БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 357 103AT-11 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      NTMFS4C03NT1G

      NTMFS4C03NT1G

      MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN

      onsemi

      		 3,637
      Запрос на предложение
      		NTMFS4C03NT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 nC @ 10 V ±20V 3071 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      BUK7M6R0-40HX

      BUK7M6R0-40HX

      MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33

      Nexperia USA Inc.

      		 2,583
      Запрос на предложение
      		BUK7M6R0-40HX

      Техническая документация

             		- SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 6mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 1mA 28 nC @ 10 V +20V, -10V 1875 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
      IRF620PBF-BE3

      IRF620PBF-BE3

      MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 2,494
      Запрос на предложение
      		IRF620PBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.2A (Tc) - 800mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      DMTH6010SK3Q-13

      DMTH6010SK3Q-13

      MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252

      Diodes Incorporated

      		 2,291
      Запрос на предложение
      		DMTH6010SK3Q-13

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 10V 8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 38.1 nC @ 10 V ±20V 2841 pF @ 30 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252-3
      IRFU110PBF

      IRFU110PBF

      MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

      Vishay Siliconix

      		 1,736
      Запрос на предложение
      		IRFU110PBF

      Техническая документация

             		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
      STL50N6F7

      STL50N6F7

      MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT

      STMicroelectronics

      		 1,709
      Запрос на предложение
      		STL50N6F7

      Техническая документация

             		STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 10V 11mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 1035 pF @ 30 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
      NTMFS4C022NT1G

      NTMFS4C022NT1G

      MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN

      onsemi

      		 1,063
      Запрос на предложение
      		NTMFS4C022NT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 nC @ 10 V ±20V 3071 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      SI4168DY-T1-GE3

      SI4168DY-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 26,145
      Запрос на предложение
      		SI4168DY-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      SQ9407EY-T1_BE3

      SQ9407EY-T1_BE3

      MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC

      Vishay Siliconix

      		 12,036
      Запрос на предложение
      		SQ9407EY-T1_BE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 85mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1140 pF @ 30 V - 3.75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
      TSM60NC1R5CP ROG

      TSM60NC1R5CP ROG

      600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 10,345
      Запрос на предложение
      		TSM60NC1R5CP ROG

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1A, 10V 5.5V @ 1mA 8.1 nC @ 10 V ±20V 242 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      XPN12006NC,L1XHQ

      XPN12006NC,L1XHQ

      MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 9,542
      Запрос на предложение
      		XPN12006NC,L1XHQ

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 200µA 23 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 10 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
      SQJ418EP-T1_BE3

      SQJ418EP-T1_BE3

      N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

      Vishay Siliconix

      		 9,000
      Запрос на предложение
      		SQJ418EP-T1_BE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48A (Tc) 10V 14mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      TK65S04N1L,LXHQ

      TK65S04N1L,LXHQ

      MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 4,642
      Запрос на предложение
      		TK65S04N1L,LXHQ

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 32.5A, 10V 2.5V @ 300µA 39 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 107W (Tc) 175°C - - Surface Mount DPAK+
      NVF2955T1G

      NVF2955T1G

      MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

      onsemi

      		 2,636
      Запрос на предложение
      		NVF2955T1G

      Техническая документация

             		- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.6A (Ta) 10V 170mOhm @ 750mA, 10V 4V @ 1mA 14.3 nC @ 10 V ±20V 492 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-223 (TO-261)
      NVMYS6D2N06CLTWG

      NVMYS6D2N06CLTWG

      MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK

      onsemi

      		 13,324
      Запрос на предложение
      		NVMYS6D2N06CLTWG

      Техническая документация

             		- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Ta), 71A (Tc) - 6.1mOhm @ 35A, 10V 2V @ 53µA 20 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 61W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
      XPN7R104NC,L1XHQ

      XPN7R104NC,L1XHQ

      MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 11,107
      Запрос на предложение
      		XPN7R104NC,L1XHQ

      Техническая документация

             		U-MOSIII 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 7.1mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 200µA 21 nC @ 10 V ±20V 1290 pF @ 10 V - 840mW (Ta), 65W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
      IRFH5301TRPBF

      IRFH5301TRPBF

      MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN

      Infineon Technologies

      		 9,076
      Запрос на предложение
      		IRFH5301TRPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.85mOhm @ 50A, 10V 2.35V @ 100µA 77 nC @ 10 V ±20V 5114 pF @ 15 V - 3.6W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
      TN0620N3-G-P002

      TN0620N3-G-P002

      MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

      Microchip Technology

      		 6,309
      Запрос на предложение
      		TN0620N3-G-P002

      Техническая документация

             		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 250mA (Tj) 5V, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V 1.6V @ 1mA - ±20V 150 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
      SQJA82EP-T1_GE3

      SQJA82EP-T1_GE3

      MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 5,446
      Запрос на предложение
      		SQJA82EP-T1_GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
      IPN80R900P7ATMA1

      IPN80R900P7ATMA1

      MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223

      Infineon Technologies

      		 5,077
      Запрос на предложение
      		IPN80R900P7ATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.2A, 10V 3.5V @ 110µA 15 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 500 V - 7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223
      Total 36322 Record«Prev1... 2324252627282930...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]