БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFH12N100P

    IXFH12N100P

    MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    570
    IXFH12N100P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4080 pF @ 25 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    STO68N65DM6

    STO68N65DM6

    N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

    STMicroelectronics

    187
    STO68N65DM6

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 55A (Tc) 10V 65mOhm @ 27.5A, 10V 4.75V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±25V 3528 pF @ 100 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL (HV)
    AUIRFP4568-E

    AUIRFP4568-E

    MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD

    Infineon Technologies

    355
    AUIRFP4568-E

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 171A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V 10470 pF @ 50 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NTH4L060N065SC1

    NTH4L060N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    499
    NTH4L060N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    STW69N65M5-4

    STW69N65M5-4

    MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L

    STMicroelectronics

    385
    STW69N65M5-4

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 45mOhm @ 29A, 10V 5V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±25V 6420 pF @ 100 V - 330W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IXFH230N10T

    IXFH230N10T

    MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFH230N10T

    Техническая документация

    HiPerFET™, Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 230A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 1mA 250 nC @ 10 V ±20V 15300 pF @ 25 V - 650W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    SIHG47N60E-E3

    SIHG47N60E-E3

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

    Vishay Siliconix

    225
    SIHG47N60E-E3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 64mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±30V 9620 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    NTBL050N65S3H

    NTBL050N65S3H

    MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    1,278
    NTBL050N65S3H

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 49A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 4.8mA 98 nC @ 10 V ±30V 4880 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    SCT3105KW7TL

    SCT3105KW7TL

    SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    995
    SCT3105KW7TL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 23A (Tc) - 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 125W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SIHK045N60E-T1-GE3

    SIHK045N60E-T1-GE3

    E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

    Vishay Siliconix

    1,806
    SIHK045N60E-T1-GE3

    Техническая документация

    E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 48A (Tc) 10V 49mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4013 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
    UF4C120053K4S

    UF4C120053K4S

    1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,

    Qorvo

    505
    UF4C120053K4S

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 34A (Tc) 12V 67mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    FCA47N60-F109

    FCA47N60-F109

    MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

    onsemi

    452
    FCA47N60-F109

    Техническая документация

    SuperFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
    NVHL040N60S5F

    NVHL040N60S5F

    SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-

    onsemi

    337
    NVHL040N60S5F

    Техническая документация

    FRFET®, SUPERFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 59A (Tc) 10V 40mOhm @ 29.5A, 10V 4.8V @ 7.2mA 115 nC @ 10 V ±30V 6318 pF @ 400 V - 347W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPW60R075CPFKSA1

    IPW60R075CPFKSA1

    MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3

    Infineon Technologies

    237
    IPW60R075CPFKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 39A (Tc) 10V 75mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 1.7mA 116 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    AUIRFP4568

    AUIRFP4568

    MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC

    Infineon Technologies

    386
    AUIRFP4568

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 171A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V 10470 pF @ 50 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SIHK045N60EF-T1GE3

    SIHK045N60EF-T1GE3

    E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    1,998
    SIHK045N60EF-T1GE3

    Техническая документация

    EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 52mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±30V 4685 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
    STB32N65M5

    STB32N65M5

    MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

    STMicroelectronics

    940
    STB32N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 119mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±25V 3320 pF @ 100 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IPZA60R037P7XKSA1

    IPZA60R037P7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4

    Infineon Technologies

    194
    IPZA60R037P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 76A (Tc) 10V 37mOhm @ 29.5A, 10V 4V @ 1.48mA 121 nC @ 10 V ±20V 5243 pF @ 400 V - 255W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    E3M0120090J

    E3M0120090J

    900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET

    Wolfspeed, Inc.

    502
    E3M0120090J

    Техническая документация

    E-Series TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 18 nC @ 15 V +15V, -4V 414 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive - Surface Mount TO-263-7
    IXTT26N50P

    IXTT26N50P

    MOSFET N-CH 500V 26A TO268

    Littelfuse Inc.

    205
    IXTT26N50P

    Техническая документация

    Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 230mOhm @ 13A, 10V 5.5V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    Total 36322 Record«Prev1... 201202203204205206207208...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.