БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      SI7421DN-T1-E3

      SI7421DN-T1-E3

      MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8

      Vishay Siliconix

      		 3,568
      Запрос на предложение
      		SI7421DN-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.4A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 9.8A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
      IRFR420APBF

      IRFR420APBF

      MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

      Vishay Siliconix

      		 1,695
      Запрос на предложение
      		IRFR420APBF

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.3A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 340 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      NVTFS6H850NLTAG

      NVTFS6H850NLTAG

      MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN

      onsemi

      		 878
      Запрос на предложение
      		NVTFS6H850NLTAG

      Техническая документация

             		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 14.8A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 10V 8.6mOhm @ 10A, 10V 2V @ 70µA 26 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 40 V - 3.9W (Ta), 73W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
      VN4012L-G

      VN4012L-G

      MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3

      Microchip Technology

      		 457
      Запрос на предложение
      		VN4012L-G

      Техническая документация

             		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 160mA (Tj) 4.5V 12Ohm @ 100mA, 4.5V 1.8V @ 1mA - ±20V 110 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
      TP2635N3-G

      TP2635N3-G

      MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3

      Microchip Technology

      		 344
      Запрос на предложение
      		TP2635N3-G

      Техническая документация

             		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 350 V 180mA (Tj) 2.5V, 10V 15Ohm @ 300mA, 10V 2V @ 1mA - ±20V 300 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
      SQJ850EP-T2_GE3

      SQJ850EP-T2_GE3

      N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

      Vishay Siliconix

      		 8,710
      Запрос на предложение
      		SQJ850EP-T2_GE3

      Техническая документация

             		- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 10.3A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1225 pF @ 30 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      IPD30N06S215ATMA2

      IPD30N06S215ATMA2

      MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

      Infineon Technologies

      		 6,559
      Запрос на предложение
      		IPD30N06S215ATMA2

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 14.7mOhm @ 30A, 10V 4V @ 80µA 110 nC @ 10 V ±20V 1485 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      IRFR014PBF

      IRFR014PBF

      MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

      Vishay Siliconix

      		 1,978
      Запрос на предложение
      		IRFR014PBF

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      STF2N80K5

      STF2N80K5

      MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 846
      Запрос на предложение
      		STF2N80K5

      Техническая документация

             		SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 3 nC @ 10 V 30V 95 pF @ 100 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      BSZ084N08NS5ATMA1

      BSZ084N08NS5ATMA1

      MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

      Infineon Technologies

      		 34,017
      Запрос на предложение
      		BSZ084N08NS5ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 40A (Tc) 6V, 10V 8.4mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 31µA 25 nC @ 10 V ±20V 1820 pF @ 40 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
      RQ3L090GNTB

      RQ3L090GNTB

      MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

      Rohm Semiconductor

      		 17,625
      Запрос на предложение
      		RQ3L090GNTB

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 13.9mOhm @ 9A, 10V 2.7V @ 300µA 24.5 nC @ 10 V ±20V 1260 pF @ 30 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
      SIS184DN-T1-GE3

      SIS184DN-T1-GE3

      MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 10,364
      Запрос на предложение
      		SIS184DN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) 7.5V, 10V 5.8mOhm @ 10A, 10V 3.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 1490 pF @ 30 V - 3.7W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
      TPH4R50ANH1,LQ

      TPH4R50ANH1,LQ

      MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,077
      Запрос на предложение
      		TPH4R50ANH1,LQ

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 92A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 46A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±20V 5200 pF @ 50 V - 800mW (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
      IPD80R750P7ATMA1

      IPD80R750P7ATMA1

      MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 4,134
      Запрос на предложение
      		IPD80R750P7ATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 500 V - 51W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IPD60R280PFD7SAUMA1

      IPD60R280PFD7SAUMA1

      MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,879
      Запрос на предложение
      		IPD60R280PFD7SAUMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ PFD7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 280mOhm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 180µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 656 pF @ 400 V - 51W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-344
      STP10N60M2

      STP10N60M2

      MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

      STMicroelectronics

      		 689
      Запрос на предложение
      		STP10N60M2

      Техническая документация

             		MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±25V 400 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      IPD22N08S2L50ATMA1

      IPD22N08S2L50ATMA1

      MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 9,994
      Запрос на предложение
      		IPD22N08S2L50ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 27A (Tc) 5V, 10V 50mOhm @ 50A, 10V 2V @ 31µA 33 nC @ 10 V ±20V 630 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
      PSMN2R0-30YLDX

      PSMN2R0-30YLDX

      MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 7,117
      Запрос на предложение
      		PSMN2R0-30YLDX

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±20V 2969 pF @ 15 V - 142W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      SI4090BDY-T1-GE3

      SI4090BDY-T1-GE3

      N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

      Vishay Siliconix

      		 7,063
      Запрос на предложение
      		SI4090BDY-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) 6V, 10V 10mOhm @ 12.2A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3570 pF @ 50 V - 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      IRF9530PBF-BE3

      IRF9530PBF-BE3

      MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 3,387
      Запрос на предложение
      		IRF9530PBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) - 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      Total 36322 Record«Prev1... 3334353637383940...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]