БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG 103AT-2 TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 S-562T 357
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IXFK220N20X3

      IXFK220N20X3

      MOSFET N-CH 200V 220A TO264

      Littelfuse Inc.

      		 266
      Запрос на предложение
      		IXFK220N20X3

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Ultra X3 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 220A (Tc) 10V 6.2mOhm @ 110A, 10V 4.5V @ 4mA 204 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
      SCT3105KLHRC11

      SCT3105KLHRC11

      SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

      Rohm Semiconductor

      		 241
      Запрос на предложение
      		SCT3105KLHRC11

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 24A (Tc) 18V 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 134W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
      HUF75852G3

      HUF75852G3

      MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3

      onsemi

      		 3,416
      Запрос на предложение
      		HUF75852G3

      Техническая документация

             		UltraFET™ TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 75A (Tc) 10V 16mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 480 nC @ 20 V ±20V 7690 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
      SCT4062KRHRC15

      SCT4062KRHRC15

      1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

      Rohm Semiconductor

      		 401
      Запрос на предложение
      		SCT4062KRHRC15

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
      SCT3080AW7TL

      SCT3080AW7TL

      SICFET N-CH 650V 29A TO263-7

      Rohm Semiconductor

      		 905
      Запрос на предложение
      		SCT3080AW7TL

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) - 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 125W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
      NTBG060N090SC1

      NTBG060N090SC1

      SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7

      onsemi

      		 786
      Запрос на предложение
      		NTBG060N090SC1

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 5.8A (Ta), 44A (Tc) 15V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V, -10V 1800 pF @ 450 V - 3.6W (Ta), 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
      TW083N65C,S1F

      TW083N65C,S1F

      G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 142
      Запрос на предложение
      		TW083N65C,S1F

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 18V 113mOhm @ 15A, 18V 5V @ 600µA 28 nC @ 18 V +25V, -10V 873 pF @ 400 V - 111W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247
      IXFT100N30X3HV

      IXFT100N30X3HV

      MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV

      Littelfuse Inc.

      		 550
      Запрос на предложение
      		IXFT100N30X3HV

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Ultra X3 TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 100A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 4mA 122 nC @ 10 V ±20V 7660 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
      S2M0080120D

      S2M0080120D

      MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

      SMC Diode Solutions

      		 211
      Запрос на предложение
      		S2M0080120D

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 41A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +25V, -10V 1324 pF @ 1000 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
      NTHL033N65S3HF

      NTHL033N65S3HF

      MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3

      onsemi

      		 402
      Запрос на предложение
      		NTHL033N65S3HF

      Техническая документация

             		FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 70A (Tc) 10V 33mOhm @ 35A, 10V 5V @ 2.5mA 188 nC @ 10 V ±30V 6720 pF @ 400 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
      IXFH54N65X3

      IXFH54N65X3

      MOSFET 54A 650V X3 TO247

      Littelfuse Inc.

      		 300
      Запрос на предложение
      		IXFH54N65X3

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 59mOhm @ 27A, 10V 5.2V @ 4mA 49 nC @ 10 V ±20V 3360 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
      IXFX180N25T

      IXFX180N25T

      MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3

      Littelfuse Inc.

      		 509
      Запрос на предложение
      		IXFX180N25T

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 180A (Tc) 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 345 nC @ 10 V ±20V 28000 pF @ 25 V - 1390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
      SIHS90N65E-GE3

      SIHS90N65E-GE3

      E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,

      Vishay Siliconix

      		 233
      Запрос на предложение
      		SIHS90N65E-GE3

      Техническая документация

             		E TO-274AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 87A (Tc) 10V 29mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 591 nC @ 10 V ±30V 11826 pF @ 100 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
      S2M0080120K

      S2M0080120K

      MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

      SMC Diode Solutions

      		 260
      Запрос на предложение
      		S2M0080120K

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 41A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +25V, -10V 1324 pF @ 1000 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
      IMZA65R030M1HXKSA1

      IMZA65R030M1HXKSA1

      SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

      Infineon Technologies

      		 144
      Запрос на предложение
      		IMZA65R030M1HXKSA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 53A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 48 nC @ 18 V +20V, -2V 1643 pF @ 400 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
      SCT2280KEHRC11

      SCT2280KEHRC11

      1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

      Rohm Semiconductor

      		 410
      Запрос на предложение
      		SCT2280KEHRC11

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 14A (Tc) 18V 364mOhm @ 4A, 18V 4V @ 1.4mA 36 nC @ 400 V +22V, -6V 667 pF @ 800 V - 108W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
      FCH041N65EF-F155

      FCH041N65EF-F155

      MOSFET N-CH 650V 76A TO247

      onsemi

      		 358
      Запрос на предложение
      		FCH041N65EF-F155

      Техническая документация

             		FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V 5V @ 7.6mA 298 nC @ 10 V ±20V 12560 pF @ 100 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
      NTH4L040N65S3F

      NTH4L040N65S3F

      MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

      onsemi

      		 310
      Запрос на предложение
      		NTH4L040N65S3F

      Техническая документация

             		FRFET®, SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 158 nC @ 10 V ±30V 5940 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
      IXTH6N120

      IXTH6N120

      MOSFET N-CH 1200V 6A TO247

      Littelfuse Inc.

      		 1,160
      Запрос на предложение
      		IXTH6N120

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 6A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
      IXFK88N30P

      IXFK88N30P

      MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA

      Littelfuse Inc.

      		 596
      Запрос на предложение
      		IXFK88N30P

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 88A (Tc) 10V 40mOhm @ 44A, 10V 5V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 6300 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
      Total 36322 Record«Prev1... 204205206207208209210211...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]