БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SCT4026DEC11

    SCT4026DEC11

    750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    4,887
    SCT4026DEC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    SCT2160KEHRC11

    SCT2160KEHRC11

    1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    374
    SCT2160KEHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 18V 208mOhm @ 7A, 18V 4V @ 2.5mA 62 nC @ 18 V +22V, -6V 1200 pF @ 800 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXTR102N65X2

    IXTR102N65X2

    MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    300
    IXTR102N65X2

    Техническая документация

    Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 33mOhm @ 51A, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±30V 10900 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    SCT4026DW7HRTL

    SCT4026DW7HRTL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    995
    SCT4026DW7HRTL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 150W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7L
    SCT4026DW7TL

    SCT4026DW7TL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    988
    SCT4026DW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tj) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 150W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
    IPZA65R018CFD7XKSA1

    IPZA65R018CFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    238
    IPZA65R018CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 106A (Tc) 10V 18mOhm @ 58.2A, 10V 4.5V @ 2.91mA 234 nC @ 10 V ±20V 11660 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
    NVHL027N65S3F

    NVHL027N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    479
    NVHL027N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 227 nC @ 10 V ±30V 7780 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFR24N100Q3

    IXFR24N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    337
    IXFR24N100Q3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 490mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    C3M0075120D-A

    C3M0075120D-A

    75M 1200V 175C SIC FET

    Wolfspeed, Inc.

    379
    C3M0075120D-A

    Техническая документация

    C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.6V @ 5mA 54 nC @ 15 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFL100N50P

    IXFL100N50P

    MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264

    Littelfuse Inc.

    225
    IXFL100N50P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 70A (Tc) 10V 52mOhm @ 50A, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 20000 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
    SCTWA50N120

    SCTWA50N120

    SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

    STMicroelectronics

    378
    SCTWA50N120

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tc) 20V 69mOhm @ 40A, 20V 3V @ 1mA 122 nC @ 20 V +25V, -10V 1900 pF @ 400 V - 318W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
    STY100NM60N

    STY100NM60N

    MOSFET N CH 600V 98A MAX247

    STMicroelectronics

    600
    STY100NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 98A (Tc) 10V 29mOhm @ 49A, 10V 4V @ 250µA 330 nC @ 10 V 25V 9600 pF @ 50 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    IXFX44N80P

    IXFX44N80P

    MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFX44N80P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 198 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK32N100P

    IXFK32N100P

    MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFK32N100P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 14200 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFB110N60P3

    IXFB110N60P3

    MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    118
    IXFB110N60P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 110A (Tc) 10V 56mOhm @ 55A, 10V 5V @ 8mA 245 nC @ 10 V ±30V 18000 pF @ 25 V - 1890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    S2M0040120D

    S2M0040120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    221
    S2M0040120D

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-3
    IXFR80N50Q3

    IXFR80N50Q3

    MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    192
    IXFR80N50Q3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 72mOhm @ 40A, 10V 6.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 10000 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    S2M0040120K

    S2M0040120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    103
    S2M0040120K

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-4
    NTH4L027N65S3F

    NTH4L027N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

    onsemi

    449
    NTH4L027N65S3F

    Техническая документация

    FRFET®, SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 259 nC @ 10 V ±30V 7690 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    NTH027N65S3F-F155

    NTH027N65S3F-F155

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    472
    NTH027N65S3F-F155

    Техническая документация

    FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 7.5mA 259 nC @ 10 V ±30V 7690 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    Total 36322 Record«Prev1... 207208209210211212213214...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.