БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF530PBF-BE3

    IRF530PBF-BE3

    MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

    Vishay Siliconix

    644
    IRF530PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TPH7R506NH,L1Q

    TPH7R506NH,L1Q

    MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    25,501
    TPH7R506NH,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22A (Ta) 10V 7.5mOhm @ 11A, 10V 4V @ 300µA 31 nC @ 10 V ±20V 2320 pF @ 30 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    RXH090N03TB1

    RXH090N03TB1

    4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE

    Rohm Semiconductor

    1,520
    RXH090N03TB1

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta) 4V, 10V 17mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 6.8 nC @ 5 V ±20V 440 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
    FDPF3860T

    FDPF3860T

    MOSFET N-CH 100V 20A TO220F

    onsemi

    179
    FDPF3860T

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 10V 38.2mOhm @ 5.9A, 10V 4.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 33.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    TK7S10N1Z,LQ

    TK7S10N1Z,LQ

    MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,884
    TK7S10N1Z,LQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7A (Ta) 10V 48mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 100µA 7.1 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 10 V - 50W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    SIR464DP-T1-GE3

    SIR464DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,845
    SIR464DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 3545 pF @ 15 V - 5.2W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STP3NK90ZFP

    STP3NK90ZFP

    MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP

    STMicroelectronics

    379
    STP3NK90ZFP

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3A (Tc) 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 50µA 22.7 nC @ 10 V ±30V 590 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    BUK7Y12-55B,115

    BUK7Y12-55B,115

    MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    8,862
    BUK7Y12-55B,115

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 61.8A (Tc) 10V 12mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 35.2 nC @ 10 V ±20V 2067 pF @ 25 V - 105W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    CSD16327Q3T

    CSD16327Q3T

    MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON

    Texas Instruments

    5,980
    CSD16327Q3T

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 3V, 8V 4mOhm @ 24A, 8V 1.4V @ 250µA 8.4 nC @ 4.5 V +10V, -8V 1300 pF @ 12.5 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
    SIR4604LDP-T1-GE3

    SIR4604LDP-T1-GE3

    N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    5,326
    SIR4604LDP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15.6A (Ta), 51A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 1180 pF @ 30 V - 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJA66EP-T1_GE3

    SQJA66EP-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    2,816
    SQJA66EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 3mOhm @ 10A, 10V 3.3V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    CSD17577Q3AT

    CSD17577Q3AT

    MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

    Texas Instruments

    2,689
    CSD17577Q3AT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 16A, 10V 1.8V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 2310 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 53W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
    AON6268

    AON6268

    MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    16,512
    AON6268

    Техническая документация

    AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 44A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 2520 pF @ 30 V - 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TA) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    SQD10950E_GE3

    SQD10950E_GE3

    MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA

    Vishay Siliconix

    3,918
    SQD10950E_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 11.5A (Tc) 7.5V, 10V 162mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 785 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    STD5NK40ZT4

    STD5NK40ZT4

    MOSFET N-CH 400V 3A DPAK

    STMicroelectronics

    1,867
    STD5NK40ZT4

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 50µA 17 nC @ 10 V ±30V 305 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NVTFS4C10NWFTAG

    NVTFS4C10NWFTAG

    MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN

    onsemi

    1,120
    NVTFS4C10NWFTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15.3A (Ta), 47A (Tc) 4.5V, 10V 7.4mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 19.3 nC @ 10 V ±20V 993 pF @ 15 V - 3W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    TK4R3E06PL,S1X

    TK4R3E06PL,S1X

    MOSFET N-CH 60V 80A TO220

    Toshiba Semiconductor and Storage

    109
    TK4R3E06PL,S1X

    Техническая документация

    U-MOSIX-H TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 15A, 4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 nC @ 10 V ±20V 3280 pF @ 30 V - 87W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SIJ462ADP-T1-GE3

    SIJ462ADP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK

    Vishay Siliconix

    8,968
    SIJ462ADP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15.8A (Ta), 39.3A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1235 pF @ 30 V - 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SI4166DY-T1-GE3

    SI4166DY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO

    Vishay Siliconix

    7,780
    SI4166DY-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30.5A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 2730 pF @ 15 V - 3W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IPD60N10S412ATMA1

    IPD60N10S412ATMA1

    MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,719
    IPD60N10S412ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 12.2mOhm @ 60A, 10V 3.5V @ 46µA 34 nC @ 10 V ±20V 2470 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-313
    Total 36322 Record«Prev1... 3233343536373839...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.