БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD60R400CEAUMA1

    IPD60R400CEAUMA1

    MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252

    Infineon Technologies

    4,723
    IPD60R400CEAUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14.7A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 300µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 112W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-2
    TK33S10N1L,LXHQ

    TK33S10N1L,LXHQ

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,536
    TK33S10N1L,LXHQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Ta) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 16.5A, 10V 2.5V @ 500µA 33 nC @ 10 V ±20V 2250 pF @ 10 V - 125W (Tc) 175°C - - Surface Mount DPAK+
    DMTH6004SK3-13

    DMTH6004SK3-13

    MOSFET N-CH 60V 100A TO252

    Diodes Incorporated

    1,335
    DMTH6004SK3-13

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 95.4 nC @ 10 V ±20V 4556 pF @ 30 V - 3.9W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252-3
    NTMFS5C423NLT1G

    NTMFS5C423NLT1G

    MOSFET N-CH 40V 5DFN

    onsemi

    1,193
    NTMFS5C423NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 20 V - 3.7W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NTMFS5C442NT1G

    NTMFS5C442NT1G

    MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN

    onsemi

    961
    NTMFS5C442NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 29A (Ta), 140A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IPP041N04NGXKSA1

    IPP041N04NGXKSA1

    MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    399
    IPP041N04NGXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 80A, 10V 4V @ 45µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 20 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    PSMN3R0-30YL,115

    PSMN3R0-30YL,115

    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    41,790
    PSMN3R0-30YL,115

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 45.8 nC @ 10 V ±20V 2822 pF @ 12 V - 81W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    DMTH6009LK3Q-13

    DMTH6009LK3Q-13

    MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252

    Diodes Incorporated

    6,490
    DMTH6009LK3Q-13

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14.2A (Ta), 59A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 13.5A, 10V 2V @ 250µA 33.5 nC @ 10 V ±20V 1925 pF @ 30 V - 3.2W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-3
    CSD19538Q3AT

    CSD19538Q3AT

    MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON

    Texas Instruments

    4,251
    CSD19538Q3AT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Ta) 6V, 10V 59mOhm @ 5A, 10V 3.8V @ 250µA 4.3 nC @ 10 V ±20V 454 pF @ 50 V - 2.8W (Ta), 23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
    BUK9M6R0-40HX

    BUK9M6R0-40HX

    MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    3,800
    BUK9M6R0-40HX

    Техническая документация

    - SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 2.15V @ 1mA 36 nC @ 10 V +16V, -10V 2470 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
    NTMFS5C442NLT1G

    NTMFS5C442NLT1G

    MOSFET N-CH 40V 27A/130A 5DFN

    onsemi

    281
    NTMFS5C442NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    TPN5900CNH,L1Q

    TPN5900CNH,L1Q

    MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,036
    TPN5900CNH,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 9A (Ta) 10V 59mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 200µA 7 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 75 V - 700mW (Ta), 39W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
    TK560P65Y,RQ

    TK560P65Y,RQ

    MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,844
    TK560P65Y,RQ

    Техническая документация

    DTMOSV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 560mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 240µA 14.5 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 300 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NTTFS2D8N04HLTAG

    NTTFS2D8N04HLTAG

    MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN

    onsemi

    885
    NTTFS2D8N04HLTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 24A (Ta), 104A (Tc) 4.5V, 10V 2.75mOhm @ 16A, 10V 2V @ 80µA 32 nC @ 10 V ±20V 1960 pF @ 20 V - 3.2W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    SQS460EN-T1_BE3

    SQS460EN-T1_BE3

    MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    57,855
    SQS460EN-T1_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8A (Tc) 4.5V, 10V 36mOhm @ 5.3A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 755 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    PSMN7R5-60YLX

    PSMN7R5-60YLX

    MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    38,223
    PSMN7R5-60YLX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 86A (Tc) 5V, 10V 7.5mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 1mA 31 nC @ 5 V ±20V 4570 pF @ 25 V - 147W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    PSMN011-80YS,115

    PSMN011-80YS,115

    MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    11,748
    PSMN011-80YS,115

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 67A (Tc) 10V 11mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 40 V - 117W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IRFRC20TRPBF-BE3

    IRFRC20TRPBF-BE3

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

    Vishay Siliconix

    3,935
    IRFRC20TRPBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IRFR9024TRPBF-BE3

    IRFR9024TRPBF-BE3

    MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

    Vishay Siliconix

    3,468
    IRFR9024TRPBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IRFZ14PBF-BE3

    IRFZ14PBF-BE3

    MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

    Vishay Siliconix

    1,812
    IRFZ14PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) - 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Total 36322 Record«Prev1... 2627282930313233...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.