БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFQ60N50P3

    IXFQ60N50P3

    MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

    Littelfuse Inc.

    316
    IXFQ60N50P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 60A (Tc) 10V 100mOhm @ 30A, 10V 5V @ 4mA 96 nC @ 10 V ±30V 6250 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXFA20N85XHV

    IXFA20N85XHV

    MOSFET N-CH 850V 20A TO263

    Littelfuse Inc.

    200
    IXFA20N85XHV

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 20A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 63 nC @ 10 V ±30V 1660 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
    SIHG47N60AEF-GE3

    SIHG47N60AEF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

    Vishay Siliconix

    216
    SIHG47N60AEF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±30V 3576 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    STW56N65M2

    STW56N65M2

    MOSFET N-CH 650V 49A TO247

    STMicroelectronics

    114
    STW56N65M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 49A (Tc) 10V 62mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±25V 3900 pF @ 100 V - 358W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTP055N65S3H

    NTP055N65S3H

    MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3

    onsemi

    730
    NTP055N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 55mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 4.8mA 96 nC @ 10 V ±30V 4305 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPDD60R050G7XTMA1

    IPDD60R050G7XTMA1

    MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10

    Infineon Technologies

    3,215
    IPDD60R050G7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ G7 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 50mOhm @ 15.9A, 10V 4V @ 800µA 68 nC @ 10 V ±20V 2670 pF @ 400 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1
    NVHL082N65S3F

    NVHL082N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3

    onsemi

    450
    NVHL082N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 4mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXTP60N20X4

    IXTP60N20X4

    MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220

    Littelfuse Inc.

    300
    IXTP60N20X4

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 21mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220 (IXTP)
    IXFH160N15T2

    IXFH160N15T2

    MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    298
    IXFH160N15T2

    Техническая документация

    HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 160A (Tc) 10V 9mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 1mA 253 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 25 V - 880W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    FCH072N60

    FCH072N60

    MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3

    onsemi

    841
    FCH072N60

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 52A (Tc) 10V 72mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 5890 pF @ 380 V - 481W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTH4LN067N65S3H

    NTH4LN067N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    218
    NTH4LN067N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 67mOhm @ 20A, 10V 4V @ 3.9mA 80 nC @ 10 V ±30V 3750 pF @ 400 V - 266W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFR36N60P

    IXFR36N60P

    MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    268
    IXFR36N60P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 200mOhm @ 18A, 10V 5V @ 4mA 102 nC @ 10 V ±30V 5800 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    SIHG039N60EF-GE3

    SIHG039N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC

    Vishay Siliconix

    435
    SIHG039N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 61A (Tc) 10V 40mOhm @ 32A, 10V 5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±30V 4323 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    NVBG089N65S3F

    NVBG089N65S3F

    SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L

    onsemi

    800
    NVBG089N65S3F

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 37A (Tc) 10V 89mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 970µA 74 nC @ 10 V ±30V 3598 pF @ 400 V - 291W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    NVHL080N120SC1A

    NVHL080N120SC1A

    SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3

    onsemi

    890
    NVHL080N120SC1A

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25, -15V 1670 pF @ 800 V - 178W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    R6035KNZ4C13

    R6035KNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 35A TO247

    Rohm Semiconductor

    600
    R6035KNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 379W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IMZA65R057M1HXKSA1

    IMZA65R057M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

    Infineon Technologies

    150
    IMZA65R057M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 35A (Tc) 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 5.7V @ 5mA 28 nC @ 18 V +20V, -2V 930 pF @ 400 V - 133W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
    R6547ENZ4C13

    R6547ENZ4C13

    650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER

    Rohm Semiconductor

    324
    R6547ENZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 80mOhm @ 25.8A, 10V 4V @ 1.72mA 150 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 480W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    R6025JNZ4C13

    R6025JNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 25A TO247G

    Rohm Semiconductor

    597
    R6025JNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 15V 182mOhm @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57 nC @ 15 V ±30V 1900 pF @ 100 V - 306W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    NTH4LN040N65S3H

    NTH4LN040N65S3H

    NTH4LN040N65S3H

    onsemi

    367
    NTH4LN040N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 62A (Tc) 10V 40mOhm @ 31A, 10V 4V @ 6.8mA 132 nC @ 10 V ±30V 6513 pF @ 400 V - 379W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    Total 36322 Record«Prev1... 200201202203204205206207...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.