBF

    IRF2804STRLPBF

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,529
    IRF2804STRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    FDMC86340ET80

    FDMC86340ET80

    MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33

    onsemi

    1,325
    FDMC86340ET80

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 14A (Ta), 68A (Tc) 8V, 10V 6.5mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V 2775 pF @ 40 V - 2.8W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount Power33
    TK200F04N1L,LXGQ

    TK200F04N1L,LXGQ

    MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,016
    TK200F04N1L,LXGQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Ta) 6V, 10V 0.9mOhm @ 100A, 10V 3V @ 1mA 214 nC @ 10 V ±20V 14920 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
    Total 36322 Record«Prev1... 8283848586878889...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.