БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    XPN6R706NC,L1XHQ

    XPN6R706NC,L1XHQ

    MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    27,960
    XPN6R706NC,L1XHQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 35 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 840mW (Ta), 100W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
    BSZ0901NSATMA1

    BSZ0901NSATMA1

    MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON

    Infineon Technologies

    3,456
    BSZ0901NSATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2850 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8
    NTMFS1D7N03CGT1G

    NTMFS1D7N03CGT1G

    MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO

    onsemi

    1,500
    NTMFS1D7N03CGT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 170A (Tc) 10V 1.74mOhm @ 18A, 10V 2.2V @ 90µA 48 nC @ 10 V ±20V 3780 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SISS64DN-T1-GE3

    SISS64DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S

    Vishay Siliconix

    7,753
    SISS64DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 68 nC @ 10 V +20V, -16V 3420 pF @ 15 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    UPA2737GR-E1-AX

    UPA2737GR-E1-AX

    MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    7,500
    UPA2737GR-E1-AX

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 11A, 10V - 45 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

    MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON

    Texas Instruments

    6,684
    CSD25404Q3T

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 104A (Tc) 1.8V, 4.5V 6.5mOhm @ 10A, 4.5V 1.15V @ 250µA 14.1 nC @ 4.5 V ±12V 2120 pF @ 10 V - 2.8W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
    CSD17578Q3AT

    CSD17578Q3AT

    MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

    Texas Instruments

    4,164
    CSD17578Q3AT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 1.9V @ 250µA 22.2 nC @ 10 V ±20V 1590 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
    N0412N-S19-AY

    N0412N-S19-AY

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220

    Renesas Electronics Corporation

    2,833
    N0412N-S19-AY

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Ta) 10V 3.7mOhm @ 50A, 10V - 100 nC @ 10 V ±20V 5550 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 119W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    RQ7E100ATTCR

    RQ7E100ATTCR

    MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,388
    RQ7E100ATTCR

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 11.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 53 nC @ 10 V ±20V 2370 pF @ 15 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    STD20NF10T4

    STD20NF10T4

    MOSFET N CH 100V 25A DPAK

    STMicroelectronics

    1,995
    STD20NF10T4

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Tc) 10V 45mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    AOUS66416

    AOUS66416

    MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    899
    AOUS66416

    Техническая документация

    AlphaSGT™ 3-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 33A (Ta), 69A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2575 pF @ 20 V - 6.2W (Ta), 73.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount UltraSO-8™
    TN2640N3-G

    TN2640N3-G

    MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3

    Microchip Technology

    167
    TN2640N3-G

    Техническая документация

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 220mA (Tj) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 2mA - ±20V 225 pF @ 25 V - 740mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
    SQJ140ELP-T1_GE3

    SQJ140ELP-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    11,920
    SQJ140ELP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 253A (Tc) 4.5V, 10V 2.14mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 87 nC @ 10 V ±20V 4665 pF @ 25 V - 255W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIJA22DP-T1-GE3

    SIJA22DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK

    Vishay Siliconix

    4,810
    SIJA22DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 64A (Ta), 201A (Tc) - 0.74mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 125 nC @ 10 V +20V, -16V 6500 pF @ 15 V - 4.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRFR2405TRLPBF

    IRFR2405TRLPBF

    MOSFET N-CH 55V 56A DPAK

    Infineon Technologies

    3,334
    IRFR2405TRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 56A (Tc) 10V 16mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2430 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    CSD17579Q5AT

    CSD17579Q5AT

    MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

    Texas Instruments

    2,274
    CSD17579Q5AT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Ta) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 8A, 10V 2V @ 250µA 15.1 nC @ 10 V ±20V 1030 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
    FDMS8333L

    FDMS8333L

    MOSFET N CH 40V 22A POWER 56

    onsemi

    2,189
    FDMS8333L

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 22A (Ta), 76A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 22A, 10V 3V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 4545 pF @ 20 V - 2.5W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    DMT8008LFG-7

    DMT8008LFG-7

    MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333

    Diodes Incorporated

    980
    DMT8008LFG-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16A (Ta), 48A (Tc) 4.5V, 10V 6.9mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 37.7 nC @ 10 V ±20V 2254 pF @ 40 V - 1W (Ta), 23.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
    STF12N60M2

    STF12N60M2

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP

    STMicroelectronics

    947
    STF12N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 450mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±25V 538 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    BSC0901NSIATMA1

    BSC0901NSIATMA1

    MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON

    Infineon Technologies

    556
    BSC0901NSIATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 20 nC @ 15 V ±20V 2600 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
    Total 36322 Record«Prev1... 3031323334353637...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.