БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 357 103AT-11 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      SIHU5N80AE-GE3

      SIHU5N80AE-GE3

      MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA

      Vishay Siliconix

      		 2,885
      Запрос на предложение
      		SIHU5N80AE-GE3

      Техническая документация

             		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.4A (Tc) 10V 1.35Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±30V 321 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
      IPD19DP10NMATMA1

      IPD19DP10NMATMA1

      TRENCH >=100V PG-TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,847
      Запрос на предложение
      		IPD19DP10NMATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.6A (Ta), 13.7A (Tc) 10V 186mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1.04mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 50 V - 3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      R6002ENHTB1

      R6002ENHTB1

      600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER

      Rohm Semiconductor

      		 1,870
      Запрос на предложение
      		R6002ENHTB1

      Техническая документация

             		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.7A (Ta) 10V 3.4Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 6.5 nC @ 10 V ±20V 65 pF @ 25 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
      ZXMN10A25GTA

      ZXMN10A25GTA

      MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

      Diodes Incorporated

      		 16,808
      Запрос на предложение
      		ZXMN10A25GTA

      Техническая документация

             		- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.9A (Ta) 10V 125mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 859 pF @ 50 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-3
      SIR624DP-T1-GE3

      SIR624DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 5,744
      Запрос на предложение
      		SIR624DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		ThunderFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18.6A (Tc) 7.5V, 10V 60mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 7.5 V ±20V 1110 pF @ 100 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      BSC026NE2LS5ATMA1

      BSC026NE2LS5ATMA1

      MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON

      Infineon Technologies

      		 1,559
      Запрос на предложение
      		BSC026NE2LS5ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 24A (Ta), 82A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±16V 1100 pF @ 12 V - 2.5W (Ta), 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-7
      NVMFS5C450NAFT1G

      NVMFS5C450NAFT1G

      MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN

      onsemi

      		 1,336
      Запрос на предложение
      		NVMFS5C450NAFT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 24A (Ta), 102A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 65µA 23 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      IRF9Z14PBF-BE3

      IRF9Z14PBF-BE3

      MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 1,317
      Запрос на предложение
      		IRF9Z14PBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) - 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IPP50R380CEXKSA1

      IPP50R380CEXKSA1

      MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 180
      Запрос на предложение
      		IPP50R380CEXKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9.9A (Tc) 13V 380mOhm @ 3.2A, 13V 3.5V @ 260µA 24.8 nC @ 10 V ±20V 584 pF @ 100 V - 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      CSD17522Q5A

      CSD17522Q5A

      MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON

      Texas Instruments

      		 12,791
      Запрос на предложение
      		CSD17522Q5A

      Техническая документация

             		NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 8.1mOhm @ 14A, 10V 2V @ 250µA 4.3 nC @ 4.5 V ±20V 695 pF @ 15 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
      SQJA06EP-T1_GE3

      SQJA06EP-T1_GE3

      MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 8,888
      Запрос на предложение
      		SQJA06EP-T1_GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 57A (Tc) 10V 8.7mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
      FDMC6675BZ

      FDMC6675BZ

      MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP

      onsemi

      		 5,005
      Запрос на предложение
      		FDMC6675BZ

      Техническая документация

             		PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta), 20A (Tc) 4.5V, 10V 14.4mOhm @ 9.5A, 10V 3V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±25V 2865 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
      RQ7G080ATTCR

      RQ7G080ATTCR

      PCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER

      Rohm Semiconductor

      		 3,198
      Запрос на предложение
      		RQ7G080ATTCR

      Техническая документация

             		- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 8A (Ta) 4.5V, 10V 18.2mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 37 nC @ 10 V ±20V 2060 pF @ 20 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
      PSMN019-100YLX

      PSMN019-100YLX

      MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 2,966
      Запрос на предложение
      		PSMN019-100YLX

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A (Tc) 5V, 10V 18mOhm @ 15A, 10V 2.1V @ 1mA 72.4 nC @ 10 V ±20V 5085 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      BUK9M31-60ELX

      BUK9M31-60ELX

      SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L

      Nexperia USA Inc.

      		 2,513
      Запрос на предложение
      		BUK9M31-60ELX

      Техническая документация

             		- SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 20.6mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 1mA 37 nC @ 10 V ±10V 1867 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
      DMP3008SFGQ-7

      DMP3008SFGQ-7

      MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8

      Diodes Incorporated

      		 26,514
      Запрос на предложение
      		DMP3008SFGQ-7

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.6A (Ta) 4.5V, 10V 17mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 2230 pF @ 15 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
      STD5N52U

      STD5N52U

      MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK

      STMicroelectronics

      		 7,415
      Запрос на предложение
      		STD5N52U

      Техническая документация

             		UltraFASTmesh™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 4.4A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 50µA 16.9 nC @ 10 V ±30V 529 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      XPN3R804NC,L1XHQ

      XPN3R804NC,L1XHQ

      MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 14,885
      Запрос на предложение
      		XPN3R804NC,L1XHQ

      Техническая документация

             		U-MOSVIII 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 35 nC @ 10 V ±20V 2230 pF @ 10 V - 840mW (Ta), 100W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
      RJK03M5DNS-00#J5

      RJK03M5DNS-00#J5

      MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

      Renesas Electronics Corporation

      		 14,428
      Запрос на предложение
      		RJK03M5DNS-00#J5

      Техническая документация

             		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Ta) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 12.5A, 10V - 10.4 nC @ 4.5 V ±20V 1890 pF @ 10 V - 15W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
      IPD90N04S403ATMA1

      IPD90N04S403ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 9,811
      Запрос на предложение
      		IPD90N04S403ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 90A, 10V 4V @ 53µA 66.8 nC @ 10 V ±20V 5260 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-313
      Total 36322 Record«Prev1... 2425262728293031...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]