БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    TSM60NB099PW C1G

    TSM60NB099PW C1G

    MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

    Taiwan Semiconductor Corporation

    2,055
    TSM60NB099PW C1G

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V 99mOhm @ 11.7A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 2587 pF @ 100 V - 329W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    NTMT095N65S3H

    NTMT095N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    2,846
    NTMT095N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 95mOhm @ 15A, 10V 4V @ 2.8mA 58 nC @ 10 V ±30V 2833 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-TDFN (8x8)
    IXFA72N20X3

    IXFA72N20X3

    MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA

    Littelfuse Inc.

    437
    IXFA72N20X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) 10V 20mOhm @ 36A, 10V 4.5V @ 1.5mA 55 nC @ 10 V ±20V 3780 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
    NTHL095N65S3H

    NTHL095N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    226
    NTHL095N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 95mOhm @ 15A, 10V 4V @ 2.8mA 58 nC @ 10 V ±30V 2833 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHG47N60EF-GE3

    SIHG47N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

    Vishay Siliconix

    463
    SIHG47N60EF-GE3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 67mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 225 nC @ 10 V ±30V 4854 pF @ 100 V - 379W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    R6520KNZ4C13

    R6520KNZ4C13

    MOSFET N-CH 650V 20A TO247

    Rohm Semiconductor

    334
    R6520KNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 630µA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 231W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    MSC090SMA070S

    MSC090SMA070S

    SICFET N-CH 700V D3PAK

    Microchip Technology

    103
    MSC090SMA070S

    Техническая документация

    - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 25A (Tc) - - - - - - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
    NTBLS1D5N08MC

    NTBLS1D5N08MC

    MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF

    onsemi

    1,900
    NTBLS1D5N08MC

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 32A (Ta), 298A (Tc) 6V, 10V 1.53mOhm @ 80A, 10V 4V @ 710µA 111 nC @ 10 V ±20V 8170 pF @ 40 V - 2.9W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    FDP039N08B-F102

    FDP039N08B-F102

    MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

    onsemi

    418
    FDP039N08B-F102

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 100A, 10V 4.5V @ 250µA 133 nC @ 10 V ±20V 9450 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    R6030KNZC17

    R6030KNZC17

    MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

    Rohm Semiconductor

    300
    R6030KNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    IXTP150N15X4

    IXTP150N15X4

    MOSFET N-CH 150V 150A TO220

    Littelfuse Inc.

    290
    IXTP150N15X4

    Техническая документация

    Ultra X4 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 150A (Tc) 10V 7.2mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXFP26N50P3

    IXFP26N50P3

    MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    250
    IXFP26N50P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 230mOhm @ 13A, 10V 5V @ 4mA 42 nC @ 10 V ±30V 2220 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPZ65R065C7XKSA1

    IPZ65R065C7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4

    Infineon Technologies

    145
    IPZ65R065C7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 33A (Tc) 10V 65mOhm @ 17.1A, 10V 4V @ 850µA 64 nC @ 10 V ±20V 3020 pF @ 400 V - 171W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    MSC180SMA120B

    MSC180SMA120B

    MOSFET 1200V 25A TO-247

    Microchip Technology

    105
    MSC180SMA120B

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 21A (Tc) 5V, 20V 225mOhm @ 8A, 20V 4.5V @ 500µA 36 nC @ 20 V +23V, -10V 530 pF @ 1000 V - 147W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTMFS10N3D2C

    NTMFS10N3D2C

    MOSFET N-CH 100V 151A POWER56

    onsemi

    1,150
    NTMFS10N3D2C

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 151A (Tc) 6V, 10V 3.2mOhm @ 67A, 10V 4V @ 370µA 84 nC @ 10 V ±20V 6215 pF @ 50 V - 138W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    R6030KNZ4C13

    R6030KNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 30A TO247

    Rohm Semiconductor

    584
    R6030KNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IPP65R041CFD7XKSA1

    IPP65R041CFD7XKSA1

    650V FET COOLMOS TO247

    Infineon Technologies

    489
    IPP65R041CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IMBG65R072M1HXTMA1

    IMBG65R072M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

    Infineon Technologies

    817
    IMBG65R072M1HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSIC™ M1 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 33A (Tc) 18V 94mOhm @ 13.3A, 18V 5.7V @ 4mA 22 nC @ 18 V +23V, -5V 744 pF @ 400 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
    NVHL055N60S5F

    NVHL055N60S5F

    SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-

    onsemi

    528
    NVHL055N60S5F

    Техническая документация

    FRFET®, SUPERFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 45A (Tc) 10V 55mOhm @ 22.5A, 10V 4.8V @ 5.2mA 85.2 nC @ 10 V ±30V 4603 pF @ 400 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFH30N85X

    IXFH30N85X

    MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    290
    IXFH30N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 30A (Tc) 10V 220mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 68 nC @ 10 V ±30V 2460 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    Total 36322 Record«Prev1... 198199200201202203204205...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.