БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SCT3030AW7TL

    SCT3030AW7TL

    SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    432
    SCT3030AW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 70A (Tc) - 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 267W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXTT3N200P3HV

    IXTT3N200P3HV

    MOSFET N-CH 2000V 3A TO268

    Littelfuse Inc.

    300
    IXTT3N200P3HV

    Техническая документация

    Polar P3™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2000 V 3A (Tc) 10V 8Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1860 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXTT)
    SCT3040KW7TL

    SCT3040KW7TL

    SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    986
    SCT3040KW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 56A (Tc) - 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 267W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SCT3030ALHRC11

    SCT3030ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 70A TO247N

    Rohm Semiconductor

    445
    SCT3030ALHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 70A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    STY112N65M5

    STY112N65M5

    MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

    STMicroelectronics

    543
    STY112N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 96A (Tc) 10V 22mOhm @ 47A, 10V 5V @ 250µA 350 nC @ 10 V ±25V 16870 pF @ 100 V - 625W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    IXTX8N150L

    IXTX8N150L

    MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3

    IXYS

    256
    IXTX8N150L

    Техническая документация

    Linear TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 8A (Tc) 20V 3.6Ohm @ 4A, 20V 8V @ 250µA 250 nC @ 15 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    SCT3040KLHRC11

    SCT3040KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

    Rohm Semiconductor

    849
    SCT3040KLHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tc) 18V 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    S2M0025120D

    S2M0025120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    300
    S2M0025120D

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tj) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 4V @ 15mA 130 nC @ 20 V +25V, -10V 4402 pF @ 1000 V - 446W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    S2M0025120K

    S2M0025120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    270
    S2M0025120K

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tc) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 4V @ 15mA 130 nC @ 20 V +25V, -10V 4402 pF @ 1000 V - 446W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFN80N50Q3

    IXFN80N50Q3

    MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B

    IXYS

    140
    IXFN80N50Q3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Q3 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 63A (Tc) 10V 65mOhm @ 40A, 10V 6.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 10000 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXTN17N120L

    IXTN17N120L

    MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

    Littelfuse Inc.

    240
    IXTN17N120L

    Техническая документация

    Linear SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 15A (Tc) 20V 900mOhm @ 8.5A, 20V 5V @ 250µA 155 nC @ 15 V ±30V 8300 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    SCT3022ALHRC11

    SCT3022ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 93A TO247N

    Rohm Semiconductor

    2,246
    SCT3022ALHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 93A (Tc) 18V 28.6mOhm @ 36A, 18V 5.6V @ 18.2mA 133 nC @ 18 V +22V, -4V 2208 pF @ 500 V - 339W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    SCT3030KLHRC11

    SCT3030KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 72A TO247N

    Rohm Semiconductor

    580
    SCT3030KLHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 72A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 131 nC @ 18 V +22V, -4V 2222 pF @ 800 V - 339W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXTB62N50L

    IXTB62N50L

    MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    195
    IXTB62N50L

    Техническая документация

    Linear TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 62A (Tc) 20V 100mOhm @ 31A, 20V 5.5V @ 250µA 550 nC @ 20 V ±30V 11500 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    IXTX1R4N450HV

    IXTX1R4N450HV

    MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS

    Littelfuse Inc.

    297
    IXTX1R4N450HV

    Техническая документация

    - TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4500 V 1.4A (Tc) 10V 40Ohm @ 50mA, 10V 6V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247PLUS-HV
    IXTN30N100L

    IXTN30N100L

    MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    593
    IXTN30N100L

    Техническая документация

    Linear SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) 20V 450mOhm @ 15A, 20V 5.5V @ 250µA 545 nC @ 20 V ±30V 13700 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXTF1R4N450

    IXTF1R4N450

    MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC

    IXYS

    1,099
    IXTF1R4N450

    Техническая документация

    - i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4500 V 1.4A (Tc) 10V 40Ohm @ 50mA, 10V 6V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    SCT3017ALGC11

    SCT3017ALGC11

    650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

    Rohm Semiconductor

    435
    SCT3017ALGC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 118A (Tc) 18V 22.1mOhm @ 47A, 18V 5.6V @ 23.5mA 172 nC @ 18 V +22V, -4V 2884 pF @ 500 V - 427W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    SCT3017ALHRC11

    SCT3017ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 118A TO247N

    Rohm Semiconductor

    1,098
    SCT3017ALHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 118A (Tc) 18V 22.1mOhm @ 47A, 18V 5.6V @ 23.5mA 172 nC @ 18 V +22V, -4V 2884 pF @ 500 V - 427W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    SCT3022KLHRC11

    SCT3022KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

    Rohm Semiconductor

    1,127
    SCT3022KLHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 95A (Tc) 18V 28.6mOhm @ 36A, 18V 5.6V @ 18.2mA 178 nC @ 18 V +22V, -4V 2879 pF @ 800 V - 427W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    Total 36322 Record«Prev1... 209210211212213214215216...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.