БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 357 103AT-11 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      SI4114DY-T1-GE3

      SI4114DY-T1-GE3

      MOSFET N-CH 20V 20A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 281,301
      Запрос на предложение
      		SI4114DY-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±16V 3700 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      PSMN4R0-40YS,115

      PSMN4R0-40YS,115

      MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 65,503
      Запрос на предложение
      		PSMN4R0-40YS,115

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 38 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 20 V - 106W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      SISS30ADN-T1-GE3

      SISS30ADN-T1-GE3

      MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 8,631
      Запрос на предложение
      		SISS30ADN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1295 pF @ 40 V - 4.8W (Ta), 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
      CSD17306Q5A

      CSD17306Q5A

      MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON

      Texas Instruments

      		 3,928
      Запрос на предложение
      		CSD17306Q5A

      Техническая документация

             		NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3V, 8V 3.7mOhm @ 22A, 8V 1.6V @ 250µA 15.3 nC @ 4.5 V +10V, -8V 2170 pF @ 15 V - 3.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
      IPD18DP10LMATMA1

      IPD18DP10LMATMA1

      TRENCH >=100V PG-TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,081
      Запрос на предложение
      		IPD18DP10LMATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.5A (Ta), 13.9A (Tc) 4.5V, 10V 178mOhm @ 13A, 10V 2V @ 1.04mA 42 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 50 V - 3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      ISZ0602NLSATMA1

      ISZ0602NLSATMA1

      MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON

      Infineon Technologies

      		 9,817
      Запрос на предложение
      		ISZ0602NLSATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 29µA 29 nC @ 10 V ±20V 1860 pF @ 40 V - 2.1W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-26
      ISZ019N03L5SATMA1

      ISZ019N03L5SATMA1

      MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON

      Infineon Technologies

      		 7,128
      Запрос на предложение
      		ISZ019N03L5SATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 15 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
      STD3N80K5

      STD3N80K5

      MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

      STMicroelectronics

      		 5,369
      Запрос на предложение
      		STD3N80K5

      Техническая документация

             		SuperMESH5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.5A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 9.5 nC @ 10 V ±30V 130 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      AOD600A70R

      AOD600A70R

      MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 4,607
      Запрос на предложение
      		AOD600A70R

      Техническая документация

             		aMOS5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 8.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      BUK9675-55A,118

      BUK9675-55A,118

      MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK

      Nexperia USA Inc.

      		 3,826
      Запрос на предложение
      		BUK9675-55A,118

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 10A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 643 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
      IRFR9220TRPBF-BE3

      IRFR9220TRPBF-BE3

      MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

      Vishay Siliconix

      		 3,132
      Запрос на предложение
      		IRFR9220TRPBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
      NVMFS5C677NLT1G

      NVMFS5C677NLT1G

      MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN

      onsemi

      		 2,694
      Запрос на предложение
      		NVMFS5C677NLT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Ta), 36A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2V @ 25µA 9.7 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.5W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      IPD096N08N3GATMA1

      IPD096N08N3GATMA1

      MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,463
      Запрос на предложение
      		IPD096N08N3GATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 73A (Tc) 6V, 10V 9.6mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 40 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IRFR9210PBF

      IRFR9210PBF

      MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

      Vishay Siliconix

      		 2,125
      Запрос на предложение
      		IRFR9210PBF

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.9A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      DMPH4015SPSQ-13

      DMPH4015SPSQ-13

      MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8

      Diodes Incorporated

      		 1,995
      Запрос на предложение
      		DMPH4015SPSQ-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 9.8A, 10V 2.5V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±25V 4234 pF @ 20 V - 2.6W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
      SIR418DP-T1-GE3

      SIR418DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 14,525
      Запрос на предложение
      		SIR418DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 20 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      IPD60R600C6ATMA1

      IPD60R600C6ATMA1

      MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 8,732
      Запрос на предложение
      		IPD60R600C6ATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ C6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      SIR696DP-T1-GE3

      SIR696DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 5,157
      Запрос на предложение
      		SIR696DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		ThunderFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 125 V 60A (Tc) 7.5V, 10V 11.5mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1410 pF @ 75 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI4160DY-T1-GE3

      SI4160DY-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 2,494
      Запрос на предложение
      		SI4160DY-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25.4A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 2071 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      TP0620N3-G

      TP0620N3-G

      MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3

      Microchip Technology

      		 791
      Запрос на предложение
      		TP0620N3-G

      Техническая документация

             		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 175mA (Tj) 5V, 10V 12Ohm @ 200mA, 10V 2.4V @ 1mA - ±20V 150 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
      Total 36322 Record«Prev1... 2930313233343536...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]