БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SI4425BDY-T1-E3

    SI4425BDY-T1-E3

    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO

    Vishay Siliconix

    1,347
    SI4425BDY-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.8A (Ta) 4.5V, 10V 12mOhm @ 11.4A, 10V 3V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    RQ3E180AJTB1

    RQ3E180AJTB1

    NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

    Rohm Semiconductor

    898
    RQ3E180AJTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2.5V, 4.5V 4.5mOhm @ 18A, 4.5V 1.5V @ 11mA 39 nC @ 4.5 V ±12V 4290 pF @ 15 V - 2W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    IRF9520PBF-BE3

    IRF9520PBF-BE3

    MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

    Vishay Siliconix

    699
    IRF9520PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) - 600mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRLR110PBF

    IRLR110PBF

    MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

    Vishay Siliconix

    210
    IRLR110PBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IPC100N04S5L1R9ATMA1

    IPC100N04S5L1R9ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

    Infineon Technologies

    74,418
    IPC100N04S5L1R9ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 2V @ 50µA 81 nC @ 10 V ±16V 4310 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-34
    BSC0502NSIATMA1

    BSC0502NSIATMA1

    MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON

    Infineon Technologies

    23,737
    BSC0502NSIATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 26A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
    MCAC60N10Y-TP

    MCAC60N10Y-TP

    MOSFET N-CH 100 60A DFN5060

    Micro Commercial Co

    15,799
    MCAC60N10Y-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A 10V 8.6mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 2431 pF @ 50 V - 88W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
    RQ3G150GNTB

    RQ3G150GNTB

    MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

    Rohm Semiconductor

    8,789
    RQ3G150GNTB

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 39A (Tc) 10V 7.2mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 11.6 nC @ 4.5 V ±20V 1450 pF @ 20 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    SQS140ENW-T1_GE3

    SQS140ENW-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    7,462
    SQS140ENW-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8SLW Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 214A (Tc) 10V 2.53mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V 3111 pF @ 25 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
    BUK9Y09-40B,115

    BUK9Y09-40B,115

    MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    2,707
    BUK9Y09-40B,115

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 5V, 10V 8mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 30 nC @ 5 V ±15V 2866 pF @ 25 V - 105.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IPD023N04NF2SATMA1

    IPD023N04NF2SATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    1,667
    IPD023N04NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 143A (Tc) 6V, 10V 2.3mOhm @ 70A, 10V 3.4V @ 81µA 102 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 20 V - 3W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    RCX080N25

    RCX080N25

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    637
    RCX080N25

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8A (Tc) 10V 600mOhm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±30V 840 pF @ 25 V - 2.23W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    RCX051N25

    RCX051N25

    MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    407
    RCX051N25

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 5A (Tc) 10V 1.36Ohm @ 2.5A, 10V 5.5V @ 1mA 8.5 nC @ 10 V ±30V 350 pF @ 25 V - 2.23W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    AON6482

    AON6482

    MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    4,401
    AON6482

    Техническая документация

    - 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.5A (Ta), 28A (Tc) 4.5V, 10V 37mOhm @ 10A, 10V 2.7V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    IRFR48ZTRPBF

    IRFR48ZTRPBF

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    4,233
    IRFR48ZTRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 50µA 60 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    STU2N80K5

    STU2N80K5

    MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

    STMicroelectronics

    3,049
    STU2N80K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 9.5 nC @ 10 V 30V 105 pF @ 100 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    PSMN016-100YS,115

    PSMN016-100YS,115

    MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    2,436
    PSMN016-100YS,115

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 51A (Tc) 10V 16.3mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 54 nC @ 10 V ±20V 2744 pF @ 50 V - 117W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    SQ4840CEY-T1_GE3

    SQ4840CEY-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    2,381
    SQ4840CEY-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20.7A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 20 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    FQPF2N80

    FQPF2N80

    MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

    onsemi

    787
    FQPF2N80

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.5A (Tc) 10V 6.3Ohm @ 750mA, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    VN2406L-G

    VN2406L-G

    MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3

    Microchip Technology

    1,271
    VN2406L-G

    Техническая документация

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240 V 190mA (Tj) 2.5V, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 1mA - ±20V 125 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
    Total 36322 Record«Prev1... 2728293031323334...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.