БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFK120N30P3

    IXFK120N30P3

    MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    110
    IXFK120N30P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 120A (Tc) 10V 27mOhm @ 60A, 10V 5V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 8630 pF @ 25 V - 1130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFK80N65X2

    IXFK80N65X2

    MOSFET N-CH 650V 80A TO264

    Littelfuse Inc.

    491
    IXFK80N65X2

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 40mOhm @ 40A, 10V 5.5V @ 4mA 143 nC @ 10 V ±30V 8245 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
    IXFX66N85X

    IXFX66N85X

    MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    250
    IXFX66N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 66A (Tc) 10V 65mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 8mA 230 nC @ 10 V ±30V 8900 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    NTHL040N65S3HF

    NTHL040N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

    onsemi

    393
    NTHL040N65S3HF

    Техническая документация

    FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 159 nC @ 10 V ±30V 5945 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFH26N100X

    IXFH26N100X

    MOSFET N-CH 1000V 26A TO247

    Littelfuse Inc.

    260
    IXFH26N100X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 26A (Tc) 10V 320mOhm @ 13A, 10V 6V @ 4mA 113 nC @ 10 V ±30V 3290 pF @ 25 V - 860W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IXFK32N80P

    IXFK32N80P

    MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFK32N80P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 32A (Tc) 10V 270mOhm @ 16A, 10V 5V @ 8mA 150 nC @ 10 V ±30V 8800 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFX24N100Q3

    IXFX24N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

    IXYS

    300
    IXFX24N100Q3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 24A (Tc) 10V 440mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    SCT3080KW7TL

    SCT3080KW7TL

    SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    785
    SCT3080KW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 30A (Tc) - 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V - 159W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXTH60N20L2

    IXTH60N20L2

    MOSFET N-CH 200V 60A TO247

    Littelfuse Inc.

    329
    IXTH60N20L2

    Техническая документация

    Linear L2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 255 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    FCH060N80-F155

    FCH060N80-F155

    MOSFET N-CH 800V 56A TO247

    onsemi

    850
    FCH060N80-F155

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 56A (Tc) 10V 60mOhm @ 29A, 10V 4.5V @ 5.8mA 350 nC @ 10 V ±20V 14685 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFX80N60P3

    IXFX80N60P3

    MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    202
    IXFX80N60P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 80A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 190 nC @ 10 V ±30V 13100 pF @ 25 V - 1300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    NVBG045N065SC1

    NVBG045N065SC1

    SIC MOS D2PAK-7L 650V

    onsemi

    790
    NVBG045N065SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 62A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1890 pF @ 325 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    NTHL019N65S3H

    NTHL019N65S3H

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    430
    NTHL019N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) - 19.3mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 14.3mA 282 nC @ 10 V ±30V 15993 pF @ 400 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFX420N10T

    IXFX420N10T

    MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    289
    IXFX420N10T

    Техническая документация

    HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 420A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670 nC @ 10 V ±20V 47000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    NTH4L025N065SC1

    NTH4L025N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

    onsemi

    247
    NTH4L025N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 99A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 15 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    NVBG060N065SC1

    NVBG060N065SC1

    SIC MOS D2PAK-7L 650V

    onsemi

    1,580
    NVBG060N065SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V - 1473 pF @ 325 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    NTH4LN019N65S3H

    NTH4LN019N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    309
    NTH4LN019N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 19.3mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 14.3mA 282 nC @ 10 V ±30V 15993 pF @ 400 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFK200N10P

    IXFK200N10P

    MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFK200N10P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 200A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 235 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    SCT4026DRHRC15

    SCT4026DRHRC15

    750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    460
    SCT4026DRHRC15

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCT4026DEHRC11

    SCT4026DEHRC11

    750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    320
    SCT4026DEHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    Total 36322 Record«Prev1... 206207208209210211212213...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.