БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FCP104N60F

    FCP104N60F

    MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3

    onsemi

    1,569
    FCP104N60F

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 6130 pF @ 25 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXTH120N20X4

    IXTH120N20X4

    MOSFET

    Littelfuse Inc.

    264
    IXTH120N20X4

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 108 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    STFW40N60M2

    STFW40N60M2

    MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT

    STMicroelectronics

    275
    STFW40N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 88mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±25V 2500 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    SIHB30N60ET1-GE3

    SIHB30N60ET1-GE3

    N-CHANNEL 600V

    Vishay Siliconix

    1,112
    SIHB30N60ET1-GE3

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPZA60R080P7XKSA1

    IPZA60R080P7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4

    Infineon Technologies

    243
    IPZA60R080P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 80mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51 nC @ 10 V ±20V 2180 pF @ 400 V - 129W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    IXFP30N25X3

    IXFP30N25X3

    MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220

    Littelfuse Inc.

    399
    IXFP30N25X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 30A (Tc) 10V 60mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FCH165N65S3R0-F155

    FCH165N65S3R0-F155

    MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3

    onsemi

    404
    FCH165N65S3R0-F155

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 4.5V @ 1.9mA 39 nC @ 10 V ±30V 1500 pF @ 400 V - 154W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    R6520ENZC17

    R6520ENZC17

    MOSFET N-CH 650V 20A TO3

    Rohm Semiconductor

    300
    R6520ENZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 630µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 68W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    FDBL0110N60

    FDBL0110N60

    MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF

    onsemi

    1,900
    FDBL0110N60

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 300A (Tc) 10V 1.1mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 13650 pF @ 30 V - 429W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    STF18NM80

    STF18NM80

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP

    STMicroelectronics

    985
    STF18NM80

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 295mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 2070 pF @ 50 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPT014N08NM5ATMA1

    IPT014N08NM5ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8

    Infineon Technologies

    2,194
    IPT014N08NM5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 37A (Ta), 331A (Tc) 6V, 10V 1.4mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 280µA 200 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 40 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
    NP180N04TUK-E1-AY

    NP180N04TUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

    Renesas Electronics Corporation

    1,590
    NP180N04TUK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 1.05mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 297 nC @ 10 V ±20V 15750 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 348W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXTP34N65X2

    IXTP34N65X2

    MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    158
    IXTP34N65X2

    Техническая документация

    Ultra X2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) 10V 96mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 3000 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXFH46N65X2

    IXFH46N65X2

    MOSFET N-CH 650V 46A TO247

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFH46N65X2

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 76mOhm @ 23A, 10V 5.5V @ 4mA 75 nC @ 10 V ±30V 4810 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    STB42N60M2-EP

    STB42N60M2-EP

    MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK

    STMicroelectronics

    859
    STB42N60M2-EP

    Техническая документация

    MDmesh™ M2-EP TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 87mOhm @ 17A, 10V 4.75V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±25V 2370 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STL36N55M5

    STL36N55M5

    MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT

    STMicroelectronics

    2,500
    STL36N55M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 22.5A (Tc) 10V 90mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±25V 2670 pF @ 100 V - 2.8W (Ta), 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

    RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

    MP-25LZU

    Renesas Electronics Corporation

    780
    RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

    Техническая документация

    - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 250A (Ta) 10V 2.4mOhm @ 125A, 10V 3.8V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 9500 pF @ 50 V - 1.8W (Ta), 348W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-263-7
    2SK3812-ZP-E1-AZ

    2SK3812-ZP-E1-AZ

    MP-25LZP

    Renesas Electronics Corporation

    1,357
    2SK3812-ZP-E1-AZ

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 55A, 10V 2.5V @ 1mA 250 nC @ 10 V ±20V 16800 pF @ 10 V - 1.5W (Ta), 213W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-263-3
    RJ1L12CGNTLL

    RJ1L12CGNTLL

    NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1

    Rohm Semiconductor

    1,000
    RJ1L12CGNTLL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 200µA 139 nC @ 10 V ±20V 7100 pF @ 30 V - 166W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    FDMS86202ET120

    FDMS86202ET120

    MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

    onsemi

    3,920
    FDMS86202ET120

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 6V, 10V 7.2mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 4585 pF @ 60 V - 3.3W (Ta), 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    Total 36322 Record«Prev1... 193194195196197198199200...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.