БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SIHH070N60EF-T1GE3

    SIHH070N60EF-T1GE3

    MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    3,000
    SIHH070N60EF-T1GE3

    Техническая документация

    EF 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 71mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±30V 2647 pF @ 100 V - 202W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    R6535ENZC17

    R6535ENZC17

    MOSFET N-CH 650V 35A TO3

    Rohm Semiconductor

    300
    R6535ENZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 115mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1.21mA 110 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    NVMFS5C404NLWFAFT1G

    NVMFS5C404NLWFAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN

    onsemi

    1,481
    NVMFS5C404NLWFAFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 370A (Tc) 4.5V, 10V 0.67mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 81 nC @ 4.5 V ±20V 12168 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NTHL065N65S3HF

    NTHL065N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

    onsemi

    318
    NTHL065N65S3HF

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) - 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 1.3mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    R6020KNZ4C13

    R6020KNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 20A TO247

    Rohm Semiconductor

    410
    R6020KNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 231W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    STW42N65M5

    STW42N65M5

    MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3

    STMicroelectronics

    498
    STW42N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 33A (Tc) 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±25V 4650 pF @ 100 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFQ72N20X3

    IXFQ72N20X3

    MOSFET N-CH 200V 72A TO3P

    Littelfuse Inc.

    304
    IXFQ72N20X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) 10V 20mOhm @ 36A, 10V 4.5V @ 1.5mA 55 nC @ 10 V ±20V 3780 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    UF4C120070K4S

    UF4C120070K4S

    1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,

    Qorvo

    240
    UF4C120070K4S

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 27.5A (Tc) - 91mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 217W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFH46N65X3

    IXFH46N65X3

    MOSFET 46A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    352
    IXFH46N65X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 73mOhm @ 23A, 10V 5.2V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±20V 2730 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    NVMTS0D6N04CLTXG

    NVMTS0D6N04CLTXG

    T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

    onsemi

    2,863
    NVMTS0D6N04CLTXG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 78.9A (Ta), 554.5A (Tc) 4.5V, 10V 0.42mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 265 nC @ 10 V ±20V 16013 pF @ 20 V - 5W (Ta), 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 - -
    IMW65R072M1HXKSA1

    IMW65R072M1HXKSA1

    MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

    Infineon Technologies

    260
    IMW65R072M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSIC™ M1 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 26A (Tc) 18V 94mOhm @ 13.3A, 18V 5.7V @ 4mA 22 nC @ 18 V +23V, -5V 744 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
    NVH4L160N120SC1

    NVH4L160N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

    onsemi

    353
    NVH4L160N120SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17.3A (Tc) 20V 224mOhm @ 12A, 20V 4.3V @ 2.5mA 34 nC @ 20 V +25V, -15V 665 pF @ 800 V - 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCT4062KRC15

    SCT4062KRC15

    1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    4,925
    SCT4062KRC15

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IXFH140N10P

    IXFH140N10P

    MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    306
    IXFH140N10P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 140A (Tc) 10V 11mOhm @ 70A, 10V 5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    FDBL9401-F085T6

    FDBL9401-F085T6

    MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF

    onsemi

    5,193
    FDBL9401-F085T6

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 58.4A (Ta), 240A (Tc) - 0.67mOhm @ 50A, 10V 4V @ 290µA 148 nC @ 10 V +20V, -16V 10000 pF @ 25 V - 4.3W (Ta), 180.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
    PJMH074N60FRC_T0_00601

    PJMH074N60FRC_T0_00601

    600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER

    Panjit International Inc.

    2,984
    PJMH074N60FRC_T0_00601

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 53A (Tc) 10V 74mOhm @ 26.5A, 10V 4.5V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V 3871 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    IPP65R050CFD7AAKSA1

    IPP65R050CFD7AAKSA1

    MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3

    Infineon Technologies

    500
    IPP65R050CFD7AAKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7A TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3
    SIHK055N60E-T1-GE3

    SIHK055N60E-T1-GE3

    E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

    Vishay Siliconix

    1,967
    SIHK055N60E-T1-GE3

    Техническая документация

    E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 42A (Tc) 10V 56mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±30V 3504 pF @ 100 V - 236W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
    STP34NM60ND

    STP34NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 29A TO220

    STMicroelectronics

    784
    STP34NM60ND

    Техническая документация

    FDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 250µA 80.4 nC @ 10 V ±25V 2785 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXTH80N65X2

    IXTH80N65X2

    MOSFET N-CH 650V 80A TO247

    Littelfuse Inc.

    301
    IXTH80N65X2

    Техническая документация

    Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 40mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 4mA 144 nC @ 10 V ±30V 7753 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    Total 36322 Record«Prev1... 199200201202203204205206...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.