БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFP5N100PM

    IXFP5N100PM

    MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220

    Littelfuse Inc.

    196
    IXFP5N100PM

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 2.3A (Tc) 10V 2.8Ohm @ 2.5A, 10V 6V @ 250µA 33.4 nC @ 10 V ±30V 1830 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    STH30N65DM6-7AG

    STH30N65DM6-7AG

    AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

    STMicroelectronics

    135
    STH30N65DM6-7AG

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 28A (Tc) 10V 115mOhm @ 10A, 10V 4.75V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±25V 2000 pF @ 100 V - 223W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-7
    IXFH34N65X3

    IXFH34N65X3

    MOSFET 34A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    198
    IXFH34N65X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) 10V 100mOhm @ 17A, 10V 5.2V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±20V 2025 pF @ 25 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IPDQ60R040S7XTMA1

    IPDQ60R040S7XTMA1

    HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

    Infineon Technologies

    750
    IPDQ60R040S7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 12V 40mOhm @ 13A, 12V 4.5V @ 790µA 83 nC @ 12 V ±20V 3127 pF @ 300 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    STW20NM60FD

    STW20NM60FD

    MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3

    STMicroelectronics

    598
    STW20NM60FD

    Техническая документация

    FDmesh™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 290mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 25 V - 214W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTB095N65S3HF

    NTB095N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3

    onsemi

    800
    NTB095N65S3HF

    Техническая документация

    FRFET®, SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 2930 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    RSJ650N10TL

    RSJ650N10TL

    MOSFET N-CH 100V 65A LPTS

    Rohm Semiconductor

    908
    RSJ650N10TL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 65A (Ta) 4V, 10V 9.1mOhm @ 32.5A, 10V 2.5V @ 1mA 260 nC @ 10 V ±20V 10780 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    IPT60R040S7XTMA1

    IPT60R040S7XTMA1

    MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF

    Infineon Technologies

    1,965
    IPT60R040S7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™S7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 12V 40mOhm @ 13A, 12V 4.5V @ 790µA 83 nC @ 12 V ±20V 3127 pF @ 300 V - 245W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    IXFH74N20P

    IXFH74N20P

    MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    499
    IXFH74N20P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 74A (Tc) 10V 34mOhm @ 37A, 10V 5V @ 4mA 107 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IPW65R110CFDAFKSA1

    IPW65R110CFDAFKSA1

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

    Infineon Technologies

    236
    IPW65R110CFDAFKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3
    STP30N65M5

    STP30N65M5

    MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB

    STMicroelectronics

    4,646
    STP30N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 139mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±25V 2880 pF @ 100 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXFT96N20P

    IXFT96N20P

    MOSFET N-CH 200V 96A TO268

    Littelfuse Inc.

    110
    IXFT96N20P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 96A (Tc) 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 145 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    FDB0630N1507L

    FDB0630N1507L

    MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

    onsemi

    1,008
    FDB0630N1507L

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 130A (Tc) 10V 6.4mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V 9895 pF @ 75 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    NVHL160N120SC1

    NVHL160N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

    onsemi

    442
    NVHL160N120SC1

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 20V 224mOhm @ 12A, 20V 4.3V @ 2.5mA 34 nC @ 20 V +25V, -15V 665 pF @ 800 V - 119W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IRFP4668PBFXKMA1

    IRFP4668PBFXKMA1

    TRENCH >=100V PG-TO247-3

    Infineon Technologies

    396
    IRFP4668PBFXKMA1

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 130A (Tc) 10V 9.7mOhm @ 81A, 10V 5V @ 250µA 241 nC @ 10 V ±30V 10720 pF @ 50 V - 520W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    NVMFS5C604NLT1G

    NVMFS5C604NLT1G

    MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN

    onsemi

    1,500
    NVMFS5C604NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Ta), 287A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NTBGS004N10G

    NTBGS004N10G

    POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS

    onsemi

    1,327
    NTBGS004N10G

    Техническая документация

    - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 21A (Ta), 203A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 500µA 178 nC @ 10 V ±20V 12100 pF @ 50 V - 3.7W (Ta), 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FDMS003N08C

    FDMS003N08C

    MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56

    onsemi

    3,000
    FDMS003N08C

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 22A (Ta), 147A (Tc) 6V, 10V 3.1mOhm @ 56A, 10V 4V @ 310µA 73 nC @ 10 V ±20V 5350 pF @ 40 V - 2.7W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    IXTH260N055T2

    IXTH260N055T2

    MOSFET N-CH 55V 260A TO247

    Littelfuse Inc.

    294
    IXTH260N055T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 260A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 10800 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    R6035VNX3C16

    R6035VNX3C16

    600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT

    Rohm Semiconductor

    555
    R6035VNX3C16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V, 15V 114mOhm @ 8A, 15V 6.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±30V 2400 pF @ 100 V - 347W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Total 36322 Record«Prev1... 196197198199200201202203...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.